전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAV99GT116 | - | ![]() | 6765 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | bav99 | 기준 | SSD3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-BAV99GT116TR | 쓸모없는 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 연결 연결 시리즈 | 75 v | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144VCAT116 | 0.3500 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC144 | 200 MW | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 33 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 Kohms | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7227C | - | ![]() | 6217 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | MTZJT-72 | 500MW | MSD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MTZJT7227C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 21 v | 27 v | 45 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R6524ENZC8 | - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | R6524 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 846-R6524ENZC8 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10V | 4V @ 750µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 1650 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | udzwte-172.4b | - | ![]() | 6274 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | UMD2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rbr2lam60btftr | 0.4400 | ![]() | 288 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | rbr2lam60 | Schottky | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 150 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB495DT146 | 0.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RB495 | Schottky | smd3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 25 v | 200ma | 500 mV @ 200 mA | 70 µa @ 25 v | 125 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088BGE-40TL | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RB088 | Schottky | TO-252GE | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 5a | 770 mv @ 5 a | 3 µa @ 40 v | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | scs210ajtll | 5.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SCS210 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.55 V @ 10 a | 0 ns | 200 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 10A | 365pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB420S-30TE61 | - | ![]() | 1982 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RB420S-30TE61TR | 쓸모없는 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-309HLTE61 | - | ![]() | 3101 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | RB520 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RB520S-309HLTE61TR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW31T116 | - | ![]() | 7519 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW31 | SST3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 태국 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 32 v | 100 MA | - | NPN | - | 110 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF4L070BGTCR | 1.0900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerudfn | RF4L070 | MOSFET (금속 (() | DFN2020-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 7A (TA) | 4.5V, 10V | 27mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 1mA | 7.6 NC @ 10 v | ± 20V | 460 pf @ 30 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-30FSTE61 | - | ![]() | 7772 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | RB520 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RB520S-30FSTE61TR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8K41GZETB | 0.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SH8K41 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 80V | 3.4a | 130mohm @ 3.4a, 10V | 2.5V @ 1mA | 6.6NC @ 5V | 600pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vt6x11t2r | 0.1117 | ![]() | 4234 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | vt6x11 | 150MW | VMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 20V | 200ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 10ma, 100ma | 120 @ 1ma, 2v | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6024ENXC7G | 5.5800 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | R6024 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-R6024ENXC7G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 24A (TA) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10V | 4V @ 1MA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 1650 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR1L60ATE25 | 0.2049 | ![]() | 9074 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RBR1L60 | Schottky | PMD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 530 mv @ 1 a | 75 µa @ 60 v | 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5060TV2M | - | ![]() | 7452 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | 1 W. | ATV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 90 v | 1 a | 10µA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.5v @ 1ma, 500ma | 1000 @ 500ma, 3v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16T116 | - | ![]() | 9143 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | 기준 | SSD3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-BAS16T116TR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 80 v | 1.2 v @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 70 v | 150 ° C | 100ma | 3.5pf @ 6V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6030KNZ1C9 | - | ![]() | 9483 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | R6030 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 30A (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10V | 5V @ 1MA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 2350 pf @ 25 v | - | 305W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TS65GC11 | 5.4600 | ![]() | 152 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | RGW80 | 기준 | 214 w | TO-247N | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 78 a | 160 a | 1.9V @ 15V, 40A | 760µJ (on), 720µJ (OFF) | 110 NC | 44ns/143ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB095B-60TL | - | ![]() | 3009 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RB095B-60 | Schottky | CPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 3A | 580 mV @ 3 a | 300 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ20BGE65ATL | 2.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RBQ20 | Schottky | TO-252GE | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 65 v | 20A | 630 mv @ 10 a | 200 µa @ 65 v | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8J11TCR | 0.2327 | ![]() | 8818 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | QS8J11 | MOSFET (금속 (() | 550MW | TSMT8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 3.5a | 43mohm @ 3.5a, 4.5v | 1V @ 1mA | 22NC @ 4.5V | 2600pf @ 6v | 논리 논리 게이트, 1.5V 드라이브 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E220ATTB1 | 2.7700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | RS1E | MOSFET (금속 (() | 8 시간 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 22A (TA), 76A (TC) | 4.5V, 10V | 4.1mohm @ 22a, 10V | 2.5V @ 2MA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 5850 pf @ 15 v | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3G07BATTL1 | 2.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RD3G07 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 70A (TA) | 4.5V, 10V | 7.1MOHM @ 70A, 10V | 2.5V @ 1mA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 5550 pf @ 20 v | - | 101W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143TU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTA143 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1733TLR | - | ![]() | 5727 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 2SD1733 | 10 W. | CPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 80 v | 1 a | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 20ma, 500ma | 180 @ 500ma, 3v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B15VLYFHT116 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 10 v | 15 v | 30 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고