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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TDZTR11 Rohm Semiconductor TDZTR11 0.1088
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 ECAD 7121 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±10% 150°C (TJ) 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TDZTR11 500mW TUMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 7V에서 10μA 11V
RSS040P03FU6TB Rohm Semiconductor RSS040P03FU6TB -
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 ECAD 3947 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS040 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 4A(타) 4V, 10V 58m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 8nC @ 5V ±20V 10V에서 800pF - 2W(타)
2SD2150T100S Rohm Semiconductor 2SD2150T100S 0.2271
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 ECAD 6066 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SD2150 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 20V 3A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 100mA, 2A 270 @ 100mA, 2V 290MHz
UDZWTE-173.6B Rohm Semiconductor UDZWTE-173.6B -
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 ECAD 4148 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-90, SOD-323F UMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 3,000
RBR3LAM30BTR Rohm Semiconductor RBR3LAM30BTR 0.5300
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RBR3LAM30 쇼트키 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 530mV @ 3A 30V에서 80μA 150°C(최대) 3A -
RCJ300N20TL Rohm Semiconductor RCJ300N20TL 3.2300
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 ECAD 4491 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ300 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 200V 30A(Tc) 10V 80m옴 @ 15A, 10V 5V @ 1mA 60nC @ 10V ±30V 3200pF @ 25V - 1.56W(Ta), 40W(Tc)
SCS210AJHRTLL Rohm Semiconductor SCS210AJHRTLL 7.1800
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 ECAD 3963 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SCS210 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-263AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.55V @ 10A 0ns 600V에서 200μA 175°C(최대) 10A 365pF @ 1V, 1MHz
BSS5130AHZGT116 Rohm Semiconductor BSS5130AHZGT116 0.5300
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS5130 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100nA(ICBO) PNP 380mV @ 25mA, 500mA 270 @ 100mA, 2V 320MHz
2SC1740STPQ Rohm Semiconductor 2SC1740STPQ -
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 ECAD 1546년 0.00000000 로옴 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-72 수정했어요 2SC1740 300mW SPT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
SCT4036KRC15 Rohm Semiconductor SCT4036KRC15 22.4500
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT4036 SiCFET(탄화규소) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT4036KRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 1200V 43A(Tc) 18V 47m옴 @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91nC @ 18V +21V, -4V 800V에서 2335pF - 176W
SCS302APC9 Rohm Semiconductor SCS302APC9 1.1520
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 ECAD 5172 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 스루홀 TO-220-2 SCS302 SiC(탄화규소) 쇼트키 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.5V @ 2A 0ns 650V에서 10.8μA 175°C(최대) 2A 110pF @ 1V, 1MHz
RQ3E180GNTB Rohm Semiconductor RQ3E180GNTB 0.7100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN RQ3E180 MOSFET(금속) 8-HSMT(3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 18A(타) 4.5V, 10V 4.3m옴 @ 18A, 10V 2.5V @ 1mA 22.4nC @ 10V ±20V 1520pF @ 15V - 2W(타)
EDZFJTE616.2B Rohm Semiconductor EDZFJTE616.2B -
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 ECAD 4428 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZFJT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZFJTE616.2BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
DTC123EKAT146 Rohm Semiconductor DTC123EKAT146 0.2600
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 ECAD 42 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 20mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
DTC114EBT2L Rohm Semiconductor DTC114EBT2L -
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 ECAD 9640 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-923F DTC114 150mW VMN3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RGT00TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC13 11.3000
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 ECAD 1829년 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGT00 기준 277W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGT00TS65DGC13 EAR99 8541.29.0095 600 400V, 50A, 10옴, 15V 54ns 트렌치 필드스톱 650V 85A 150A 2.1V @ 15V, 50A - 94nC 42ns/137ns
2SAR553PT100 Rohm Semiconductor 2SAR553PT100 0.6200
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR553 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 35mA, 700mA 180@50mA, 2V 320MHz
RAL045P01TCR Rohm Semiconductor RAL045P01TCR 0.2801
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 ECAD 5146 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RAL045 MOSFET(금속) TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 4.5A(타) 1.5V, 4.5V 30m옴 @ 4.5A, 4.5V 1V @ 1mA 40nC @ 4.5V -8V 6V에서 4200pF - 1W(타)
RGCL80TK60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL80TK60DGC11 6.0100
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 ECAD 433 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3PFM, SC-93-3 RGCL80 기준 57W TO-3PFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 600V 35A 160A 1.8V @ 15V, 40A 1.11mJ(켜짐), 1.68mJ(꺼짐) 98nC 53ns/227ns
FMC6AT148 Rohm Semiconductor FMC6AT148 0.1312
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 ECAD 8610 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-74A, SOT-753 FMC6 300mW SMT5 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA - NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 5mA, 250μA 82 @ 5mA, 5V 250MHz 100k옴 -
DTC114TCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC114TCAHZGT116 0.2100
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 ECAD 6011 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC114 350mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ
BM63373S-VC Rohm Semiconductor BM63373S-VC 21.4000
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.327", 33.70mm) IGBT BM63373 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BM63373S-VC EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 10A 600V 1500Vrms
UMN1NFHTR Rohm Semiconductor UMN1NFHTR 0.4500
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMN1 기준 UMD5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2쌍씩 시작됩니다 80V 25mA 900mV @ 5mA 4ns 70V에서 100nA 150°C(최대)
DMC2640F0R Rohm Semiconductor DMC2640F0R -
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 ECAD 2568 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-23-6 DMC2640 300mW Mini6-G4-B - ROHS3 준수 1(무제한) 846-DMC2640F0RTR EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 250mV 30 @ 5mA, 10V - 4.7kΩ 10kΩ
RSS130N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS130N03FU6TB -
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 ECAD 5713 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS130 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 13A(타) 4V, 10V 8.1m옴 @ 13A, 10V 2.5V @ 1mA 35nC @ 5V 20V 10V에서 2000pF - 2W(타)
EMD2T2R Rohm Semiconductor EMD2T2R 0.3900
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 ECAD 5321 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD2T2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
2SAR512RTL Rohm Semiconductor 2SAR512RTL 0.5500
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SAR512 1W TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 2A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 35mA, 700mA 200 @ 100mA, 2V 430MHz
EM6K6T2R Rohm Semiconductor EM6K6T2R 0.5000
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EM6K6 MOSFET(금속) 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 2 N채널(듀얼) 20V 300mA 1옴 @ 300mA, 4V 1V @ 1mA - 25pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RTE002P02TL Rohm Semiconductor RTE002P02TL 0.1546
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 ECAD 6377 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 RTE002 MOSFET(금속) EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 200mA(타) 2.5V, 4.5V 1.5옴 @ 200mA, 4.5V 2V @ 1mA ±12V 10V에서 50pF - 150mW(타)
DTC143TMT2L Rohm Semiconductor DTC143TMT2L 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC143 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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