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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
1SS400CST2R Rohm Semiconductor 1SS400CST2R 0.0797
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 ECAD 5951 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOD-923 1SS400 기준 VMN2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 80V 1.2V @ 100mA 80V에서 100nA 150°C(최대) 100mA 3pF @ 0.5V, 1MHz
RSH125N03TB1 Rohm Semiconductor RSH125N03TB1 0.7215
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 ECAD 1324 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSH125 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 12.5A(타) 4V, 10V 9.1m옴 @ 12.5A, 10V 2.5V @ 1mA 28nC @ 5V ±20V 10V에서 1670pF - 2W(타)
RGCL60TS60GC13 Rohm Semiconductor RGCL60TS60GC13 5.4400
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 ECAD 6646 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGCL60 기준 111W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGCL60TS60GC13 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 600V 48A 120A 1.8V @ 15V, 30A 770μJ(켜짐), 1.11mJ(꺼짐) 68nC 44ns/186ns
R6011KNX Rohm Semiconductor R6011KNX 1.9600
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 ECAD 420 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6011 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 11A(티씨) 10V 390m옴 @ 3.8A, 10V 5V @ 1mA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 740pF - 53W(Tc)
R6012ANJTL Rohm Semiconductor R6012ANJTL 2.3167
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 ECAD 6973 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6012 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 12A(타) 10V 420m옴 @ 6A, 10V 4.5V @ 1mA 35nC @ 10V ±30V 25V에서 1300pF - 100W(Tc)
DTA123EMT2L Rohm Semiconductor DTA123EMT2L 0.0615
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 ECAD 2482 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA123 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 5mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
RJ1P12BBDTLL Rohm Semiconductor RJ1P12BBDTLL 5.3200
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 ECAD 994 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1P12 MOSFET(금속) LPTL 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 100V 120A(Tc) 6V, 10V 5.8m옴 @ 50A, 10V 4V @ 2.5mA 80nC @ 10V ±20V 50V에서 4170pF - 178W(Tc)
2SC4505T100P Rohm Semiconductor 2SC4505T100P -
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 ECAD 6568 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SC4505 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 400V 100mA 10μA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 82 @ 10mA, 10V 20MHz
DTB143TKT146 Rohm Semiconductor DTB143TKT146 0.1312
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 ECAD 8849 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB143 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 500mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 100 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kΩ
RBLQ20BGE10TL Rohm Semiconductor RBLQ20BGE10TL 1.5400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBLQ20 쇼트키 TO-252GE 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 860mV @ 20A 100V에서 80μA 150°C 20A -
RB225T-60 Rohm Semiconductor RB225T-60 1.7800
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 ECAD 435 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 스루홀 TO-220-3 풀팩 RB225 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. RB225T60 EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 60V 15A 630mV @ 15A 600μA @ 60V 150°C(최대)
RFU01SM4ST2R Rohm Semiconductor RFU01SM4ST2R 0.4300
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 ECAD 134 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 RFU01 기준 EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 450V 1.8V @ 100mA 35ns 450V에서 10μA 150°C 100mA 1.5pF @ 0V, 1MHz
EMD12T2R Rohm Semiconductor EMD12T2R 0.4000
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD12 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
RBR5RSM40BTL1 Rohm Semiconductor RBR5RSM40BTL1 1.0600
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN 쇼트키 TO-277A 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 530mV @ 5A 40V에서 120μA 150°C 5A -
RUM002N02T2L Rohm Semiconductor RUM002N02T2L 0.3700
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 ECAD 783 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 RUM002 MOSFET(금속) VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 20V 200mA(타) 1.2V, 2.5V 1.2옴 @ 200mA, 2.5V 1V @ 1mA ±8V 10V에서 25pF - 150mW(타)
R6004KNX Rohm Semiconductor R6004KNX 1.9200
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 ECAD 331 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6004 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 4A(TC) 10V 980m옴 @ 1.5A, 10V 5V @ 1mA 10.2nC @ 10V ±20V 280pF @ 25V - 40W(Tc)
R6030MNX Rohm Semiconductor R6030MNX -
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 ECAD 8681 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6030 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 30A(Tc) 10V 150m옴 @ 15A, 10V 5V @ 1mA 43nC @ 10V ±30V 2180pF @ 25V - 90W(Tc)
RB055L-60DDTE25 Rohm Semiconductor RB055L-60DDTE25 0.5600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 DO-214AC, SMA RB055 쇼트키 PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 680mV @ 3A 60V에서 70μA 150°C(최대) 3A -
SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor SCT4036KEC11 22.6700
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 ECAD 419 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT4036 SiCFET(탄화규소) TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT4036KEC11 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 43A(Tc) 18V 47m옴 @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91nC @ 18V +21V, -4V 800V에서 2335pF - 176W
RBR20NS30ATL Rohm Semiconductor RBR20NS30ATL 1.5400
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 ECAD 775 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RBR20 쇼트키 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 30V 10A 550mV @ 10A 30V에서 200μA 150°C
RQ5E025ATTCL Rohm Semiconductor RQ5E025ATTCL 0.5100
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 ECAD 16 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RQ5E025 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 2.5A(타) 10V 91m옴 @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 2.7nC @ 4.5V ±20V 15V에서 220pF - 1W(Tc)
RBR1MM60ATR Rohm Semiconductor RBR1MM60ATR 0.4400
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RBR1MM60 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 530mV @ 1A 60V에서 75μA 150°C(최대) 1A -
MTZJT-7739B Rohm Semiconductor MTZJT-7739B -
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 ECAD 6726 0.00000000 로옴 MTZ J 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 스루홀 DO-204AG, DO-34, 축방향 500mW MSD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 5,000 200nA @ 30V 39V 85옴
2SD1468STPQ Rohm Semiconductor 2SD1468STPQ -
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 ECAD 5982 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 SC-72 수정했어요 2SD1468 300mW SPT - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SD1468STPQTR 5,000 15V 1A 500nA NPN 500mV @ 1mA, 10mA 180 @ 2mA, 6V
2SC4617TLR Rohm Semiconductor 2SC4617TLR 0.3500
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 ECAD 211 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC4617 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 180@1mA, 6V 180MHz
QS5W1TR Rohm Semiconductor QS5W1TR 0.7200
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 ECAD 34 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QS5W1 1.25W TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 3A 1μA(ICBO) 2 NPN(이중) 섹션 이미터 400mV @ 50mA, 1A 200 @ 500mA, 2V 270MHz
FDZT40RB5.1 Rohm Semiconductor FDZT40RB5.1 0.3400
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 ECAD 150 0.00000000 로옴 라스미드 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 01005(0402미터법) 100mW SMD0402 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 40,000 1.5V에서 2μA 5.1V
RVQ040N05TR Rohm Semiconductor RVQ040N05TR 0.7800
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 ECAD 7296 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RVQ040 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 45V 4A(타) 4V, 10V 53m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 8.8nC @ 5V 21V 10V에서 530pF - 600mW(타)
R6025JNZ4C13 Rohm Semiconductor R6025JNZ4C13 9.5100
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 ECAD 597 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 R6025 MOSFET(금속) TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 25A(TC) 15V 182m옴 @ 12.5A, 15V 7V @ 4.5mA 57nC @ 15V ±30V 100V에서 1900pF - 306W(Tc)
BM63564S-VC Rohm Semiconductor BM63564S-VC 25.1200
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 ECAD 58 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.327", 33.70mm) IGBT BM63564 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 15A 600V 1500Vrms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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