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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | RAQ045P01MGTCR | 0.1693 | ![]() | 7544 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | * | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | RAQ045 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143EUBHZGTL | 0.2200 | ![]() | 390 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-85 | DTA143 | 200 MW | umt3f | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 MA | - | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZLVTE-1762 | 0.3000 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzlvte | 200 MW | SOD-323FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µa @ 47 v | 62 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R6015KNZC8 | - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | R6015 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 6.5a, 10V | 5V @ 1MA | 27.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1050 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZVTR9.1B | 0.3900 | ![]() | 1293 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | KDZV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123F | KDZVTR9.1 | 1 W. | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µa @ 6 v | 9.65 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTR040N03HZGTL | 0.6800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | RTR040 | MOSFET (금속 (() | TSMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 48mohm @ 4a, 4.5v | 1.5V @ 1mA | 8.3 NC @ 4.5 v | ± 12V | 475 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63377S-VC | 30.6800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 25-powerdip ip (1.327 ", 33.70mm) | IGBT | BM63377 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-BM63377S-VC | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | 3 상 인버터 | 30 a | 600 v | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB095B-30TL | - | ![]() | 2425 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RB095B-30 | Schottky | CPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 3A | 425 mV @ 3 a | 200 µa @ 30 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kdzlvtftr120 | 0.4500 | ![]() | 723 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123F | Kdzlvtftr120 | 1 W. | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 91 v | 120 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA015TEBTL | 0.0351 | ![]() | 7490 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | DTA015 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 250mv @ 250µa, 5mA | 100 @ 5ma, 10V | 250MHz | 100 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2463T100 | 0.8100 | ![]() | 900 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SK2463 | MOSFET (금속 (() | MPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 2A (TA) | 4V, 10V | 380mohm @ 1a, 10V | 2.5V @ 1mA | ± 20V | 200 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ30NS65AFHTL | 1.4300 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | RBQ30 | Schottky | LPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 65 v | 30A | 690 MV @ 15 a | 16.1 ns | 450 µa @ 65 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS400ZTTE61 | - | ![]() | 7744 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-1SSSSS400ZTTE61TR | 쓸모없는 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZTR24B | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | KDZ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123F | KDZTR24 | 1 W. | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 19 v | 25.3 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR20BM40AFHTL | 1.4600 | ![]() | 8151 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RBR20 | Schottky | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 20A | 580 mV @ 10 a | 360 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMA9AT148 | 0.5200 | ![]() | 226 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | FMA9 | 300MW | SMT5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143TUBTL | 0.0366 | ![]() | 5803 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTA143 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB058L-40DDTE25 | 0.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RB058 | Schottky | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 700 mv @ 3 a | 5 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5205pnd3fratl | 2.2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | R5205 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 525 v | 5A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 2.5a, 10V | 4.5V @ 1mA | 10.8 nc @ 10 v | ± 30V | 320 pf @ 25 v | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZTR8.2 | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TDZTR8.2 | 500MW | Tumd2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 4.9 v | 8.2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR533PT100 | 0.6000 | ![]() | 416 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SCR533 | 2 w | MPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 v | 3 a | 1µA (ICBO) | NPN | 350MV @ 50MA, 1A | 180 @ 50MA, 3V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1236TV2Q | - | ![]() | 3148 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | 1 W. | ATV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 120 v | 1.5 a | 1µA (ICBO) | PNP | 2V @ 100MA, 1A | 120 @ 100MA, 5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RR264M-400TR | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SOD-123F | RR264M-400 | 기준 | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 700 ma | 10 µa @ 400 v | 150 ° C (°) | 700ma | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6E030ATTCR | 0.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | RQ6E030 | MOSFET (금속 (() | TSMT6 (SC-95) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 3A (TA) | 91mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 1mA | 5.4 NC @ 10 v | 240 pf @ 15 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1240TV2Q | - | ![]() | 8935 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | 1 W. | ATV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 32 v | 2 a | 1µA (ICBO) | PNP | 800mv @ 200ma, 2a | 120 @ 500ma, 3v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | dta144eetl | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | DTA144 | 150 MW | EMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 30 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tdztr30b | - | ![]() | 9560 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TDZTR30 | 500MW | Tumd2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 21 v | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzste-172.4b | 0.3500 | ![]() | 375 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 120 µa @ 1 v | 2.4 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | umf21ntr | 0.1172 | ![]() | 4972 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMF21 | 150MW | UMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V, 12V | 100ma, 500ma | 500NA | 1 npn 프리 n, 1 pnp | 300mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma | 30 @ 5ma, 5v / 270 @ 10ma, 2v | 250MHz, 260MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB160MM-40TFTR | 0.4600 | ![]() | 742 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | RB160 | Schottky | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 510 mV @ 1 a | 30 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | 1A | - |
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