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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RB161SS-30T2R Rohm Semiconductor RB161SS-30T2R -
RFQ
 ECAD 5794 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0603 (1608 메트릭) RB161 Schottky KMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB161SS-30T2RTR 귀 99 8541.10.0080 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 520 MV @ 1 a 500 µa @ 30 v 125 ° C 1A -
SCT3040KRC14 Rohm Semiconductor SCT3040KRC14 54.0100
RFQ
 ECAD 917 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT3040 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 55A (TC) 18V 52mohm @ 20a, 18V 5.6v @ 10ma 107 NC @ 18 v +22V, -4V 1337 pf @ 800 v - 262W
DTC113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc113ze3hzgtl 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC113 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor RSJ250P10TL 2.8700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ250 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 25A (TA) 4V, 10V 63mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 1mA 60 nc @ 5 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 50W (TC)
SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor SH8K26GZ0TB1 1.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8K26 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 6A (TA) 38mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 2.9NC @ 5V 280pf @ 10V -
RLS139TE-11 Rohm Semiconductor RLS139TE-11 -
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 RLS139 기준 llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 50 ns 20 na @ 30 v 175 ° C (°) 130ma 5pf @ 0.5V, 1MHz
DTA115EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA115EU3HZGT106 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA115 200 MW UMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
UML2NTR Rohm Semiconductor uml2ntr 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UML2 150 MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN + 다이오드 (분리) 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
RF601B2DTL Rohm Semiconductor RF601B2DTL -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RF601B2D 기준 CPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 3A 930 MV @ 3 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°)
RF071M2STR Rohm Semiconductor RF071M2STR 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-123F RF071 기준 PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 850 mV @ 700 mA 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 700ma -
EDZVT2R2.7B Rohm Semiconductor EDZVT2R2.7B 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 EDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 120 µa @ 500 mV 2.7 v 100 옴
RSX071VYM30FHTR Rohm Semiconductor rsx071vym30fhtr 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RSX071 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 700 MA 9.6 ns 200 µa @ 30 v 150 ° C (°) 700ma -
EMT18T2R Rohm Semiconductor EMT18T2R 0.1462
RFQ
 ECAD 5716 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMT18 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 12V 500ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor RBQ20BGE65ATL 2.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBQ20 Schottky TO-252GE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 65 v 20A 630 mv @ 10 a 200 µa @ 65 v 150 ° C
SCT3160KW7HRTL Rohm Semiconductor SCT3160KW7HRTL 10.7900
RFQ
 ECAD 5086 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SCT3160 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-263-7L 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1200 v 17A (TC) 18V 208mohm @ 5a, 18V 5.6v @ 2.5ma 42 NC @ 18 v +22V, -4V 398 pf @ 800 v - -
BZX84C4V7LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V7LYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
DTA023YMT2L Rohm Semiconductor DTA023YMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA023 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
2SD2696T2L Rohm Semiconductor 2SD2696T2L 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SD2696 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 30 v 400 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 2ma, 100ma 270 @ 100MA, 2V 400MHz
RFN2LAM6STR Rohm Semiconductor rfn2lam6str 0.6400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rfn2lam6 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.55 V @ 1.5 a 35 ns 1 µa @ 600 v 150 ° C (°) 1.5A -
YDZVFHTR6.8 Rohm Semiconductor ydzvfhtr6.8 0.3600
RFQ
 ECAD 651 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 8.82% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr6.8 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 3.5 v 6.8 v
BZX84C33VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C33VLYFHT116 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 23 v 33 v 80 옴
RB521AS-30T2R Rohm Semiconductor RB521AS-30T2R -
RFQ
 ECAD 4518 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 없음 RB521 Schottky VML2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v 150 ° C (°) 200ma -
2SAR514PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR514PFRAT100 0.5000
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR514 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 700 MA 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 15ma, 300ma 120 @ 100MA, 3V 380MHz
EMG6T2R Rohm Semiconductor emg6t2r 0.0801
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 EMG6T2 150MW EMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47kohms -
DTD143TKT146 Rohm Semiconductor DTD143TKT146 0.4400
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 500 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 100 @ 50MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms
DTD123TSTP Rohm Semiconductor DTD123TSTP -
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTD123 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 40 v 500 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 100 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms
US6J11TR Rohm Semiconductor US6J11tr 0.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6J11 MOSFET (금속 (() 320MW Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 1.3a 260mohm @ 1.3a, 4.5v 1V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 290pf @ 6v 논리 논리 게이트
IMT18T110 Rohm Semiconductor IMT18T110 0.1676
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMT18 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12V 500ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
MTZJT-7718B Rohm Semiconductor MTZJT-7718B -
RFQ
 ECAD 7129 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 13 v 18 v 30 옴
EDZVFHT2R22B Rohm Semiconductor EDZVFHT2R22B 0.3400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.11% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVFHT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 17 v 22 v 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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