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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재 - 최대 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
BM63574S-VC Rohm Semiconductor BM63574S-VC 24.6300
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 ECAD 60 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.327", 33.70mm) IGBT BM63574 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BM63574S-VC EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 15A 600V 1500Vrms
2SK2504TL Rohm Semiconductor 2SK2504TL -
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 ECAD 4485 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK2504 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 5A(타) 4V, 10V 220m옴 @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA ±20V 10V에서 520pF - 20W(Tc)
RB461FT106 Rohm Semiconductor RB461FT106 0.5000
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RB461 쇼트키 UMD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 490mV @ 700mA 20V에서 200μA 125°C(최대) 700mA -
RBQ20NS45ATL Rohm Semiconductor RBQ20NS45ATL 1.4000
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 ECAD 889 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RBQ20 쇼트키 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 45V 20A 650mV @ 10A 45V에서 140μA 150°C(최대)
EDZLDTE615.1B Rohm Semiconductor EDZLDTE615.1B -
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 ECAD 8260 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZLDT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZLDTE615.1BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
RSX101MM-30TR Rohm Semiconductor RSX101MM-30TR 0.4400
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 ECAD 36 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RSX101 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 390mV @ 1A 40V에서 200μA 150°C(최대) 1A -
RB160QS-40T18R Rohm Semiconductor RB160QS-40T18R 0.4400
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 ECAD 68 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 무연 RB160 쇼트키 SMD1006 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 18,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 650mV @ 1.5A 40V에서 20μA 150°C 1.5A -
TDZTR30 Rohm Semiconductor TDZTR30 0.3800
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±10% -55°C ~ 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TDZTR30 500mW TUMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 21V에서 10μA 30V
DTB743XMT2L Rohm Semiconductor DTB743XMT2L 0.1134
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 ECAD 4339 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-723 DTB743 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 30V 200mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 4.7kΩ 10kΩ
UDZWTE-172.2B Rohm Semiconductor UDZWTE-172.2B -
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 ECAD 6649 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-90, SOD-323F UMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 3,000
RFV8BM6SFHTL Rohm Semiconductor RFV8BM6SFHTL 1.4300
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RFV8BM6 기준 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 2.8V @ 8A 45ns 600V에서 10μA 150°C(최대) 8A -
RN141STE61 Rohm Semiconductor RN141STE61 0.4100
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 ECAD 968 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) SC-79, SOD-523 RN141 EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 100mA 0.8pF @ 1V, 1MHz 핀 - 인디 50V 2옴 @ 3mA, 100MHz
RB531VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB531VM-30TE-17 0.3400
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-90, SOD-323F RB531 쇼트키 UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 490mV @ 100mA 30V에서 45μA 125°C(최대) 100mA -
R6530KNX3C16 Rohm Semiconductor R6530KNX3C16 6.3600
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 R6530 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6530KNX3C16 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 30A(Tc) 10V 140m옴 @ 14.5A, 10V 5V @ 960μA 56nC @ 10V ±20V 2350pF @ 25V - 307W(Tc)
BM63767S-VA Rohm Semiconductor BM63767S-VA 28.2300
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 ECAD 3490 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.134", 28.80mm) IGBT BM63767 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 30A 600V 1500Vrms
R6020ANZFL1C8 Rohm Semiconductor R6020ANZFL1C8 -
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 ECAD 4337 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6020 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 846-R6020ANZFL1C8 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 20A(타) 10V 220m옴 @ 10A, 10V 4.15V @ 1mA 65nC @ 10V ±30V 2040pF @ 25V - 120W(Tc)
BZX84B15VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B15VLT116 0.2600
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 ECAD 420 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA @ 10V 15V 30옴
UDZWTE-1711B Rohm Semiconductor UDZWTE-1711B -
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 ECAD 5727 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-90, SOD-323F UMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 3,000
YFZVFHTR2.7B Rohm Semiconductor YFZVFHTR2.7B 0.4300
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±3.93% 150°C (TJ) 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 YFZVFHTR2.7 500mW TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100μA @ 1V 2.8V 100옴
RBQ30NS65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ30NS65AFHTL 1.4300
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 ECAD 36 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RBQ30 쇼트키 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 65V 30A 690mV @ 15A 16.1ns 65V에서 450μA 150°C(최대)
DAP202CT116 Rohm Semiconductor DAP202CT116 -
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 ECAD 1944년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-DAP202CT116TR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000
R6524ENXC7G Rohm Semiconductor R6524ENXC7G 5.5800
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6524 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6524ENXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 24A(타) 10V 185m옴 @ 11.3A, 10V 4V @ 750μA 70nC @ 10V ±20V 25V에서 1650pF - 74W(Tc)
DTA143ESATP Rohm Semiconductor DTA143ESATP -
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 ECAD 3238 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 SC-72 수정했어요 DTA143 300mW SPT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RF201L2SDDTE25 Rohm Semiconductor RF201L2SDDTE25 0.8700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA RF201 기준 PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 870mV @ 2A 25ns 200V에서 10μA 150°C 2A -
QH8JB5TCR Rohm Semiconductor QH8JB5TCR 1.2600
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 ECAD 662 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QH8JB5 MOSFET(금속) 1.1W(타) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 40V 5A(타) 41m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 17.2nC @ 10V 920pF @ 20V -
ZDX130N50 Rohm Semiconductor ZDX130N50 1.6372
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 ECAD 9797 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 ZDX130 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. ZDX130N50CT-ND EAR99 8541.29.0095 500 N채널 500V 13A(티씨) 10V 520m옴 @ 6.5A, 10V 4.5V @ 1mA 40nC @ 10V ±30V 2180pF @ 25V - 40W(Tc)
BAT54CHYFHT116 Rohm Semiconductor BAT54CHYFHT116 0.5000
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 쇼트키 SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍의 세션이 시작됩니다 30V 200mA(DC) 800mV @ 100mA 50ns 25V에서 2μA 150°C
EDZVT2R15B Rohm Semiconductor EDZVT2R15B 0.3000
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 ECAD 47 0.00000000 로옴 EDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150mW EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 11V 15V 42옴
RP1E090XNTCR Rohm Semiconductor RP1E090XNTCR -
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 ECAD 8243 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RP1E090 MOSFET(금속) MPT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 30V 9A(타) 4V, 10V 17m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 6.8nC @ 5V ±20V 10V에서 440pF - 2W(타)
CDZVT2R18B Rohm Semiconductor CDZVT2R18B 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 CDZVT2 100mW VMN2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 13V 18V 65옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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