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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RBR1LAM40ATR Rohm Semiconductor RBR1LAM40ATR 0.4800
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 ECAD 3843 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RBR1LAM40 쇼트키 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 520mV @ 1A 40V에서 50μA 150°C(최대) 1A -
DTA144ECAT116 Rohm Semiconductor DTA144ECAT116 0.2700
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 ECAD 890 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
DTA124EE3TL Rohm Semiconductor DTA124EE3TL 0.3700
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 DTA143X 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA124 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스 + 의무 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
RS1E240BNTB Rohm Semiconductor RS1E240BNTB 0.7400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1E MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 24A(타) 4.5V, 10V 3.2m옴 @ 24A, 10V 2.5V @ 1mA 70nC @ 10V ±20V 3900pF @ 15V - 3W(Ta), 30W(Tc)
UDZVTE-1712B Rohm Semiconductor UDZVTE-1712B 0.2700
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 ECAD 37 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈베테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA @ 9V 12V 30옴
RRS040P03FRATB Rohm Semiconductor RRS040P03FRATB 0.3489
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 ECAD 2760 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) RRS040 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 4A(타) 4V, 10V 75m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 5.2nC @ 5V ±20V 10V에서 480pF - 2W(타)
RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor RS6P060BHTB1 2.4200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS6P060 MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 60A(Tc) 6V, 10V 10.6m옴 @ 60A, 10V 4V @ 1mA 25nC @ 10V ±20V 50V에서 1560pF - 3W(Ta), 73W(Tc)
TT8M2TR Rohm Semiconductor TT8M2TR 0.3578
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 ECAD 4924 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TT8M2 MOSFET(금속) 1.25W 8-TSST 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 30V, 20V 2.5A 90m옴 @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V 180pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RBR3MM40ATR Rohm Semiconductor RBR3MM40ATR 0.5000
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 ECAD 76 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RBR3MM40 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 620mV @ 3A 40V에서 80μA 150°C(최대) 3A -
R8011KNXC7G Rohm Semiconductor R8011KNXC7G 5.0300
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R8011 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 800V 11A(타) 10V 450m옴 @ 5.5A, 10V 4.5V @ 5.5mA 37nC @ 10V ±20V 100V에서 1200pF - 65W(Tc)
DTC114YUBHZGTL Rohm Semiconductor DTC114YUBHZGTL -
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 ECAD 4018 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-85 DTC114 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
DTA114EE3TL Rohm Semiconductor DTA114EE3TL 0.3700
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 DTA114E 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA114 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 20mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
DAP202FMFHT106 Rohm Semiconductor DAP202FMFHT106 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DAP202 기준 SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 구역 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 70V에서 100nA 150°C
RBR3MM40ATFTR Rohm Semiconductor RBR3MM40ATFTR 0.4400
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RBR3MM40 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 620mV @ 3A 40V에서 80μA 150°C(최대) 3A -
RS1E350BNTB Rohm Semiconductor RS1E350BNTB 1.7400
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 ECAD 920 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1E MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 35A(타) 4.5V, 10V 1.7m옴 @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 185nC @ 10V ±20V 7900pF @ 15V - 35W(Tc)
RFN3BM6STL Rohm Semiconductor RFN3BM6STL 0.4575
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 ECAD 5939 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RFN3B 기준 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.55V @ 3A 30ns 600V에서 10μA 150°C(최대) 3A -
BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor BSM250D17P2E004 1.0000
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 상자 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 BSM250 실리콘 카바이드(SiC) 1800W(Tc) 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4 2 N 채널(하프 다리) 1700V(1.7kV) 250A(Tc) - 4V @ 66mA - 30000pF @ 10V -
UFZVFHTE-1712B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1712B 0.3100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.71% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F UFZVFHTE 500mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 9V 12V 12옴
RSAC6.8CST2RA Rohm Semiconductor RSAC6.8CST2RA 0.4500
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 ECAD 16 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±4% - 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RSAC6.8 100mW VMN2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 30V에서 1μA 7.02V
2SARA41CHZGT116R Rohm Semiconductor 2SARA41CHZGT116R 0.5000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SARA41 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 50mA 500nA(ICBO) PNP 500mV @ 1mA, 10mA 180 @ 2mA, 6V 140MHz
DTA123YCAT116 Rohm Semiconductor DTA123YCAT116 0.2700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 22 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
RB078BM30STL Rohm Semiconductor RB078BM30STL 1.8800
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 ECAD 8282 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RB078 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 720mV @ 5A 30V에서 5μA 150°C(최대) 5A -
YDZVFHTR6.8 Rohm Semiconductor YDZVFHTR6.8 0.3600
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 ECAD 651 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±8.82% 150°C (TJ) 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 YDZVFHTR6.8 500mW TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 3.5V에서 10μA 6.8V
R6015FNX Rohm Semiconductor R6015FNX 4.2704
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 ECAD 2546 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6015 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6015FNX EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 15A(타) 10V 350m옴 @ 7.5A, 10V 5V @ 1mA 42nC @ 10V ±30V 25V에서 1660pF - 50W(Tc)
DTA113ZU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA113ZU3HZGT106 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA113 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 5mA, 5V 250MHz 1kΩ 10kΩ
RCJ120N25TL Rohm Semiconductor RCJ120N25TL 0.9561
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 ECAD 3173 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ120 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1,000 N채널 250V 12A(TC) 10V 235m옴 @ 6A, 10V 5V @ 1mA 35nC @ 10V ±30V 25V에서 1800pF - 1.56W(Ta), 107W(Tc)
RSS095N05FRATB Rohm Semiconductor RSS095N05FRATB 2.1000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) RSS095 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 45V 9.5A(타) 4V, 10V 16m옴 @ 9.5A, 10V 2.5V @ 1mA 26.5nC @ 5V ±20V 10V에서 1830pF - 1.4W(타)
SCS210KE2HRC Rohm Semiconductor SCS210KE2HRC -
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 ECAD 1132 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 SCS210 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 360 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 650V 20A(DC) 1.55V @ 20A 600V에서 400μA 175°C(최대)
DTA043TUBTL Rohm Semiconductor DTA043TUBTL 0.0536
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 ECAD 1772년 0.00000000 로옴 DTA043T 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTA043 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 100 @ 5mA, 10V 250MHz 4.7kΩ
2SK3019TL Rohm Semiconductor 2SK3019TL 0.3800
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SK3019 MOSFET(금속) EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 8옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 5V에서 13pF - 150mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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