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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | RB751S-40FVTE61 | - | ![]() | 5979 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | RB751 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RB751S-40FVTE61TR | 쓸모없는 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSF015N06TL | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | RSF015 | MOSFET (금속 (() | tumt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 1.5A (TA) | 4V, 10V | 290mohm @ 1.5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 2 nc @ 5 v | ± 20V | 110 pf @ 10 v | - | 800MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMB60T2R | 0.3900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | EMB60 | 150MW | EMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp 프리 p p (듀얼) | 150MV @ 500µA, 5MA | 80 @ 5ma, 10V | 250MHz | 2kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA115TETL | 0.0678 | ![]() | 6537 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | DTA115 | 150 MW | EMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300mv @ 100µa, 1ma | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 100 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC024EMT2L | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | DTC024 | 150 MW | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 30 MA | - | npn-사전- | 150MV @ 500µA, 5MA | 60 @ 5MA, 10V | 250MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | DA227TL | 0.1644 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | DA227 | 기준 | UMD4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 독립 | 80 v | 100ma | 1.2 v @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 70 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRE02VS6SGTR | 0.0983 | ![]() | 7578 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | RRE02 | 기준 | tumd2s | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 600 v | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 600 v | 150 ° C (°) | 200ma | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143ZUBHZGTL | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-85 | DTA143 | 200 MW | umt3f | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 MA | - | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521FS-30T40RB | 0.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | RB521 | Schottky | SMD0402 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 40,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 370 mV @ 10 ma | 7 µa @ 10 v | 150 ° C (°) | 100ma | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTZJT-7727C | - | ![]() | 7118 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | MTZJT-7727 | 500MW | MSD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 21 v | 27 v | 45 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RMW130N03TB | 0.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RLZTE-113.9B | - | ![]() | 2787 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | llds | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 5 µa @ 1 v | 3.9 v | 50 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TFZVTR22B | 0.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TFZVTR22 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 17 v | 22 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RLZTE-119.1C | - | ![]() | 7006 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | llds | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 500 na @ 6 v | 8.8 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGSX5TS65DHRC11 | 10.9100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | RGSX5TS65 | 기준 | 404 w | TO-247N | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RGSX5TS65DHRC11 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 10ohm, 15V | 114 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 114 a | 225 a | 2.15V @ 15V, 75A | 3.32mj (on), 1.9mj (Off) | 79 NC | 43ns/113ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6009JNJGTL | 2.9400 | ![]() | 9436 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | R6009 | MOSFET (금속 (() | lpt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 15V | 585mohm @ 4.5a, 15V | 7V @ 1.38ma | 22 nc @ 15 v | ± 30V | 645 pf @ 100 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR542PFRAT100 | 0.6500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SCR542 | 500MW | MPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 v | 5 a | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 100ma, 2a | 200 @ 500ma, 2v | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R8002KND3TL1 | 1.5600 | ![]() | 446 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | R8002 | MOSFET (금속 (() | TO-252GE | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 800 v | 1.6A (TA) | 10V | 4.2ohm @ 800ma, 10V | 4.5V @ 150µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7711C | - | ![]() | 4647 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | 500MW | MSD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 8 v | 11 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTFTE2515B | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 1 W. | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µa @ 10 v | 15.6 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | umb10nfhatn | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMB10 | 150MW | UMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 100ma | - | 2 pnp 프리 p p (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdzt2ra3.6b | 0.0841 | ![]() | 8561 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | CDZ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 3.29% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-923 | CDZT2 | 100MW | VMN2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 10 µa @ 1 v | 3.72 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR554PFRAT100 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SAR554 | 500MW | MPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 v | 1.5 a | 1µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 25ma, 500ma | 120 @ 100MA, 3V | 340MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCX510N25 | 3.0468 | ![]() | 1817 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RCX510 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RCX510N25 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 250 v | 51A (TA) | 10V | - | - | ± 30V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB114EKT146 | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTB114 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 56 @ 50MA, 5V | 200MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB540VM-40FHTE-17 | 0.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | RB540 | Schottky | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 40 v | 710 mV @ 100 ma | 15 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | 200ma | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1757KT146R | 0.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SD1757 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15 v | 500 MA | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50ma, 500ma | 120 @ 100MA, 3V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTF015P02TL | 0.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | RTF015 | MOSFET (금속 (() | tumt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 135mohm @ 1.5a, 4.5v | 2V @ 1mA | 5.2 NC @ 4.5 v | ± 12V | 560 pf @ 10 v | - | 800MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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