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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RR601BGE4STL Rohm Semiconductor RR601BGE4STL 0.7065
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 ECAD 3802 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 기준 TO-252GE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 400V 1.1V @ 6A 400V에서 10μA 150°C 6A -
RGWX5TS65GC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65GC11 6.7700
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 ECAD 4802 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGWX5TS65 기준 348W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGWX5TS65GC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 132A 300A 1.9V @ 15V, 75A - 213nC 64ns/229ns
RSS095N05FU7TB1 Rohm Semiconductor RSS095N05FU7TB1 -
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 ECAD 6951 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RSS095N05FU7TB1TR 더 이상 사용하지 않는 경우 2,500 -
R6061YNZ4C13 Rohm Semiconductor R6061YNZ4C13 11.1300
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 ECAD 2333 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 R6061 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 1(무제한) 846-R6061YNZ4C13 30 N채널 600V 61A (Tc) 10V, 12V 60m옴 @ 13A, 12V 6V @ 3.5mA 76nC @ 10V ±30V 100V에서 3700pF - 568W(Tc)
2SA2029T2LQ Rohm Semiconductor 2SA2029T2LQ 0.4000
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 ECAD 49 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 2SA2029 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 140MHz
EDZVT2R3.9B Rohm Semiconductor EDZVT2R3.9B 0.2800
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 EDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±3% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150mW EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 1V에서 5μA 3.9V 100옴
FMG9AT248 Rohm Semiconductor FMG9AT248 -
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 ECAD 6436 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-74A, SOT-753 FMG9 300mW SMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
RB540VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB540VM-30TE-17 0.3700
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-90, SOD-323F RB540 쇼트키 UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 450mV @ 10mA 10V에서 500nA 150°C(최대) 200mA -
RB520SM-40T2R Rohm Semiconductor RB520SM-40T2R 0.3700
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 ECAD 92 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 RB520 쇼트키 EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 550mV @ 100mA 40V에서 10μA 150°C(최대) 200mA -
EDZFJTE6120B Rohm Semiconductor EDZFJTE6120B -
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 ECAD 1933년 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZFJT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZFJTE6120BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
RQ6E055BNTCR Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR 0.6500
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RQ6E055 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 5.5A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.6nC @ 10V ±20V 15V에서 355pF - 1.25W(타)
SP8J2FU6TB Rohm Semiconductor SP8J2FU6TB -
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 ECAD 4096 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8J2 MOSFET(금속) 2W 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 30V 4.5A 56m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 850pF @ 10V 게임 레벨 레벨
TFZVTR11B Rohm Semiconductor TFZVTR11B 0.3700
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TFZVTR11 500mW TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 8V 11V 10옴
RCJ331N25TL Rohm Semiconductor RCJ331N25TL 4.3400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ331 MOSFET(금속) TO-263S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 250V 33A(티씨) 10V 105m옴 @ 16.5A, 10V 5V @ 1mA 80nC @ 10V ±30V 25V에서 4500pF - 1.56W(Ta), 211W(Tc)
RB425DFHT146 Rohm Semiconductor RB425DFHT146 0.4600
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB425 쇼트키 SMD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 40V 50mA 550mV @ 100mA 10V에서 30μA 125°C(최대)
UDZSTE-172.7B Rohm Semiconductor UDZSTE-172.7B 0.0687
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 ECAD 4004 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±4% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈스테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100μA @ 1V 2.7V 110옴
UM5K1NTR Rohm Semiconductor UM5K1NTR -
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 ECAD 8604 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UM5K1 MOSFET(금속) 150mW UMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(이중) 둘째 소스 30V 100mA 8옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA - 13pF @ 5V 게임 레벨 레벨
EDZVT2R13B Rohm Semiconductor EDZVT2R13B 0.3100
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 EDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150mW EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 10V 13V 37옴
RSF015N06FRATL Rohm Semiconductor RSF015N06FRATL 0.4200
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RSF015 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 1.5A(타) 4V, 10V 290m옴 @ 1.5A, 10V 2.5V @ 1mA 2nC @ 5V ±20V 110pF @ 10V - 800mW(타)
DTC123JCAT116 Rohm Semiconductor DTC123JCAT116 0.2800
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 ECAD 396 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
RSS125N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS125N03FU6TB -
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 ECAD 9211 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS125 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 12.5A(타) 4V, 10V 8.9m옴 @ 12.5A, 10V 2.5V @ 1mA 28nC @ 5V 20V 10V에서 1670pF - 2W(타)
PTZTE2530A Rohm Semiconductor PTZTE2530A 0.5200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±7% - 표면 실장 DO-214AC, SMA PTZTE2530 1W PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 1,500 23V에서 10μA 30V 18옴
CDZFHT2RA30B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA30B 0.4800
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±2.5% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-923 CDZFHT2 100mW VMN2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 23V 30V 200옴
R6535KNZC8 Rohm Semiconductor R6535KNZC8 -
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 ECAD 4720 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6535 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 846-R6535KNZC8 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 35A(Tc) 10V 115m옴 @ 18.1A, 10V 5V @ 1.21mA 72nC @ 10V ±20V 3000pF @ 25V - 102W(Tc)
RBQ20BM65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ20BM65AFHTL 1.2700
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 ECAD 954 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBQ20 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 65V 20A 630mV @ 10A 65V에서 200μA 150°C(최대)
RBLQ30NL10SFHTL Rohm Semiconductor RBLQ30NL10SFHTL 3.0000
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 ECAD 6935 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RBLQ30 쇼트키 TO-263L - ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 860mV @ 30A 100V에서 150μA 150°C 30A -
2SC4620TV2Q Rohm Semiconductor 2SC4620TV2Q -
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 ECAD 6906 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SC4620 1W ATV - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SC4620TV2QTR 2,500 400V 100mA 10μA(ICBO) PNP 500mV @ 1mA, 10mA 180 @ 2mA, 6V
SCS230AE2HRC Rohm Semiconductor SCS230AE2HRC -
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 ECAD 6104 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 SCS230 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 360 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 650V 15A(DC) 1.55V @ 15A 600V에서 300μA 175°C(최대)
2SD2670TL Rohm Semiconductor 2SD2670TL 0.2202
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 ECAD 7800 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SD2670 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 12V 3A 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 30mA, 1.5A 270@500mA, 2V 360MHz
RHK003N06FRAT146 Rohm Semiconductor RHK003N06FRAT146 0.4800
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RHK003 MOSFET(금속) SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 300mA(타) 4V, 10V 1옴 @ 300mA, 10V 2.5V @ 1mA 6nC @ 10V ±20V 10V에서 33pF - 200mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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