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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTA114EE3TL Rohm Semiconductor dta114ee3tl 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA114E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA114 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 500µa, 10ma 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
DTA143ZMT2L Rohm Semiconductor DTA143ZMT2L 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA143 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
SCT2080KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT2080KEHRC11 39.8900
RFQ
 ECAD 9310 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT2080 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SCT2080KEHRC11Z 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 40A (TC) 18V 117mohm @ 10a, 18V 4V @ 4.4ma 106 NC @ 18 v +22V, -6V 2080 pf @ 800 v - -
MTZJT-726.8B Rohm Semiconductor MTZJT-726.8B -
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT726.8B 귀 99 8541.10.0050 5,000 2 µa @ 3.5 v 6.8 v 20 옴
RB068L-30DDTE25 Rohm Semiconductor RB068L-30DDTE25 0.6200
RFQ
 ECAD 798 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RB068 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 700 mv @ 2 a 800 NA @ 30 v 150 ° C 2A -
DB4X501K0R Rohm Semiconductor DB4X501K0R -
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-DB4X501K0RTR 귀 99 8541.10.0080 3,000
SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor SP8K31HZGTB 1.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K31 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SP8K31HZGTBTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 3.5A (TA) 120mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 5.2NC @ 5V 250pf @ 10V -
RBR1LAM30ATR Rohm Semiconductor rbr1lam30atr 0.4700
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rbr1lam30 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 480 mV @ 1 a 50 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A -
DTD123TSTP Rohm Semiconductor DTD123TSTP -
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTD123 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 40 v 500 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 100 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms
RB075BM40SFNSTL Rohm Semiconductor RB075BM40SFNSTL 0.6000
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TO-252 - 1 (무제한) 2,500
DTC023YUBTL Rohm Semiconductor DTC023YUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 964 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC023 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
UFZVTE-1713B Rohm Semiconductor UFZVTE-1713B 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.69% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 10 v 13 v 14 옴
YFZVFHTR7.5B Rohm Semiconductor yfzvfhtr7.5b 0.4300
RFQ
 ECAD 986 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.62% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr7.5 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 4 v 7.26 v 8 옴
2SAR340PT100Q Rohm Semiconductor 2SAR340PT100Q 0.6600
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR340 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 400 v 100 MA 10µA (ICBO) PNP 400mv @ 2ma, 20ma 82 @ 10ma, 10V -
R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor R8008ANJFRGTL 5.0900
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R8008 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 1.03ohm @ 4a, 10V 5V @ 1MA 38 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 195W (TC)
BZX84B22VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B22VLYFHT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.82% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 15 v 22 v 55 옴
R6507ENJTL Rohm Semiconductor R6507ENJTL 3.1400
RFQ
 ECAD 998 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6507 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 665mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 200µA 20 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 78W (TC)
RGTH00TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGTH00TS65DGC13 6.6000
RFQ
 ECAD 3477 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTH00 기준 277 w TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGTH00TS65DGC13 귀 99 8541.29.0095 600 400V, 50A, 10ohm, 15V 54 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 85 a 200a 2.1V @ 15V, 50A - 94 NC 39ns/143ns
RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor RGTH00TK65GC11 6.8200
RFQ
 ECAD 405 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH00 기준 72 W. to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 35 a 200a 2.1V @ 15V, 50A - 94 NC 39ns/143ns
2SC1740STPR Rohm Semiconductor 2SC1740STR -
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SC1740 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 180MHz
KDZTR6.2B Rohm Semiconductor KDZTR6.2B 0.1836
RFQ
 ECAD 1706 0.00000000 Rohm 반도체 KDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZTR6.2 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 3 v 6.5 v
RB721Q-40T-77 Rohm Semiconductor RB721Q-40T-77 -
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 RB721 Schottky MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 370 mV @ 1 ma 500 na @ 25 v 125 ° C (°) 30ma 2pf @ 1v, 1MHz
RB560SS-40T2R Rohm Semiconductor RB560SS-40T2R -
RFQ
 ECAD 3686 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0603 (1608 메트릭) RB560 Schottky KMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB560SS-40T2RTR 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 640 mV @ 500 mA 40 V @ 40 v 150 ° C 500ma -
RW4E045AJTCL1 Rohm Semiconductor RW4E045AJTCL1 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerufdfn RW4E045 MOSFET (금속 (() DFN1616-7T 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 4.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 4 NC @ 4.5 v ± 12V 450 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
RBR3MM40ATR Rohm Semiconductor rbr3mm40atr 0.5000
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR3MM40 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 620 MV @ 3 a 80 µa @ 40 v 150 ° C (°) 3A -
RB520CM-40T2R Rohm Semiconductor RB520CM-40T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-923 RB520 Schottky vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 710 mV @ 100 ma 15 µa @ 40 v 150 ° C 100ma -
BAV99LT116 Rohm Semiconductor BAV99LT116 -
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 SSD3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-bav99lt116tr 쓸모없는 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 75 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C (°)
RBR2MM40BTFTR Rohm Semiconductor RBR2MM40BTFTR 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR2MM40 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 2 a 80 µa @ 40 v 150 ° C (°) 2A -
RBR1L30ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR1L30ADDTE25 0.4400
RFQ
 ECAD 7679 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RBR1L30 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 480 mV @ 1 a 50 µa @ 30 v 150 ° C 1A -
RB068L150TE25 Rohm Semiconductor RB068L150TE25 0.1650
RFQ
 ECAD 8430 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RB068 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 810 mv @ 2 a 3 µa @ 150 v 150 ° C (°) 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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