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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTC114TUAT106 Rohm Semiconductor DTC114TUAT106 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC114 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
DTA143ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA143ECAHZGT116 0.1900
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SA854STPR Rohm Semiconductor 2SA854STPR -
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 32 v 500 MA 1µA (ICBO) PNP 600mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 200MHz
RB521ZS8A30TE61 Rohm Semiconductor RB521ZS8A30TE61 -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8-xfdfn RB521 Schottky 8-HMD (1.6x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 4 독립 30 v 100ma 150 ° C (°)
2SB1698T100 Rohm Semiconductor 2SB1698T100 0.2667
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1698 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 370mv @ 50ma, 1a 270 @ 100MA, 2V 280MHz
RSX071VA-30TR Rohm Semiconductor RSX071VA-30TR 0.5200
RFQ
 ECAD 320 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 2-SMD,, 리드 RSX071 Schottky Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 700 MA 200 µa @ 30 v 150 ° C (°) 700ma -
RB085T-90 Rohm Semiconductor RB085T-90 -
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB085 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RB085T90 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 5a 830 mv @ 5 a 150 µa @ 90 v 150 ° C (°)
RB162M-60TR Rohm Semiconductor RB162M-60TR 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-123F RB162 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 1A -
EMX26T2R Rohm Semiconductor EMX26T2R 0.4900
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMX26 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 150ma 300NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 820 @ 50MA, 5V 250MHz
SST3904T116 Rohm Semiconductor SST3904T116 0.3300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST3904 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
DTA044EMT2L Rohm Semiconductor DTA044EMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA044 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 30 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
RSX201VAM30TR Rohm Semiconductor rsx201vam30tr 0.4400
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RSX201 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 1 a 300 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A -
FMW2T148 Rohm Semiconductor FMW2T148 -
RFQ
 ECAD 1759 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 FMW2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
1SR124-400AT-81 Rohm Semiconductor 1SR124-400AT-81 -
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1SR124 기준 GSR 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1SR124400AT81 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 400 ns 10 µa @ 400 v -60 ° C ~ 150 ° C 1A -
TDZTR15 Rohm Semiconductor tdztr15 0.3900
RFQ
 ECAD 267 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdztr15 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 10 v 15 v
RTQ020N03TR Rohm Semiconductor rtq020n03tr 0.5800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RTQ020 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 125mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 1mA 3.3 NC @ 4.5 v ± 12V 135 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
RB522ES-30T15R Rohm Semiconductor RB522ES-30T15R 0.3100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 RB522 Schottky SMD0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 370 mV @ 10 ma 7 µa @ 10 v 150 ° C (°) 100ma -
2SAR512PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR512PHZGT100 0.6200
RFQ
 ECAD 808 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 35ma, 700ma 200 @ 100ma, 2v 430MHz
UMA6NTR Rohm Semiconductor uma6ntr 0.0840
RFQ
 ECAD 1842 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA6 150MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47kohms -
2SC2413KT146P Rohm Semiconductor 2SC2413KT146P 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2413 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 300mv @ 1ma, 10ma 82 @ 1ma, 6V 300MHz
2SAR554PT100 Rohm Semiconductor 2SAR554PT100 0.2680
RFQ
 ECAD 7712 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR554 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1.5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 25ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 340MHz
PDZVTFTR30B Rohm Semiconductor pdzvtftr30b 0.4400
RFQ
 ECAD 440 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, PDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 pdzvtftr30 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 23 v 32 v 18 옴
2SD2671TL Rohm Semiconductor 2SD2671TL 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SD2671 1 W. TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 30 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 370mv @ 75ma, 1.5a 270 @ 200MA, 2V 280MHz
RFUH10NS6STL Rohm Semiconductor rfuh10ns6stl 1.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RFUH10 기준 LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.8 V @ 10 a 25 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 10A -
BZX84C6V8LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C6V8LYFHT116 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
DTC043TUBTL Rohm Semiconductor DTC043TUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC043 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 4.7 Kohms
MTZJT-778.2C Rohm Semiconductor MTZJT-778.2C -
RFQ
 ECAD 1439 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 5 v 8.2 v 20 옴
RB061US-30TR Rohm Semiconductor RB061US-30TR 0.8900
RFQ
 ECAD 587 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-smd RB061 Schottky TSMD8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 30 v 2A 400 mV @ 2 a 900 µa @ 15 v 125 ° C (°)
DTC143XEBTL Rohm Semiconductor DTC143XEBTL 0.0488
RFQ
 ECAD 3792 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
UDZWTE-177.5B Rohm Semiconductor Udzwte-177.5b -
RFQ
 ECAD 4689 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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