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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RGSX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65DHRC11 10.9100
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 ECAD 450 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGSX5TS65 기준 404W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGSX5TS65DHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10옴, 15V 114ns 트렌치 필드스톱 650V 114A 225A 2.15V @ 15V, 75A 3.32mJ(켜짐), 1.9mJ(꺼짐) 79nC 43ns/113ns
SCT4026DW7TL Rohm Semiconductor SCT4026DW7TL 19.2700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA SiCFET(탄화규소) TO-263-7L 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 750V 51A (티제이) 18V 34m옴 @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94nC @ 18V +21V, -4V 500V에서 2320pF - 150W
R8005ANJFRGTL Rohm Semiconductor R8005ANJFRGTL 3.2100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R8005 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 800V 5A(Tc) 10V 2.1옴 @ 2.5A, 10V 5V @ 1mA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 500pF - 120W(Tc)
BZX84C10VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C10VLYT116 0.4200
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 7V 10V 20옴
2SD1468STPR Rohm Semiconductor 2SD1468STPR -
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 ECAD 8495 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-72 수정했어요 300mW SPT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 15V 1A 500nA(ICBO) NPN 400mV @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 3V 150MHz
SH8K41GZETB Rohm Semiconductor SH8K41GZETB 0.9000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8K41 MOSFET(금속) 1.4W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 80V 3.4A 130m옴 @ 3.4A, 10V 2.5V @ 1mA 6.6nC @ 5V 600pF @ 10V 게임 레벨 레벨
DTC123EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC123EE3HZGTL 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC123 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTC123EE3HZGTLCT EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 20mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
2SK3019TL Rohm Semiconductor 2SK3019TL 0.3800
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SK3019 MOSFET(금속) EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 8옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 5V에서 13pF - 150mW(타)
TFZGTR11B Rohm Semiconductor TFZGTR11B 0.0886
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 ECAD 5094 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - -55°C ~ 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TFZGTR11 500mW TUMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 8V 11V 10옴
DSC2A01T0L Rohm Semiconductor DSC2A01T0L -
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 ECAD 6582 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW Mini3-G3-B - ROHS3 준수 1(무제한) 846-DSC2A01T0LTR EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 50mA 1μA NPN 200mV @ 1mA, 10mA 1000 @ 2mA, 10V 150MHz
R6030KNXC7G Rohm Semiconductor R6030KNXC7G 6.6700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6030 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6030KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 30A(타) 10V 130m옴 @ 14.5A, 10V 5V @ 1mA 56nC @ 10V ±20V 2350pF @ 25V - 86W(Tc)
RBQ20T45ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ20T45ANZC9 1.5000
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 ECAD 995 0.00000000 로옴 - 컷테이프(CT) 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RBQ20 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 45V 10A 650mV @ 10A 45V에서 140μA 150°C
RUR020N02TL Rohm Semiconductor RUR020N02TL 0.5300
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RUR020 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 2A(타) 1.5V, 4.5V 105m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V ±10V 10V에서 180pF - 540mW(타)
BZX84C2V7LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V7LYT116 0.4200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±7.41% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 20μA @ 1V 2.7V 100옴
RS1E350GNTB Rohm Semiconductor RS1E350GNTB 2.6800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1E MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 35A(Ta), 80A(Tc) 4.5V, 10V 1.7m옴 @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 68nC @ 10V ±20V 4060pF @ 15V - 3W(타)
RLZTE-1111B Rohm Semiconductor RLZTE-1111B -
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 ECAD 3204 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500 200nA @ 8V 11V 10옴
RB705DFHT146 Rohm Semiconductor RB705DFHT146 0.2028
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 ECAD 2043년 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB705 쇼트키 SMD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍씩 시작됩니다 40V 30mA 370mV @ 1mA 10V에서 1μA 125°C(최대)
RD3P100SNFRATL Rohm Semiconductor RD3P100SNFRATL 1.6300
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 ECAD 617 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3P100 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 10A(타) 4V, 10V 133m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 18nC @ 10V ±20V 25V에서 700pF - 20W(Tc)
1SS400LDTE61 Rohm Semiconductor 1SS400LDTE61 -
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 ECAD 7529 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-1SS400LDTE61TR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000
RB098BM-60TL Rohm Semiconductor RB098BM-60TL 0.9400
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 ECAD 1883년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RB098 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 60V 6A 830mV @ 3A 60V에서 1.5μA 150°C
RB058RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor RB058RSM10STFTL1 1.3000
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN RB058 쇼트키 TO-277A 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 810mV @ 3A 100V에서 1.3μA 175°C 3A -
PTZTE254.3B Rohm Semiconductor PTZTE254.3B 2014년 0월
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 ECAD 7040 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±5% - 표면 실장 DO-214AC, SMA PTZTE254.3 1W PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 1,500 20μA @ 1V 4.6V 15옴
RSX501LAM20TR Rohm Semiconductor RSX501LAM20TR 0.5100
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 ECAD 11 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RSX501 쇼트키 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 390mV @ 3A 20V에서 500μA 150°C(최대) 5A -
RH6R025BHTB1 Rohm Semiconductor RH6R025BHTB1 1.8900
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN RH6R025 MOSFET(금속) 8-HSMT(3.2x3) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 150V 25A(타) 6V, 10V 60m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 16.7nC @ 10V ±20V 75V에서 1010pF - 2W(Ta), 59W(Tc)
SCS230AE2C Rohm Semiconductor SCS230AE2C -
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 ECAD 5565 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 SCS230 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 360 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 650V 15A(DC) 1.55V @ 15A 600V에서 300μA 175°C(최대)
MTZJT-7239C Rohm Semiconductor MTZJT-7239C -
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 ECAD 2990 0.00000000 로옴 MTZ J 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 스루홀 DO-204AG, DO-34, 축방향 MTZJT-72 500mW MSD - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. MTZJT7239C EAR99 8541.10.0050 5,000 200nA @ 30V 39V 85옴
TFZGTR5.1B Rohm Semiconductor TFZGTR5.1B 0.0886
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 ECAD 5337 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - -55°C ~ 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TFZGTR5.1 500mW TUMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.5V에서 5μA 5.1V 20옴
RBE07V20ATE-17 Rohm Semiconductor RBE07V20ATE-17 -
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 ECAD 1970년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-90, SOD-323F 쇼트키 UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 430mV @ 500mA 20V에서 200μA 125°C(최대) 700mA -
SCT4013DEC11 Rohm Semiconductor SCT4013DEC11 37.7600
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247N 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT4013DEC11 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 750V 105A(티제이) 18V 16.9m옴 @ 58A, 18V 4.8V @ 30.8mA 170nC @ 18V +21V, -4V 500V에서 4580pF - 312W
CDZVT2R3.0B Rohm Semiconductor CDZVT2R3.0B 0.2700
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 ECAD 38 0.00000000 로옴 CDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 CDZVT2 100mW VMN2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 50μA @ 1V 3V 120옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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