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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
UDZWTE-1730B Rohm Semiconductor udzwte-1730b -
RFQ
 ECAD 4193 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor RD3H160SPTL1 1.7300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3H160 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 45 v 16A (TA) 4V, 10V 50mohm @ 16a, 10V 3V @ 1mA 16 nc @ 5 v ± 20V 2000 pf @ 10 v - 20W (TC)
RFN10NS4STL Rohm Semiconductor rfn10ns4stl 1.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RFN10 기준 LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 430 v 1.55 V @ 10 a 30 ns 10 µa @ 430 v 150 ° C 10A -
RS1E240BNTB Rohm Semiconductor RS1E240BNTB 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 24A (TA) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 24a, 10V 2.5V @ 1mA 70 nc @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 15 v - 3W (TA), 30W (TC)
EDZVFHT2R10B Rohm Semiconductor EDZVFHT2R10B 0.3400
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVFHT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 7 v 10 v 30 옴
RB070MM-30TFTR Rohm Semiconductor RB070MM-30TFTR 0.4300
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB070 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 MV @ 1.5 a 50 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1.5A -
QH8KB6TCR Rohm Semiconductor QH8KB6TCR 1.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8KB6 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 8A (TA) 17.7mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1mA 10.6NC @ 10V 530pf @ 20V -
BAV99GT116 Rohm Semiconductor BAV99GT116 -
RFQ
 ECAD 6765 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 SSD3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BAV99GT116TR 쓸모없는 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 75 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C (°)
BM63377S-VC Rohm Semiconductor BM63377S-VC 30.6800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (1.327 ", 33.70mm) IGBT BM63377 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BM63377S-VC 귀 99 8542.39.0001 60 3 상 인버터 30 a 600 v 1500VRMS
RB238T-30NZC9 Rohm Semiconductor RB238T-30NZC9 2.0100
RFQ
 ECAD 988 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB238 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 40a 750 mV @ 20 a 12 µa @ 30 v 150 ° C
SH8M12TB1 Rohm Semiconductor SH8M12TB1 0.4439
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m12 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 4.5a 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 4NC @ 5V 250pf @ 10V 논리 논리 게이트
SH8M14TB1 Rohm Semiconductor SH8M14TB1 0.6938
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m14 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 9a, 7a 21mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 8.5NC @ 5V 630pf @ 10V 논리 논리 게이트
RB520ASA-40FHT2RB Rohm Semiconductor RB520ASA-40FHT2RB 0.4600
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 RB520 Schottky DFN1006-2W 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 100 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C 200ma -
IMH2AT110 Rohm Semiconductor IMH2AT110 0.4000
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMH2 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
UMH37NTN Rohm Semiconductor umh37ntn 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH37 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 20V 400ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 3ma, 30ma 820 @ 10ma, 5V 35MHz 10kohms -
DTA124EE3TL Rohm Semiconductor DTA124EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA143X 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA124 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
PTZTFTE2527B Rohm Semiconductor PTZTFTE2527B 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.26% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 21 v 28.5 v 16 옴
RLZTE-116.8C Rohm Semiconductor RLZTE-116.8C -
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 2 µa @ 3.5 v 6.8 v 8 옴
DTC314TUT106 Rohm Semiconductor DTC314TUT106 -
RFQ
 ECAD 8616 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC314 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 600 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 80MV @ 2.5MA, 50MA 100 @ 50MA, 5V 200MHz 10 KOHMS
DTA144EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA144EU3HZGT106 0.3800
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA144 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DTB523YMT2L Rohm Semiconductor DTB523YMT2L 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTB523 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 12 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 5ma, 100ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
R6009ENX Rohm Semiconductor R6009ENX 3.5500
RFQ
 ECAD 397 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6009 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 535mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 1MA 23 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 25 v - 40W (TC)
FMW1T148 Rohm Semiconductor FMW1T148 -
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMW1 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
DTA114YETL Rohm Semiconductor DTA114YETL 0.3900
RFQ
 ECAD 691 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA114 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
DA227TL Rohm Semiconductor DA227TL 0.1644
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-82A, SOT-343 DA227 기준 UMD4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
QSL11TR Rohm Semiconductor qsl11tr 0.2360
RFQ
 ECAD 5178 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QSL11 900 MW TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
2SK2504TL Rohm Semiconductor 2SK2504TL -
RFQ
 ECAD 4485 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SK2504 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5A (TA) 4V, 10V 220mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 520 pf @ 10 v - 20W (TC)
RB560VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB560VM-40TE-17 0.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB560 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 640 mV @ 500 mA 40 V @ 40 v 150 ° C (°) 500ma -
BC857BT116 Rohm Semiconductor BC857BT116 0.3900
RFQ
 ECAD 1230 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 210 @ 2MA, 5V 250MHz
BZX84C11VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C11VLFHT116 0.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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