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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RB751S-409HKTE61 Rohm Semiconductor RB751S-409HKTE61 -
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 ECAD 1794년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 RB751 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RB751S-409HKTE61TR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000
EMB60T2R Rohm Semiconductor EMB60T2R 0.3900
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMB60 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA 2 PNP 사전 바이어스됨(이중) 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 2k옴 47k옴
UDZSTE-1727B Rohm Semiconductor UDZSTE-1727B 0.3500
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 ECAD 45 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±3% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈스테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA @ 21V 27V 150옴
RB205T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB205T-90NZC9 2.6800
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 ECAD 999 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RB205 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RB205T-90NZC9 EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 90V 15A 780mV @ 7.5A 90V에서 300μA 150°C
BZX84B30VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B30VLFHT116 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA @ 21V 30V 80옴
RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor RUR040N02HZGTL 0.8000
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RUR040 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 35m옴 @ 4A, 4.5V 1.3V @ 1mA 8nC @ 4.5V ±10V 10V에서 680pF - 700mW(타)
BM63763S-VC Rohm Semiconductor BM63763S-VC 20.0347
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 ECAD 6247 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.327", 33.70mm) IGBT BM63763 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BM63763S-VC EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 10A 600V 1500Vrms
UMT2222AT106 Rohm Semiconductor UMT2222AT106 0.3800
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 UMT2222 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor 2SCR502U3T106 0.4200
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 ECAD 70 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SCR502 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 200nA(ICBO) NPN 300mV @ 10mA, 200mA 200 @ 100mA, 2V 360MHz
DTA143XUAT106 Rohm Semiconductor DTA143XUAT106 0.0536
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 ECAD 4579 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA143 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
DTA114YMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA114YMFHAT2L 0.2600
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA114 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
RK7002T116 Rohm Semiconductor RK7002T116 -
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 ECAD 7171 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RK7002 MOSFET(금속) SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 115mA(타) 5V, 10V 7.5옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 1mA ±20V 25V에서 50pF - 225mW(타)
RB085BM-90TL Rohm Semiconductor RB085BM-90TL 1.8700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RB085 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 90V 5A 830mV @ 5A 90V에서 150μA 150°C(최대)
RB160VAM-40TR Rohm Semiconductor RB160VAM-40TR 0.4300
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RB160 쇼트키 TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 550mV @ 700mA 40V에서 50μA 150°C(최대) 1A -
RW1A025APT2CR Rohm Semiconductor RW1A025APT2CR -
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 ECAD 4370 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RW1A025 MOSFET(금속) 6-WEMT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 12V 2.5A(타) 1.5V, 4.5V 62m옴 @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1mA 16nC @ 4.5V -8V 2000pF @ 6V - 400mW(타)
RCD060N25TL Rohm Semiconductor RCD060N25TL 0.6045
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 ECAD 4666 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RCD060 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 250V 6A(TC) 10V 530m옴 @ 3A, 10V 5V @ 1mA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 840pF - 850mW(Ta), 20W(Tc)
RB706UM-40FHTL Rohm Semiconductor RB706UM-40FHTL 0.3900
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 ECAD 7766 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-85 RB706 쇼트키 UMD3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 직렬 연결 40V 30mA 370mV @ 1mA 30V에서 1μA 125°C(최대)
2SCR567F3TR Rohm Semiconductor 2SCR567F3TR 1.2100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-UDFN 옆패드 1W HUML2020L3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 120V 2.5A 1μA(ICBO) NPN 200mV @ 80mA, 800mA 120 @ 100mA, 5V 220MHz
2SAR554PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR554PFRAT100 0.4200
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR554 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 80V 1.5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 25mA, 500mA 120 @ 100mA, 3V 340MHz
R6035KNZ1C9 Rohm Semiconductor R6035KNZ1C9 -
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 ECAD 6824 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 R6035 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 35A(Tc) 10V 102m옴 @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72nC @ 10V ±20V 3000pF @ 25V - 379W(Tc)
PDZVTR4.7B Rohm Semiconductor PDZVTR4.7B 0.4500
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 PDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5.05% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 PDZVTR4.7 1W PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 20μA @ 1V 4.95V 10옴
RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor RQ6E040XNTCR 0.5700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RQ6E040 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 4A(타) 4V, 10V 50m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 3.3nC @ 5V ±20V 10V에서 180pF - 950mW(타)
SP8M8TB Rohm Semiconductor SP8M8TB -
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 ECAD 7833 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8M8 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 6A, 4.5A 30m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 7.2nC @ 5V 520pF @ 10V 게임 레벨 레벨
EMA2T2R Rohm Semiconductor EMA2T2R 0.1084
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 ECAD 6248 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 EMA2T2 150mW EMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
RB168MM-60TR Rohm Semiconductor RB168MM-60TR 0.4800
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RB168 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 680mV @ 1A 60V에서 1.5μA 150°C(최대) 1A -
DTC143TETL Rohm Semiconductor DTC143TETL 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC143 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
RSR020P03TL Rohm Semiconductor RSR020P03TL 0.2284
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 ECAD 4358 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - 표면 실장 SC-96 RSR020 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 2A(타) 4V, 10V 120m옴 @ 2A, 10V - 4.3nC @ 5V ±20V 10V에서 370pF - 1W(타)
DTC024XMT2L Rohm Semiconductor DTC024XMT2L 0.3000
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC024 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 50mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 22kΩ 47kΩ
US6T9TR Rohm Semiconductor US6T9TR 0.2300
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 ECAD 2253 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 US6T9 400mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 350mV @ 25mA, 500mA 270 @ 100mA, 2V 320MHz
2SD2212T100 Rohm Semiconductor 2SD2212T100 0.3239
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 ECAD 3894 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SD2212 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 2A 1μA(ICBO) NPN-달링턴 1.5V @ 1mA, 1A 1000 @ 1A, 2V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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