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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RB521ZS-30T2R Rohm Semiconductor RB521ZS-30T2R -
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ECAD 4110 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 0201(0603미터법) RB521 쇼트키 GMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 370mV @ 10mA 10V에서 7μA 150°C(최대) 100mA -
EDZFJTE616.8B Rohm Semiconductor EDZFJTE616.8B -
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ECAD 3230 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZFJT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZFJTE616.8BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
RE1L002SNTL Rohm Semiconductor RE1L002SNTL 0.4000
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ECAD 52 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 RE1L002 MOSFET(금속) EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 250mA(타) 10V 2.4옴 @ 250mA, 10V 2.3V @ 1mA ±20V 25V에서 15pF - 150mW(타)
RS1G260MNTB Rohm Semiconductor RS1G260MNTB 1.9900
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1G MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 26A(타) 4.5V, 10V 3.3m옴 @ 26A, 10V 2.5V @ 1mA 44nC @ 10V ±20V 2988pF @ 20V - 3W(Ta), 35W(Tc)
SH8M14TB1 Rohm Semiconductor SH8M14TB1 0.6938
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ECAD 7595 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8M14 MOSFET(금속) 2W 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 9A, 7A 21m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 630pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2SAR523MT2L Rohm Semiconductor 2SAR523MT2L 0.3500
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ECAD 17 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 2SAR523 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 300MHz
RS6G120BGTB1 Rohm Semiconductor RS6G120BGTB1 3.5000
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS6G MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RS6G120BGTB1DKR EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 120A(타) 4.5V, 10V 1.34m옴 @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 67nC @ 10V ±20V 20V에서 4240pF - 104W(타)
KDZVTR5.1B Rohm Semiconductor KDZVTR5.1B 0.3800
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ECAD 18 0.00000000 로옴 KDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 150°C 표면 실장 SOD-123F KDZVTR5.1 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 20μA @ 1V 5.4V
RB520ZS-40T2R Rohm Semiconductor RB520ZS-40T2R -
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ECAD 5992 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 0201(0603미터법) RB520 쇼트키 GMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RB520ZS-40T2RTR EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 480mV @ 10mA 40V에서 2μA 150°C 100mA -
DTA023JMT2L Rohm Semiconductor DTA023JMT2L 0.2400
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ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA023 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
RBR15BM40ATL Rohm Semiconductor RBR15BM40ATL 1.5000
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBR15 쇼트키 TO-252 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 40V 7.5A 550mV @ 7.5A 40V에서 240μA 150°C
BAS21HYT116 Rohm Semiconductor BAS21HYT116 0.4000
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ECAD 20 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 바스21 기준 SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 200V 1.25V @ 200mA 50ns 200V에서 100nA 150°C 200mA 2.5pF @ 0V, 1MHz
UMF17NTR Rohm Semiconductor UMF17NTR -
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ECAD 6657 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF17 150mW UMT6 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-UMF17NTR 3,000 50V 100mA, 150mA 500nA, 100nA(ICBO) NPN 1개 - 사전 바이어스됨, PNP 1개 300mV @ 500μA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V 250MHz, 140MHz 2.2k옴 2.2k옴
DTA115TETL Rohm Semiconductor DTA115TETL 0.0678
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ECAD 6537 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA115 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 100μA에서 300mV, 1mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 100kΩ
DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor DTC114YUAT106 0.2600
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ECAD 9 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC114 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 70mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
DAN202UMTL Rohm Semiconductor DAN202UMTL 0.2800
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ECAD 13 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DAN202 기준 UMD3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍씩 시작됩니다 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 70V에서 100nA 150°C(최대)
DTB143ECT216 Rohm Semiconductor DTB143ECT216 0.0854
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ECAD 4520 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB143 SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 500μA(ICBO) - 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V
MTZJT-7733C Rohm Semiconductor MTZJT-7733C -
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ECAD 9092 0.00000000 로옴 MTZ J 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 스루홀 DO-204AG, DO-34, 축방향 500mW MSD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 5,000 200nA @ 25V 33V 65옴
DTC363EUT106 Rohm Semiconductor DTC363EUT106 -
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ECAD 5816 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC363 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 20V 600mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 80mV @ 2.5mA, 50mA 70 @ 50mA, 5V 200MHz 6.8kΩ 6.8kΩ
RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor RQ5H030TNTL 0.6700
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ECAD 13 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RQ5H030 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 45V 3A(타) 2.5V, 4.5V 67m옴 @ 3A, 4.5V 1.5V @ 1mA 6.2nC @ 4.5V ±12V 10V에서 510pF - 700mW(타)
RB160A30T-32 Rohm Semiconductor RB160A30T-32 -
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ECAD 3454 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-41 미니, 축형 RB160 쇼트키 MSR 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 480mV @ 1A 30V에서 50μA 150°C(최대) 1A -
EDZFTE6116B Rohm Semiconductor EDZFTE6116B -
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ECAD 4720 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZFT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZFTE6116BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
TDZTR10 Rohm Semiconductor TDZTR10 0.3900
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ECAD 593 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±10% -55°C ~ 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TDZTR10 500mW TUMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 6V에서 10μA 10V
2SA2088U3T106 Rohm Semiconductor 2SA2088U3T106 0.3800
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ECAD 3988 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA2088 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 500mA 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 10mA, 100mA 120@50mA, 2V 400MHz
EMZ2T2R Rohm Semiconductor EMZ2T2R 0.1084
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ECAD 9358 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMZ2T2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz, 140MHz
RB085B-90TL Rohm Semiconductor RB085B-90TL -
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ECAD 1184 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RB085B-90 쇼트키 CPD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 90V 5A 830mV @ 5A 90V에서 150μA 150°C(최대)
YFZVFHTR2.2B Rohm Semiconductor YFZVFHTR2.2B 0.4300
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ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±4.1% 150°C (TJ) 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 YFZVFHTR2.2 500mW TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 700mV에서 120μA 2.32V 120옴
RBQ30NS100ATL Rohm Semiconductor RBQ30NS100ATL 3.1200
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ECAD 965 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RBQ30 쇼트키 TO-263S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 100V 30A 770mV @ 15A 100V에서 200μA 150°C
UDZVTE-172.7B Rohm Semiconductor UDZVTE-172.7B 0.2700
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ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈베테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100μA @ 1V 2.7V 110옴
DTC043EEBTL Rohm Semiconductor DTC043EEBTL 0.1900
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ECAD 9425 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTC043 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 20 @ 5mA, 10V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고