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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
CDZFHT2RA4.7B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA4.7B 0.4100
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 ECAD 22 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±2.15% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-923 CDZFHT2 100mW VMN2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 2μA @ 1V 4.65V 100옴
DTA115TMT2L Rohm Semiconductor DTA115TMT2L 0.0615
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 ECAD 1619년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA115 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 100μA에서 300mV, 1mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 100kΩ
PDZVTR22A Rohm Semiconductor PDZVTR22A 0.4500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±5.67% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 PDZVTR22 1W PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 17V에서 10μA 22.05V 14옴
RSR025N05HZGTL Rohm Semiconductor RSR025N05HZGTL 0.6800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RSR025 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 45V 2.5A(타) 4V, 10V 100m옴 @ 2.5A, 10V 3V @ 1mA 3.6nC @ 5V ±20V 10V에서 260pF - 700mW(타)
UDZVTE-1710B Rohm Semiconductor UDZVTE-1710B 0.2700
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 ECAD 47 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈베테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA @ 7V 10V 30옴
SH8K12TB1 Rohm Semiconductor SH8K12TB1 0.4204
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 ECAD 7019 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8K12 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 5A 42m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 4nC @ 5V 250pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2SD2097TV2Q Rohm Semiconductor 2SD2097TV2Q -
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 ECAD 6726 0.00000000 로옴 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SD2097 1W ATV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 20V 5A 500nA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 4A 120 @ 500mA, 2V 150MHz
MTZJT-725.1C Rohm Semiconductor MTZJT-725.1C -
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 ECAD 9992 0.00000000 로옴 MTZ J 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 스루홀 DO-204AG, DO-34, 축방향 MTZJT-72 500mW MSD - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. MTZJT725.1C EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5V에서 5μA 5.1V 70옴
EMH3T2R Rohm Semiconductor EMH3T2R 0.3900
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 ECAD 568 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMH3T2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA - 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ -
RBR10BM40ATL Rohm Semiconductor RBR10BM40ATL 0.8800
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 ECAD 686 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBR10 쇼트키 TO-252 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 40V 10A 620mV @ 5A 40V에서 120μA 150°C(최대)
RFUH25NS3STL Rohm Semiconductor RFUH25NS3STL 2.0100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RFUH25 기준 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 350V 1.45V @ 20A 30ns 350V에서 10μA 150°C 20A -
2SC4617TLS Rohm Semiconductor 2SC4617TLS 0.3000
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC4617 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
TFZVTR39B Rohm Semiconductor TFZVTR39B 0.3700
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±3% 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TFZVTR39 500mW TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 30V 39V 85옴
SCS108AGC Rohm Semiconductor SCS108AGC -
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 ECAD 1251 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 SCS108 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-220AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 600V 1.7V @ 8A 0ns 600V에서 160μA 175°C(최대) 8A 345pF @ 1V, 1MHz
SST2222AHZGT116 Rohm Semiconductor SST2222AHZGT116 0.2100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST2222 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
SCS240AE2C Rohm Semiconductor SCS240AE2C -
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 ECAD 4387 0.00000000 로옴 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 SCS240 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 360 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍씩 시작됩니다 650V 20A(DC) 1.55V @ 20A 0ns 600V에서 400μA 175°C(최대)
2SB1427T100U Rohm Semiconductor 2SB1427T100U -
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 ECAD 3042 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SB1427 2W MPT3 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SB1427T100UTR 1,000 20V 2A 500nA(ICBO) NPN 450mV @ 150mA, 1.5A 180 @ 500mA, 2V
RBR1LAM30ATFTR Rohm Semiconductor RBR1LAM30ATFTR 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RBR1LAM30 쇼트키 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 30V에서 50μA 150°C(최대) 1A -
RBR2L30ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR2L30ADDTE25 0.4800
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA RBR2L30 쇼트키 PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 490mV @ 2A 30V에서 80μA 150°C 2A -
SCS240KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS240KE2GC11 23.3200
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 ECAD 2944 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-3 SCS240 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCS240KE2GC11 EAR99 8541.10.0080 30 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍씩 시작됩니다 1200V 20A(DC) 1.6V @ 20A 0ns 1200V에서 400μA 175°C
2SB1689T106 Rohm Semiconductor 2SB1689T106 0.5000
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 ECAD 87 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SB1689 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 12V 1.5A 100nA(ICBO) PNP 200mV @ 25mA, 500mA 270 @ 200mA, 2V 400MHz
2SCR543DTL Rohm Semiconductor 2SCR543DTL 0.4515
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 ECAD 9913 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SCR543 10W CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 50V 4A 1μA(ICBO) NPN 350mV @ 100mA, 2A 180 @ 100mA, 3V 300MHz
2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR514PHZGT100 0.6400
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 500mW SOT-89 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1,000 80V 700mA 1μA(ICBO) NPN 300mV @ 15mA, 300mA 120 @ 100mA, 3V 320MHz
RB160A90T-32 Rohm Semiconductor RB160A90T-32 -
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 ECAD 8923 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-41 미니, 축형 RB160 쇼트키 MSR 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 90V 730mV @ 1A 90V에서 100μA 150°C(최대) 1A -
2SCR553P5T100 Rohm Semiconductor 2SCR553P5T100 0.4600
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SCR553 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 350mV @ 35mA, 700mA 180@50mA, 2V 360MHz
VMNZ6.8CST2RA Rohm Semiconductor VMNZ6.8CST2RA 0.0760
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 ECAD 7005 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±2% -55°C ~ 150°C - - VMNZ6.8 100mW - - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 1쌍씩 시작됩니다 7.82V @ 1mA 500nA @ 3.5V 6.8V
SH8M41TB1 Rohm Semiconductor SH8M41TB1 1.6300
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8M41 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 80V 3.4A, 2.6A 130m옴 @ 3.4A, 10V 2.5V @ 1mA 9.2nC @ 5V 600pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RGT00TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC13 11.3000
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 ECAD 1829년 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGT00 기준 277W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGT00TS65DGC13 EAR99 8541.29.0095 600 400V, 50A, 10옴, 15V 54ns 트렌치 필드스톱 650V 85A 150A 2.1V @ 15V, 50A - 94nC 42ns/137ns
RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor RGT50NL65DGTL 3.4500
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RGT50 기준 194W LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 25A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 650V 48A 75A 2.1V @ 15V, 25A - 49nC 27ns/88ns
RR264MM-400TFTR Rohm Semiconductor RR264MM-400TFTR 0.3800
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 ECAD 46 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOD-123F RR264 기준 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 400V 1.1V @ 700mA 400V에서 10μA 150°C(최대) 700mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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