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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RB161MM-20TR Rohm Semiconductor RB161MM-20TR 0.4800
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 ECAD 40 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RB161 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 25V 350mV @ 1A 20V에서 700μA 125°C(최대) 1A -
BM64378S-VA Rohm Semiconductor BM64378S-VA 30.6800
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 ECAD 18 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.134", 28.80mm) IGBT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BM64378S-VA EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 35A 600V 1500Vrms
DTD513ZMT2L Rohm Semiconductor DTD513ZMT2L 0.0955
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 ECAD 4729 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTD513 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 1kΩ 10kΩ
DTA124ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA124ECAHZGT116 0.3700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA124 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
DTA114YUAT106 Rohm Semiconductor DTA114YUAT106 0.2600
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA114 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
RRH100P03TB1 Rohm Semiconductor RRH100P03TB1 0.7669
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 ECAD 3569 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RRH100 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,500 P채널 30V 10A(타) 4V, 10V 12.6m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 39nC @ 5V ±20V 10V에서 3600pF - 650mW(타)
DTA114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA114EU3HZGT106 0.3800
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA114 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
DTA143TU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA143TU3HZGT106 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA143 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
RBS5LAM40ATR Rohm Semiconductor RBS5LAM40ATR 0.4700
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 ECAD 610 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RBS5LAM40 쇼트키 PMDT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 490mV @ 5A 20V에서 800μA 125°C 5A -
UDZVFHTE-1743 Rohm Semiconductor UDZVFHTE-1743 0.3500
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 ECAD 9689 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5.81% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F UDZVFHTE 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 33V에서 100nA 43V 550옴
EDZFTE6133B Rohm Semiconductor EDZFTE6133B -
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 ECAD 7233 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZFT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZFTE6133BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
BAV170HYFHT116 Rohm Semiconductor BAV170HYFHT116 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 기준 SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍씩 시작됩니다 80V 215mA(DC) 1.25V @ 150mA 3μs 75V에서 5nA 150°C
R5009ANJTL Rohm Semiconductor R5009ANJTL 1.9610
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 ECAD 8356 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R5009 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 500V 9A(타) 10V 720m옴 @ 4.5A, 10V 4.5V @ 1mA 21nC @ 10V ±30V 25V에서 650pF - 50W(Tc)
RMW180N03TB Rohm Semiconductor RMW180N03TB 1.0200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 * 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,500
RB521S-30FTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30FTE61 -
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 ECAD 5168 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-79, SOD-523 RB521 쇼트키 EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 500mV @ 200mA 10V에서 30μA 125°C(최대) 200mA -
RBR20T30ANZC9 Rohm Semiconductor RBR20T30ANZC9 1.5000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 컷테이프(CT) 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RBR20 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RBR20T30ANZC9CT EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 30V 10A 550mV @ 10A 30V에서 200μA 150°C
BZX84B6V2LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B6V2LFHT116 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±1.94% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 4V에서 3μA 6.2V 10옴
RGSX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65DHRC11 10.9100
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 ECAD 450 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGSX5TS65 기준 404W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGSX5TS65DHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10옴, 15V 114ns 트렌치 필드스톱 650V 114A 225A 2.15V @ 15V, 75A 3.32mJ(켜짐), 1.9mJ(꺼짐) 79nC 43ns/113ns
SCT4026DW7TL Rohm Semiconductor SCT4026DW7TL 19.2700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA SiCFET(탄화규소) TO-263-7L 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 750V 51A (티제이) 18V 34m옴 @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94nC @ 18V +21V, -4V 500V에서 2320pF - 150W
R8005ANJFRGTL Rohm Semiconductor R8005ANJFRGTL 3.2100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R8005 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 800V 5A(Tc) 10V 2.1옴 @ 2.5A, 10V 5V @ 1mA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 500pF - 120W(Tc)
BZX84C10VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C10VLYT116 0.4200
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 7V 10V 20옴
2SD1468STPR Rohm Semiconductor 2SD1468STPR -
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 ECAD 8495 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-72 수정했어요 300mW SPT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 15V 1A 500nA(ICBO) NPN 400mV @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 3V 150MHz
SH8K41GZETB Rohm Semiconductor SH8K41GZETB 0.9000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8K41 MOSFET(금속) 1.4W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 80V 3.4A 130m옴 @ 3.4A, 10V 2.5V @ 1mA 6.6nC @ 5V 600pF @ 10V 게임 레벨 레벨
DTA143ZMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA143ZMFHAT2L 0.2400
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 ECAD 35 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA143 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
DTC123EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC123EE3HZGTL 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC123 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTC123EE3HZGTLCT EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 20mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
2SK3019TL Rohm Semiconductor 2SK3019TL 0.3800
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SK3019 MOSFET(금속) EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 8옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 5V에서 13pF - 150mW(타)
TFZGTR11B Rohm Semiconductor TFZGTR11B 0.0886
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 ECAD 5094 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - -55°C ~ 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TFZGTR11 500mW TUMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 8V 11V 10옴
DSC2A01T0L Rohm Semiconductor DSC2A01T0L -
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 ECAD 6582 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW Mini3-G3-B - ROHS3 준수 1(무제한) 846-DSC2A01T0LTR EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 50mA 1μA NPN 200mV @ 1mA, 10mA 1000 @ 2mA, 10V 150MHz
R6030KNXC7G Rohm Semiconductor R6030KNXC7G 6.6700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6030 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6030KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 30A(타) 10V 130m옴 @ 14.5A, 10V 5V @ 1mA 56nC @ 10V ±20V 2350pF @ 25V - 86W(Tc)
RBQ20T45ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ20T45ANZC9 1.5000
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 ECAD 995 0.00000000 로옴 - 컷테이프(CT) 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RBQ20 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 45V 10A 650mV @ 10A 45V에서 140μA 150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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