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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RBLQ20NL10CFHTL Rohm Semiconductor RBLQ20NL10CFHTL 2.7800
RFQ
 ECAD 5647 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBLQ20 Schottky TO-263L - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 710 MV @ 10 a 70 µa @ 100 v 150 ° C
RB298NS100TL Rohm Semiconductor RB298NS100TL 1.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB298 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 870 mV @ 15 a 10 µa @ 100 v 150 ° C
RBQ5RSM10BTL1 Rohm Semiconductor RBQ5RSM10BTL1 1.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 700 mv @ 5 a 140 µa @ 100 v 150 ° C 5a -
MTZJT-7730C Rohm Semiconductor MTZJT-7730C -
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 23 v 30 v 55 옴
RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor RGT40NL65DGTL 3.1400
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT40 기준 161 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 20A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 60 a 2.1V @ 15V, 20A - 40 NC 22ns/75ns
UDZSTE-1712B Rohm Semiconductor Udzste-1712b 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F Udzste 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 9 v 12 v 30 옴
DTA123YCAT116 Rohm Semiconductor DTA123YCAT116 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 22 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
RF501BM2STL Rohm Semiconductor RF501BM2STL 1.3400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RF501 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 5 a 25 ns 1 µa @ 200 v 150 ° C (°) 5a -
UMX1NTN Rohm Semiconductor umx1ntn 0.4100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMX1 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
PTZTFTE252.2B Rohm Semiconductor ptztfte252.2b 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 200 µA @ 700 mV 2.32 v 20 옴
DTB713ZETL Rohm Semiconductor DTB713ZETL 0.1049
RFQ
 ECAD 9805 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTB713 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 200 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
SST6839T216 Rohm Semiconductor SST6839T216 0.0487
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST6839 200 MW SST3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 5V 140MHz
ZDX050N50 Rohm Semiconductor ZDX050N50 1.1600
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 ZDX050 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 4.4V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 40W (TC)
R6524ENZC8 Rohm Semiconductor R6524ENZC8 -
RFQ
 ECAD 1704 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6524 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6524ENZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 185mohm @ 11.3a, 10V 4V @ 750µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 74W (TC)
BZX84B5V6LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B5V6LYFHT116 0.4200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.96% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor RX3G07BBGC16 3.7100
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 RX3G07 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 3 (168 시간) 846-RX3G07BBGC16 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 130A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 70A, 10V 2.5V @ 1mA 56 NC @ 10 v ± 20V 3540 pf @ 20 v - 89W (TC)
RSS075P03FU6TB Rohm Semiconductor RSS075P03FU6TB -
RFQ
 ECAD 9184 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS075 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7.5A (TA) 4V, 10V 21mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 1mA 30 nc @ 5 v ± 20V 2900 pf @ 10 v - 2W (TA)
RH6R025BHTB1 Rohm Semiconductor RH6R025BHTB1 1.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RH6R025 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 25A (TA) 6V, 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 16.7 NC @ 10 v ± 20V 1010 pf @ 75 v - 2W (TA), 59W (TC)
UDZWTE-176.2B Rohm Semiconductor udzwte-176.2b -
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
RK7002AT116 Rohm Semiconductor RK7002AT116 -
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RK7002 MOSFET (금속 (() SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4V, 10V 1ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 1mA 6 nc @ 10 v ± 20V 33 pf @ 10 v - 200MW (TA)
RB218NS-40TL Rohm Semiconductor RB218NS-40TL 1.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB218 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 770 MV @ 10 a 5 µa @ 40 v 150 ° C
R6520ENZC17 Rohm Semiconductor R6520ENZC17 6.1700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6520 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6520ENZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 630µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 68W (TC)
RB238T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB238T-60NZC9 2.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB238 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 40a 860 mV @ 20 a 12 µa @ 60 v 150 ° C (°)
RB521S-30FTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30FTE61 -
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB521 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v 125 ° C (°) 200ma -
RBR3LAM60ATR Rohm Semiconductor rbr3lam60atr 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rbr3lam60 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A -
DTC143ECAT116 Rohm Semiconductor DTC143ECAT116 0.2800
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC143 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RFUS20TM4S Rohm Semiconductor RFUS20TM4S 0.8550
RFQ
 ECAD 7057 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RFUS20 기준 TO-220FN - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 430 v 1.6 V @ 20 a 35 ns 10 µa @ 430 v 150 ° C (°) 20A -
SP8K31TB1 Rohm Semiconductor SP8K31TB1 -
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K31 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 3.5a 120mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 5.2NC @ 5V 250pf @ 10V 논리 논리 게이트
2SAR293P5T100 Rohm Semiconductor 2SAR293P5T100 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR293 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
VDZT2R20B Rohm Semiconductor vdzt2r20b -
RFQ
 ECAD 9784 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-723 vdzt2 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 15 v 20 v 85 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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