SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BAV99GT116 Rohm Semiconductor BAV99GT116 -
RFQ
ECAD 6765 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 SSD3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BAV99GT116TR 쓸모없는 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 75 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C (°)
DTC144VCAT116 Rohm Semiconductor DTC144VCAT116 0.3500
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC144 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
MTZJT-7227C Rohm Semiconductor MTZJT-7227C -
RFQ
ECAD 6217 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT7227C 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 21 v 27 v 45 옴
R6524ENZC8 Rohm Semiconductor R6524ENZC8 -
RFQ
ECAD 1704 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6524 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6524ENZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 185mohm @ 11.3a, 10V 4V @ 750µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 74W (TC)
UDZWTE-172.4B Rohm Semiconductor udzwte-172.4b -
RFQ
ECAD 6274 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
RBR2LAM60BTFTR Rohm Semiconductor rbr2lam60btftr 0.4400
RFQ
ECAD 288 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rbr2lam60 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 150 µa @ 60 v 150 ° C (°) 2A -
RB495DT146 Rohm Semiconductor RB495DT146 0.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB495 Schottky smd3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 25 v 200ma 500 mV @ 200 mA 70 µa @ 25 v 125 ° C (°)
RB088BGE-40TL Rohm Semiconductor RB088BGE-40TL 1.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB088 Schottky TO-252GE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 5a 770 mv @ 5 a 3 µa @ 40 v 150 ° C
SCS210AJTLL Rohm Semiconductor scs210ajtll 5.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SCS210 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 10 a 0 ns 200 µa @ 600 v 175 ° C (°) 10A 365pf @ 1v, 1MHz
RB420S-30TE61 Rohm Semiconductor RB420S-30TE61 -
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB420S-30TE61TR 쓸모없는 3,000
RB520S-309HLTE61 Rohm Semiconductor RB520S-309HLTE61 -
RFQ
ECAD 3101 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB520 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB520S-309HLTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
BCW31T116 Rohm Semiconductor BCW31T116 -
RFQ
ECAD 7519 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW31 SST3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 태국 귀 99 8541.21.0095 3,000 32 v 100 MA - NPN - 110 @ 2MA, 5V -
RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor RF4L070BGTCR 1.0900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn RF4L070 MOSFET (금속 (() DFN2020-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7A (TA) 4.5V, 10V 27mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 7.6 NC @ 10 v ± 20V 460 pf @ 30 v - 2W (TA)
RB520S-30FSTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30FSTE61 -
RFQ
ECAD 7772 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB520 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB520S-30FSTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
SH8K41GZETB Rohm Semiconductor SH8K41GZETB 0.9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8K41 MOSFET (금속 (() 1.4W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 80V 3.4a 130mohm @ 3.4a, 10V 2.5V @ 1mA 6.6NC @ 5V 600pf @ 10V 논리 논리 게이트
VT6X11T2R Rohm Semiconductor vt6x11t2r 0.1117
RFQ
ECAD 4234 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 vt6x11 150MW VMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 20V 200ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 2v 400MHz
R6024ENXC7G Rohm Semiconductor R6024ENXC7G 5.5800
RFQ
ECAD 980 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6024 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6024ENXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TA) 10V 165mohm @ 11.3a, 10V 4V @ 1MA 70 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 74W (TC)
RBR1L60ATE25 Rohm Semiconductor RBR1L60ATE25 0.2049
RFQ
ECAD 9074 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RBR1L60 Schottky PMD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 530 mv @ 1 a 75 µa @ 60 v 150 ° C 1A -
2SC5060TV2M Rohm Semiconductor 2SC5060TV2M -
RFQ
ECAD 7452 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 90 v 1 a 10µA (ICBO) npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 500ma 1000 @ 500ma, 3v 80MHz
BAS16T116 Rohm Semiconductor BAS16T116 -
RFQ
ECAD 9143 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 SSD3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BAS16T116TR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C 100ma 3.5pf @ 6V, 1MHz
R6030KNZ1C9 Rohm Semiconductor R6030KNZ1C9 -
RFQ
ECAD 9483 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6030 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 130mohm @ 14.5a, 10V 5V @ 1MA 56 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 25 v - 305W (TC)
RGW80TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65GC11 5.4600
RFQ
ECAD 152 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW80 기준 214 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 78 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 760µJ (on), 720µJ (OFF) 110 NC 44ns/143ns
RB095B-60TL Rohm Semiconductor RB095B-60TL -
RFQ
ECAD 3009 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB095B-60 Schottky CPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 3A 580 mV @ 3 a 300 µa @ 60 v 150 ° C (°)
RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor RBQ20BGE65ATL 2.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBQ20 Schottky TO-252GE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 65 v 20A 630 mv @ 10 a 200 µa @ 65 v 150 ° C
QS8J11TCR Rohm Semiconductor QS8J11TCR 0.2327
RFQ
ECAD 8818 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8J11 MOSFET (금속 (() 550MW TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 3.5a 43mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 1mA 22NC @ 4.5V 2600pf @ 6v 논리 논리 게이트, 1.5V 드라이브
RS1E220ATTB1 Rohm Semiconductor RS1E220ATTB1 2.7700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 22A (TA), 76A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 22a, 10V 2.5V @ 2MA 130 NC @ 10 v ± 20V 5850 pf @ 15 v - 3W (TA)
RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor RD3G07BATTL1 2.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3G07 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 70A (TA) 4.5V, 10V 7.1MOHM @ 70A, 10V 2.5V @ 1mA 105 NC @ 10 v ± 20V 5550 pf @ 20 v - 101W (TA)
DTA143TU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA143TU3HZGT106 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA143 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
2SD1733TLR Rohm Semiconductor 2SD1733TLR -
RFQ
ECAD 5727 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1733 10 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 20ma, 500ma 180 @ 500ma, 3v 100MHz
BZX84B15VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B15VLYFHT116 0.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10 v 15 v 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고