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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SB1695KT146 Rohm Semiconductor 2SB1695KT146 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SB1695 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 370mv @ 50ma, 1a 270 @ 100MA, 2V 280MHz
CDZVT2R4.3B Rohm Semiconductor cdzvt2r4.3b 0.2700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 cdzvt2 100MW vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
RJ1P12BBDTLL Rohm Semiconductor rj1p12bbdtll 5.3200
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1P12 MOSFET (금속 (() lptl 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 120A (TC) 6V, 10V 5.8mohm @ 50a, 10V 4V @ 2.5MA 80 nc @ 10 v ± 20V 4170 pf @ 50 v - 178W (TC)
2SC5916TLQ Rohm Semiconductor 2SC5916TLQ -
RFQ
 ECAD 3531 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SC5916 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 2V 250MHz
BZX84B15VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B15VLYT116 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10 v 15 v 30 옴
2SCR522EBTL Rohm Semiconductor 2SCR522EBTL 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 2SCR522 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 2v 400MHz
BC807-25T116 Rohm Semiconductor BC807-25T116 0.0878
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - - BC807 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA - PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
RS1E150GNTB Rohm Semiconductor rs1e150gntb 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 3W (TA), 22.9W (TC)
2SAR340QTR Rohm Semiconductor 2SAR340QTR 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 2SAR340 500MW TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 400 v 100 MA 10µA (ICBO) PNP 400mv @ 2ma, 20ma 82 @ 10ma, 10V -
RB160LAM-40TFTR Rohm Semiconductor RB160LAM-40TFTR 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB160 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
SP8M31HZGTB Rohm Semiconductor SP8M31HZGTB 2.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M3 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 4.5A (TA) 65mohm @ 4.5a, 10v, 70mohm @ 4.5a, 10v 3V @ 1mA 7NC @ 5V, 40NC @ 10V 500pf @ 10V, 2500pf @ 10V -
2SD1857TV2Q Rohm Semiconductor 2SD1857TV2Q -
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 2SD1857 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 120 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 2V @ 100MA, 1A 120 @ 100MA, 5V 80MHz
BAS16HYFHT116 Rohm Semiconductor BAS16HYFHT116 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C 215MA 2pf @ 0V, 1MHz
SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT3040KRHRC15 28.2200
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT3040 MOSFET (금속 (() TO-247-4L 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-SCT3040KRHRC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 55A (TC) 18V 52mohm @ 20a, 18V 5.6v @ 10ma 107 NC @ 18 v +22V, -4V 1337 pf @ 800 v - 262W
2SAR514PT100 Rohm Semiconductor 2SAR514PT100 0.2487
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR514 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 700 MA 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 15ma, 300ma 120 @ 100MA, 3V 380MHz
RHK005N03FRAT146 Rohm Semiconductor RHK005N03FRAT146 0.4800
RFQ
 ECAD 382 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RHK005 MOSFET (금속 (() smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 4V, 10V 550mohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 10 v - 200MW (TA)
UMB4NTN Rohm Semiconductor umb4ntn 0.0848
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB4 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
RB085BGE-90TL Rohm Semiconductor RB085BGE-90TL 0.8625
RFQ
 ECAD 5775 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB085 Schottky TO-252GE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 5a 830 mv @ 5 a 150 µa @ 90 v 150 ° C
2SCR552PT100 Rohm Semiconductor 2SCR552PT100 0.6000
RFQ
 ECAD 475 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR552 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 1a 200 @ 500ma, 2v 280MHz
TDZVTR6.8 Rohm Semiconductor tdzvtr6.8 0.3800
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8.82% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdzvtr6.8 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 3.5 v 6.8 v
BSS63T116 Rohm Semiconductor BSS63T116 -
RFQ
 ECAD 1527 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 30 @ 10ma, 1v 200MHz
RD3S075CNTL1 Rohm Semiconductor RD3S075CNTL1 1.9200
RFQ
 ECAD 1429 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3S075 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 190 v 7.5A (TC) 4V, 10V 336mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 52W (TC)
2SAR533PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR533PFRAT100 0.4400
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR533 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 1a 120 @ 50MA, 3V 300MHz
2SCR346PT100Q Rohm Semiconductor 2SCR346PT100Q 0.6200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR346 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 400 v 100 MA 10µA (ICBO) NPN 300mv @ 2ma, 20ma 82 @ 10ma, 10V -
DTC114TETL Rohm Semiconductor DTC114TETL 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC114 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
RB160VYM-40FHTR Rohm Semiconductor RB160VYM-40FHTR 0.4200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB160 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 700 mA 7.4 ns 50 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
RSS090N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS090N03FU6TB -
RFQ
 ECAD 2530 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS090 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 15mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 15 nc @ 5 v ± 20V 810 pf @ 10 v - 2W (TA)
PDZVTFTR4.7B Rohm Semiconductor pdzvtftr4.7b 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, PDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.32% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 pdzvtftr4.7 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1 v 4.95 v 10 옴
SSTA56T116 Rohm Semiconductor SSTA56T116 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSTA56 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 1µA PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 50MHz
DTC114GUAT106 Rohm Semiconductor DTC114GUAT106 0.2600
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC114 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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