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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RBR5L40ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR5L40ADDTE25 0.8800
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 ECAD 791 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA RBR5L40 쇼트키 PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 530mV @ 5A 40V에서 200μA 150°C 5A -
RB480YNPT2R Rohm Semiconductor RB480YNPT2R -
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 ECAD 7584 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75-4, SOT-543 쇼트키 EMD4 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RB480YNPT2RTR 더 이상 사용하지 않는 경우 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2개의 면 30V 100mA 530mV @ 100mA 10V에서 1μA 125°C(최대)
R6015FNX Rohm Semiconductor R6015FNX 4.2704
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 ECAD 2546 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6015 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6015FNX EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 15A(타) 10V 350m옴 @ 7.5A, 10V 5V @ 1mA 42nC @ 10V ±30V 25V에서 1660pF - 50W(Tc)
DTA043TUBTL Rohm Semiconductor DTA043TUBTL 0.0536
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 ECAD 1772년 0.00000000 로옴 DTA043T 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTA043 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 100 @ 5mA, 10V 250MHz 4.7kΩ
DTA113ZU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA113ZU3HZGT106 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA113 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 5mA, 5V 250MHz 1kΩ 10kΩ
RB078BM30STL Rohm Semiconductor RB078BM30STL 1.8800
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 ECAD 8282 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RB078 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 720mV @ 5A 30V에서 5μA 150°C(최대) 5A -
RB532HS-30T15R Rohm Semiconductor RB532HS-30T15R 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 0201(0603미터법) RB532 쇼트키 DSN0603-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 15,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 500mV @ 100mA 30V에서 100μA 150°C 200mA -
RS1E350BNTB Rohm Semiconductor RS1E350BNTB 1.7400
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 ECAD 920 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1E MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 35A(타) 4.5V, 10V 1.7m옴 @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 185nC @ 10V ±20V 7900pF @ 15V - 35W(Tc)
RSAC6.8CST2RA Rohm Semiconductor RSAC6.8CST2RA 0.4500
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 ECAD 16 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±4% - 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RSAC6.8 100mW VMN2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 30V에서 1μA 7.02V
BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor BSM250D17P2E004 1.0000
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 상자 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 BSM250 실리콘 카바이드(SiC) 1800W(Tc) 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4 2 N 채널(하프 다리) 1700V(1.7kV) 250A(Tc) - 4V @ 66mA - 30000pF @ 10V -
US6M2GTR Rohm Semiconductor US6M2GTR 0.6700
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 ECAD 3815 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 US6M2 MOSFET(금속) 1W TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 30V, 20V 1.5A, 1A 240m옴 @ 1.5A, 4.5V, 390m옴 @ 1A, 4.5V 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V 80pF @ 10V, 150pF @ 10V -
RSD200N05TL Rohm Semiconductor RSD200N05TL 0.4542
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 ECAD 9711 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RSD200 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 45V 20A(타) 4V, 10V 28m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 12nC @ 5V ±20V 10V에서 950pF - 20W(Tc)
EMG9T2R Rohm Semiconductor EMG9T2R 0.3900
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 EMG9T2 150mW EMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
RCX100N25 Rohm Semiconductor RCX100N25 2.2500
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 ECAD 466 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RCX100 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 250V 10A(타) 10V - - ±30V - 40W(Tc)
DTA143ZUBHZGTL Rohm Semiconductor DTA143ZUBHZGTL 0.2200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-85 DTA143 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
RQ1A070APTR Rohm Semiconductor RQ1A070APTR 0.8600
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 RQ1A070 MOSFET(금속) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 12V 7A(타) 1.5V, 4.5V 14m옴 @ 7A, 4.5V 1V @ 1mA 80nC @ 4.5V -8V 7800pF @ 6V - 550mW(타)
UDZVTE-175.6B Rohm Semiconductor UDZVTE-175.6B 0.2700
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 ECAD 43 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈베테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 2.5V에서 1μA 5.6V 60옴
DTC123EETL Rohm Semiconductor DTC123EETL 0.3500
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC123 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 20mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
RB218NS-40TL Rohm Semiconductor RB218NS-40TL 1.5200
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RB218 쇼트키 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 40V 20A 770mV @ 10A 40V에서 5μA 150°C
IMX1T108 Rohm Semiconductor IMX1T108 0.1469
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 ECAD 7697 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMX1 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
KDZVTFTR24B Rohm Semiconductor KDZVTFTR24B 0.4700
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±7.5% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F KDZVTFTR24 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 19V에서 10μA 25.8V
RQ5A030APTL Rohm Semiconductor RQ5A030APTL 0.4400
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 ECAD 26 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RQ5A030 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 3A(타) 1.5V, 4.5V 62m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 16nC @ 4.5V -8V 2000pF @ 6V - 1W(타)
EDZVT2R2.7B Rohm Semiconductor EDZVT2R2.7B 0.2800
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 EDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150mW EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 500mV에서 120μA 2.7V 100옴
RBR5L40ATE25 Rohm Semiconductor RBR5L40ATE25 0.3972
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 ECAD 2571 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 DO-214AC, SMA RBR5L40 쇼트키 PMDS - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 530mV @ 5A 40V에서 200μA 150°C(최대) 5A -
RRR030P03TL Rohm Semiconductor RRR030P03TL 0.6000
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RRR030 MOSFET(금속) TSMT3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 3A(타) 4V, 10V 75m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 5.2nC @ 5V ±20V 10V에서 480pF - 1W(타)
DZ2W18000L Rohm Semiconductor DZ2W18000L -
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 ECAD 7208 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-DZ2W18000LTR EAR99 8541.10.0050 3,000
RS1L145GNTB Rohm Semiconductor RS1L145GNTB 2.1000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1L MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 14.5A(Ta), 47A(Tc) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 14.5A, 10V 2.7V @ 200μA 37nC @ 10V ±20V 30V에서 1880pF - 3W(타)
CDZVT2R4.7B Rohm Semiconductor CDZVT2R4.7B 0.2700
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 ECAD 29 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 CDZVT2 100mW VMN2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 2μA @ 1V 4.7V 100옴
RFN5BM6SFHTL Rohm Semiconductor RFN5BM6SFHTL 1.0300
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 ECAD 77 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RFN5B 기준 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.55V @ 5A 50ns 600V에서 10μA 150°C(최대) 5A -
SP8M4TB Rohm Semiconductor SP8M4TB 1.1385
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 ECAD 7853 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SP8M4 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SP8M4TBTR EAR99 8541.29.0095 2,500 - 30V 9A, 7A 18m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 21nC @ 5V 1190pF @ 10V 기준
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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