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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RSS065N06HZGTB Rohm Semiconductor RSS065N06HZGTB 1.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS065 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6.5A (TA) 4V, 10V 37mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1mA 16 nc @ 5 v ± 20V 900 pf @ 10 v - 2W (TA)
RBR2MM40ATR Rohm Semiconductor rbr2mm40atr 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR2MM40 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 620 MV @ 2 a 50 µa @ 40 v 150 ° C (°) 2A -
2SAR340PT100P Rohm Semiconductor 2SAR340PT100P 0.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR340 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 400 v 100 MA 10µA (ICBO) PNP 400mv @ 2ma, 20ma 82 @ 10ma, 10V -
RS1G180MNTB Rohm Semiconductor RS1G180MNTB 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn Rs1g MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 18A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 1mA 19.5 nc @ 10 v ± 20V 1293 pf @ 20 v - 3W (TA), 30W (TC)
DTC144EU3T106 Rohm Semiconductor DTC144EU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC144 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
RB060MM-40TR Rohm Semiconductor RB060MM-40TR 0.5800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB060 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 560 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v 150 ° C (°) 2A -
RRE07VTM4SFHTR Rohm Semiconductor RRE07VTM4SFHTR 0.4000
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RRE07 기준 tumd2sm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 700 ma 1 µa @ 400 v 150 ° C (°) 700ma -
MTZJT-7739C Rohm Semiconductor MTZJT-7739C -
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 30 v 39 v 85 옴
DB2430100L Rohm Semiconductor DB2430100L -
RFQ
 ECAD 6680 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-DB2430100LTR 귀 99 8541.10.0080 3,000
2SD2703TL Rohm Semiconductor 2SD2703TL 0.6200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 2SD2703 800MW tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
2SCR514RTL Rohm Semiconductor 2SCR514RTL 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SCR514 1 W. TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 80 v 700 MA 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 15ma, 300ma 120 @ 100MA, 3V 320MHz
BZX84C2V7LT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V7LT116 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 7.41% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
EMH9FHAT2R Rohm Semiconductor emh9fhat2r 0.3500
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMH9FHAT2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 - 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
YDZVFHTR9.1 Rohm Semiconductor ydzvfhtr9.1 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 9.89% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr9.1 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 5.5 v 9.1 v
DTC123JCAT116 Rohm Semiconductor DTC123JCAT116 0.2800
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
RBLQ2MM10TFTR Rohm Semiconductor RBLQ2MM10TFTR 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBLQ2 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 2 a 10 µa @ 100 v 175 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
EMX51T2R Rohm Semiconductor EMX51T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 4347 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMX51 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 20V 200ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 2v 400MHz
BZX84C5V6LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V6LYFHT116 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.14% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
DTC614TUT106 Rohm Semiconductor DTC614TUT106 0.3800
RFQ
 ECAD 299 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC614 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 600 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 2.5ma, 50ma 820 @ 50MA, 5V 150MHz 10 KOHMS
MTZJT-7236B Rohm Semiconductor MTZJT-7236B -
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT7236B 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 27 v 36 v 75 옴
2SCRC41CHZGT116S Rohm Semiconductor 2SCRC41CHZGT116S 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SCRC41 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
2SD1857ATV2P Rohm Semiconductor 2SD1857ATV2P -
RFQ
 ECAD 6693 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 2SD1857 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 160 v 1.5 a 1µA (ICBO) NPN 2V @ 100MA, 1A 82 @ 100MA, 5V 80MHz
2SA2088T106Q Rohm Semiconductor 2SA2088T106Q 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA2088 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 120 @ 50MA, 2V 400MHz
UMF22NTR Rohm Semiconductor UMF22ntr -
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF22 150MW UMT6 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-UMF22NTR 3,000 12V, 50V 500ma, 100ma 100NA (ICBO), 500NA 1 npn 사전 n, 1 npn 250mv @ 10ma, 200ma / 300mv @ 500µa, 10ma 270 @ 10ma, 2V / 30 @ 5MA, 5V 250MHz, 320MHz 10kohms 10kohms
DTD143ECT216 Rohm Semiconductor DTD143ECT216 0.4300
RFQ
 ECAD 921 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 47 @ 50MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
QSX1TR Rohm Semiconductor qsx1tr 0.2767
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QSX1 1.25 w TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 12 v 6 a 100NA (ICBO) NPN 200MV @ 60MA, 3A 270 @ 500ma, 2V 250MHz
RQ5C025TPTL Rohm Semiconductor RQ5C025TPTL 0.6300
RFQ
 ECAD 5947 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5C025 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 95mohm @ 2.5a, 4.5v 2V @ 1mA 7 NC @ 4.5 v ± 12V 630 pf @ 10 v - 700MW (TA)
QS8K2TR Rohm Semiconductor qs8k2tr 0.9200
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8K2 MOSFET (금속 (() 1.25W TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 54mohm @ 3.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 4.6NC @ 4.5V 285pf @ 10V 논리 논리 게이트
R6535ENZC17 Rohm Semiconductor R6535ENZC17 7.8500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6535 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6535ENZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 35A (TC) 10V 115mohm @ 18.1a, 10V 4V @ 1.21MA 110 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 102W (TC)
RB450UMFHTL Rohm Semiconductor RB450UMFHTL 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 RB450 Schottky UMD3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 100 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°) 100ma 6pf @ 10V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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