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불연속 불연속 제품 (6960)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RB411VA-50TR Rohm Semiconductor RB411VA-50tr 0.1360
RFQ
 ECAD 4907 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB411 Schottky Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 500 mA 30 µa @ 10 v 125 ° C (°) 500ma 20pf @ 10V, 1MHz
CDZFHT2RA33B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA33B 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.49% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 cdzfht2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 25 v 32.97 v 250 옴
RB500V-40TE-17 Rohm Semiconductor RB500V-40TE-17 0.4900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB500 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 450 mV @ 10 ma 1 µa @ 10 v 125 ° C (°) 100ma 6pf @ 10V, 1MHz
RB238T-30HZC9 Rohm Semiconductor RB238T-30HZC9 1.5200
RFQ
 ECAD 3896 0.00000000 Rohm 반도체 * 튜브 활동적인 - 1 (무제한) 846-RB238T-30HZC9 50
RB088LAM-40TR Rohm Semiconductor RB088LAM-40TR 0.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB088 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 710 MV @ 5 a 3.6 µa @ 40 v 150 ° C 5a -
BZX84B10VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B10VLT116 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
BZX84B9V1LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B9V1LYFHT116 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.98% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
DSC2A01T0L Rohm Semiconductor DSC2A01T0L -
RFQ
 ECAD 6582 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Mini3-G3-B - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-DSC2A01T0LTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 50 MA 1µA NPN 200mv @ 1ma, 10ma 1000 @ 2MA, 10V 150MHz
RB162MM-60TR Rohm Semiconductor RB162MM-60TR 0.4100
RFQ
 ECAD 430 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB162 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 1A -
UFZVTE-176.8B Rohm Semiconductor UFZVTE-176.8B 0.3000
RFQ
 ECAD 1121 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µa @ 3.5 v 6.8 v 8 옴
RB520CM-30T2R Rohm Semiconductor RB520CM-30T2R 0.3500
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB520 Schottky vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 10 ma 500 na @ 10 v 150 ° C (°) 100ma -
SCS206AMC Rohm Semiconductor SCS206AMC 2.1240
RFQ
 ECAD 9885 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SCS206 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 6 a 0 ns 120 µa @ 600 v 175 ° C (°) 6A 219pf @ 1v, 1MHz
PTZTE256.2A Rohm Semiconductor PTZTE256.2A 0.2014
RFQ
 ECAD 6330 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% - 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE256.2 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 3 v 6.2 v 6 옴
RS1E170GNTB Rohm Semiconductor rs1e170gntb 0.6300
RFQ
 ECAD 6593 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 20V 720 pf @ 15 v - 3W (TA), 23W (TC)
DTA113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor dta113ze3hzgtl 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA113 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-dta113ze3hzgtlct 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
TDZTR5.1 Rohm Semiconductor tdztr5.1 0.1088
RFQ
 ECAD 1399 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdztr5.1 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1.5 v 5.1 v
EDZTE613.6B Rohm Semiconductor edzte613.6b -
RFQ
 ECAD 4610 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 edzte613 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 v 3.6 v 100 옴
UDZLVTE-1762 Rohm Semiconductor UDZLVTE-1762 0.3000
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzlvte 200 MW SOD-323FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 µa @ 47 v 62 v
GDZ8EPT2R8.2 Rohm Semiconductor gdz8ept2r8.2 -
RFQ
 ECAD 8319 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-gdz8ept2r8.2tr 귀 99 8541.10.0050 8,000
MTZJT-775.1B Rohm Semiconductor MTZJT-775.1B -
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1.5 v 5.1 v 70 옴
EDZVFHT2R36B Rohm Semiconductor EDZVFHT2R36B 0.3700
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVFHT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 27 v 36 v 300 옴
RB520S-30GJTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30GJTE61 -
RFQ
 ECAD 2116 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB520 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB520S-30GJTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
FDZT40RB6.2 Rohm Semiconductor FDZT40RB6.2 -
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Rohm 반도체 라스미드 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 01005 (0402 메트릭) 100MW SMD0402 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 40,000 1 µa @ 3 v 6.2 v
PDZVTR3.6B Rohm Semiconductor PDZVTR3.6B 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 PDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.26% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PDZVTR3.6 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 27 v 3.8 v 20 옴
TDZTR5.6 Rohm Semiconductor tdztr5.6 0.1411
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdztr5.6 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 2.5 v 5.6 v
RS1L180GNTB Rohm Semiconductor RS1L180GNTB 2.6500
RFQ
 ECAD 4979 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1L MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 18A (TA), 68A (TC) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 100µa 63 NC @ 10 v ± 20V 3230 pf @ 30 v - 3W (TA)
RSX051VA-30TR Rohm Semiconductor RSX051VA-30TR 0.1479
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 2-SMD,, 리드 RSX051 Schottky Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 500 mA 200 µa @ 30 v 150 ° C (°) 500ma -
RB521ZS-306EPT2R Rohm Semiconductor RB521ZS-306EPT2R -
RFQ
 ECAD 9857 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0201 (0603 메트릭) RB521 Schottky GMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB521ZS-306EPT2RTR 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 370 mV @ 10 ma 7 µa @ 10 v 150 ° C 100ma -
PTZTE2522A Rohm Semiconductor PTZTE2522A 0.2014
RFQ
 ECAD 7867 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.38% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE2522 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 17 v 23.25 v 14 옴
RB160MM-40TFTR Rohm Semiconductor RB160MM-40TFTR 0.4600
RFQ
 ECAD 742 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB160 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 510 mV @ 1 a 30 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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