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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | SCT3080KRHRC15 | 15.6500 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | SCT3080 | MOSFET (금속 (() | TO-247-4L | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 846-SCT3080KRHRC15 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 1200 v | 31A (TC) | 18V | 10A, 10A, 18V | 5.6V @ 5MA | 60 nc @ 18 v | +22V, -4V | 785 pf @ 800 v | - | 165W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdzfht2ra4.7b | 0.4100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101, CDZFH | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 2.15% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-923 | cdzfht2 | 100MW | VMN2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2 µa @ 1 v | 4.65 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS5130AHZGT116 | 0.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS5130 | 200 MW | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 380mv @ 25ma, 500ma | 270 @ 100MA, 2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF103L2STE25 | 0.4900 | ![]() | 83 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RF103 | 기준 | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 920 MV @ 1 a | 20 ns | 10 µa @ 200 v | 150 ° C (°) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124ECAHZGT116 | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC124 | 350 MW | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 MA | - | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 56 @ 5MA, 5V | 250MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EUAT106 | 0.2600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTA114 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 50 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH50TS65DGC11 | 4.0100 | ![]() | 188 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | RGTH50 | 기준 | 174 w | TO-247N | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 10ohm, 15V | 58 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 50 a | 100 a | 2.1V @ 15V, 25A | - | 49 NC | 27ns/94ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8K37GZETB | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SH8K37 | MOSFET (금속 (() | 1.4W (TA) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 5.5A (TA) | 46MOHM @ 5.5A, 10V | 2.7V @ 100µA | 9.7NC @ 10V | 500pf @ 30V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RUP1301ZST2R | - | ![]() | 6283 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-rup1301zst2rtr | 쓸모없는 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB143TKT146 | 0.1312 | ![]() | 8849 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTB143 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 500 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 5V | 200MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMW2T148 | - | ![]() | 1759 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | FMW2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ut6me5tcr | 0.6500 | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerudfn | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | HUML2020L8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3,000 | n 및 p 채널 | 100V | 2A (TA), 1A (TA) | 207mohm @ 2a, 10v, 840mohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 1mA | 2.8nc @ 10v, 6.7nc @ 10v | 90pf @ 50V | 기준 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3H080SPFRATL | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RD3H080 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 45 v | 8A (TA) | 4V, 10V | 91mohm @ 8a, 10V | 3V @ 1mA | 9 NC @ 5 v | ± 20V | 1000 pf @ 10 v | - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB225T-60 | 1.7800 | ![]() | 435 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RB225 | Schottky | TO-220FN | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | RB225T60 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 630 mv @ 15 a | 600 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6530KNZ4C13 | 6.8600 | ![]() | 441 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | R6530 | MOSFET (금속 (() | TO-247G | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-R6530KNZ4C13 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10V | 5V @ 960µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 2350 pf @ 25 v | - | 305W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB095BM-40FHTL | 0.9500 | ![]() | 575 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RB095 | Schottky | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 6A | 550 mV @ 3 a | 11.4 ns | 100 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | edz9hute6115b | - | ![]() | 9445 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | edz9hut | 100MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-edz9hute6115btr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RUP1301UMTL | - | ![]() | 4606 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | RUP1301 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-rup1301umtltr | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS133T-77 | - | ![]() | 8234 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | 1SS133 | 기준 | MSD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 80 v | 1.2 v @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 v | 175 ° C (°) | 130ma | 2pf @ 0.5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS138BKAHZGT116 | 0.5100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 400MA (TA) | 2.5V, 10V | 680mohm @ 400ma, 10V | 2V @ 10µA | ± 20V | 47 pf @ 30 v | - | 350MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3RSM40BTFTL1 | 1.2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | Schottky | TO-277A | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 470 mV @ 3 a | 120 µa @ 40 v | 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vt6z1t2r | 0.5000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD | vt6z1 | 150MW | VMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 20V | 200ma | 100µA (ICBO) | NPN, PNP | 300mv @ 10ma, 100ma | 120 @ 1ma, 2v | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB085B-40GTL | - | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZT2R6.8B | - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | GDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 0201 (0603 메트릭) | gdzt2r | 100MW | GMD2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-gdzt2r6.8btr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 NA @ 3.5 v | 6.8 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1037AKT146R | 0.2800 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SA1037 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 180 @ 1ma, 6V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD123EKT146 | 0.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 MA | 500NA | npn-사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 39 @ 50MA, 5V | 200MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | umn1nfhtr | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMN1 | 기준 | UMD5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 음극 음극 공통 | 80 v | 25MA | 900 mV @ 5 mA | 4 ns | 100 na @ 70 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZEBTL | 0.2700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | DTC143 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SH8K2TB1 | 0.5586 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 날개 | SH8K2 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOP (5.0x6.0) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6A | 30mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 1mA | 10.1nc @ 5v | 520pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR372P5T100R | 0.6300 | ![]() | 975 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SAR372 | 500MW | MPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120 v | 700 MA | 1µA (ICBO) | PNP | 360mv @ 50ma, 500ma | 120 @ 100MA, 5V | 300MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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