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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
EDZGJTE615.6B Rohm Semiconductor EDZGJTE615.6B -
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 ECAD 4664 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZGJT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZGJTE615.6BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
RF601T2D Rohm Semiconductor RF601T2D 0.4951
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 ECAD 8592 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 스루홀 TO-220-3 풀팩 RF601 기준 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RF601T2D EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 200V 3A 930mV @ 3A 25ns 200V에서 10μA 150°C(최대)
SCT3022KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3022KLGC11 52.3500
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 ECAD 260 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT3022 SiCFET(탄화규소) TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 95A(Tc) 18V 28.6m옴 @ 36A, 18V 5.6V @ 18.2mA 178nC @ 10V +22V, -4V 800V에서 2879pF - 427W
SH8M13GZETB Rohm Semiconductor SH8M13GZETB 0.4645
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 ECAD 8959 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8M13 - 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 6A, 7A 29m옴 @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 18nC @ 5V 1200pF @ 10V -
SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor SCT3060ALHRC11 25.3100
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 ECAD 282 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT3060 SiCFET(탄화규소) TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 39A(Tc) 18V 78m옴 @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58nC @ 18V +22V, -4V 500V에서 852pF - 165W
PTZTE2533A Rohm Semiconductor PTZTE2533A 2014년 0월
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 ECAD 8028 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±6% - 표면 실장 DO-214AC, SMA PTZTE2533 1W PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 1,500 25V에서 10μA 33V 18옴
RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor RF4L040ATTCR 0.9100
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN RF4L040 MOSFET(금속) HUML2020L8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 4A(타) 4.5V, 10V 89m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 17.3nC @ 10V ±20V 30V에서 850pF - 2W(타)
SCS212AJTLL Rohm Semiconductor SCS212AJTLL 3.3660
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 ECAD 2598 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SCS212 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-263AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.55V @ 12A 0ns 600V에서 240μA 175°C(최대) 12A -
RSX101MM-30TFTR Rohm Semiconductor RSX101MM-30TFTR 0.4500
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 ECAD 26 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RSX101 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 390mV @ 1A 30V에서 200μA 150°C(최대) 1A -
1SS400CST2RA Rohm Semiconductor 1SS400CST2RA 0.4800
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOD-923 1SS400 기준 VMN2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 80V 1.2V @ 100mA 4ns 80V에서 100nA 150°C(최대) 100mA 3pF @ 0.5V, 1MHz
DTD513ZMT2L Rohm Semiconductor DTD513ZMT2L 0.0955
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 ECAD 4729 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTD513 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 1kΩ 10kΩ
DTC124XUAT106 Rohm Semiconductor DTC124XUAT106 0.3000
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 ECAD 35 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC124 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 50mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
KDZTR11B Rohm Semiconductor KDZTR11B 0.5200
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 KDZ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±6% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123F KDZTR11 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 8V에서 10μA 11.5V
RB531SM-40T2R Rohm Semiconductor RB531SM-40T2R 0.3900
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 RB531 쇼트키 EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 610mV @ 100mA 40V에서 100μA 125°C 100mA -
2SC4617EBTLQ Rohm Semiconductor 2SC4617EBTLQ 0.2600
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 2SC4617 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
RSS065N06FRATB Rohm Semiconductor RSS065N06FRATB -
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 ECAD 7929 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS065 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 6.5A(타) 4V, 10V 37m옴 @ 6.5A, 10V 2.5V @ 1mA 16nC @ 5V ±20V 10V에서 900pF - 2W(타)
DTC015TEBTL Rohm Semiconductor DTC015TEBTL 0.1900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTC015 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 100 @ 5mA, 10V 250MHz 100kΩ
RB085T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB085T-60NZC9 2.0200
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 ECAD 980 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RB085 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RB085T-60NZC9 EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 60V 10A 580mV @ 5A 60V에서 300μA 150°C
RB521SM-60T2R Rohm Semiconductor RB521SM-60T2R 0.2600
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 ECAD 108 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 RB521 쇼트키 EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 60V 600mV @ 200mA 60V에서 100μA 125°C(최대) 200mA -
RD3R05BBHTL1 Rohm Semiconductor RD3R05BBHTL1 3.1000
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 ECAD 8073 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3R05 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 150V 50A(타) 6V, 10V 29m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 37nC @ 10V ±20V 75V에서 2150pF - 89W(타)
RGWS60TS65GC13 Rohm Semiconductor RGWS60TS65GC13 4.9800
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 ECAD 3173 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGWS60 기준 156W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGWS60TS65GC13 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 51A 90A 2V @ 15V, 30A 500μJ(켜짐), 450μJ(꺼짐) 58nC 32ns/91ns
RRH100P03TB1 Rohm Semiconductor RRH100P03TB1 0.7669
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 ECAD 3569 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RRH100 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,500 P채널 30V 10A(타) 4V, 10V 12.6m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 39nC @ 5V ±20V 10V에서 3600pF - 650mW(타)
BM64378S-VA Rohm Semiconductor BM64378S-VA 30.6800
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 ECAD 18 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.134", 28.80mm) IGBT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BM64378S-VA EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 35A 600V 1500Vrms
R6507KNJTL Rohm Semiconductor R6507KNJTL 3.1400
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 ECAD 80 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6507 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 650V 7A(TC) 10V 665m옴 @ 2.4A, 10V 200μA에서 5V 14.5nC @ 10V ±20V 470pF @ 25V - 78W(Tc)
UDZWTE-1716B Rohm Semiconductor UDZWTE-1716B -
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 ECAD 3585 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-90, SOD-323F UMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 3,000
SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor SP8K41HZGTB 2.0600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8K41 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SP8K41HZGTBTR EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 80V 3.4A(타) 130m옴 @ 3.4A, 10V 2.5V @ 1mA 6.6nC @ 5V 600pF @ 10V -
RB088T150NZC9 Rohm Semiconductor RB088T150NZC9 1.6000
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 ECAD 500 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RB088 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 150V 10A 880mV @ 5A 150V에서 15μA 150°C
RB480YFHT2R Rohm Semiconductor RB480YFHT2R -
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 ECAD 9831 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75-4, SOT-543 쇼트키 EMD4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RB480YFHT2RTR 더 이상 사용하지 않는 경우 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2개의 면 30V 100mA 530mV @ 100mA 10V에서 1μA 125°C(최대)
DTA114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA114EU3HZGT106 0.3800
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA114 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RGT50NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT50NS65DGC9 3.9600
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 ECAD 953 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA RGT50 기준 194W TO-262 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 400V, 25A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 650V 48A 75A 2.1V @ 15V, 25A - 49nC 27ns/88ns
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    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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