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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX84B8V2LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B8V2LFHT116 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 1.95% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
RB218NS-40FHTL Rohm Semiconductor RB218NS-40FHTL 1.6700
RFQ
 ECAD 580 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB218 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 770 MV @ 10 a 5 µa @ 40 v 150 ° C (°)
QH8MA3TCR Rohm Semiconductor QH8MA3TCR 0.7800
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8MA3 MOSFET (금속 (() 1.5W TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 7A, 5.5A 29mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 7.2NC @ 10V 300pf @ 15V -
DTA114EEBHZGTL Rohm Semiconductor dta114eebhzgtl 0.2300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA114 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
DTB543ZMT2L Rohm Semiconductor DTB543ZMT2L -
RFQ
 ECAD 5503 0.00000000 Rohm 반도체 DTB543Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTB543 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-DTB543ZMT2LTR 귀 99 8541.21.0075 8,000 12 v 500 MA 500NA pnp- 사전- + 다이오드 300mv @ 5ma, 100ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
SCS215AGC17 Rohm Semiconductor SCS215AGC17 6.1300
RFQ
 ECAD 5531 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS215AGC17 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 15 a 0 ns 300 µa @ 600 v 175 ° C 15a 550pf @ 1v, 1MHz
RB168VYM150FHTR Rohm Semiconductor RB168VYM150FHTR 0.5700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB168 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 890 mV @ 1 a 4.8 ns 1 µa @ 150 v 150 ° C (°) 1A -
RF4E060AJTCR Rohm Semiconductor RF4E060AJTCR 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn RF4E060 MOSFET (금속 (() HUML2020L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TA) 2.5V, 4.5V 37mohm @ 6a, 4.5v 1.5V @ 1mA 4 NC @ 4.5 v ± 12V 450 pf @ 15 v - 2W (TA)
EDZTE6112B Rohm Semiconductor edzte6112b -
RFQ
 ECAD 3767 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZTE6112 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 9 v 12 v 30 옴
RUF015N02TL Rohm Semiconductor RUF015N02TL 0.4900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RUF015 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.5A (TA) 1.8V, 4.5V 180mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1mA 2.5 NC @ 4.5 v ± 10V 110 pf @ 10 v - 800MW (TA)
MTZJT-7718C Rohm Semiconductor MTZJT-7718C -
RFQ
 ECAD 3631 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 13 v 18 v 30 옴
DTB543EE3TL Rohm Semiconductor DTB543EE3TL 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTB543 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 846-dtb543ee3tlct 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA pnp- 사전- + 다이오드 300mv @ 5ma, 100ma 115 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTA144TMT2L Rohm Semiconductor DTA144TMT2L 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA144 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
DTC023JUBTL Rohm Semiconductor DTC023JUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC023 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
UDZSTE-1710B Rohm Semiconductor Udzste-1710b 0.0687
RFQ
 ECAD 4553 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F Udzste 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 7 v 10 v 30 옴
EMH75T2R Rohm Semiconductor EMH75T2R 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMH75 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 4.7kohms 47kohms
DTC314TKT146 Rohm Semiconductor DTC314TKT146 0.1312
RFQ
 ECAD 5434 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC314 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 600 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 80MV @ 2.5MA, 50MA 100 @ 50MA, 5V 200MHz 10 KOHMS
RFN10B3STL Rohm Semiconductor RFN10B3STL -
RFQ
 ECAD 7450 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFN10 기준 CPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 350 v 1.5 V @ 10 a 30 ns 10 µa @ 350 v 150 ° C (°) 10A -
DTA144EU3T106 Rohm Semiconductor DTA144EU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA144 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
RB168L-40TE25 Rohm Semiconductor RB168L-40TE25 0.1092
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RB168 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 1 a 550 na @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
RLZTE-1124C Rohm Semiconductor RLZTE-1124C -
RFQ
 ECAD 4134 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 RLZTE-1124 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 200 na @ 19 v 23.2 v 35 옴
RFUH10TF6S Rohm Semiconductor RFUH10TF6 0.8460
RFQ
 ECAD 5215 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 RFUH10 기준 TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.8 V @ 10 a 25 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 10A -
RB168L-40TFTE25 Rohm Semiconductor RB168L-40TFTE25 0.4400
RFQ
 ECAD 213 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RB168 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 1 a 550 na @ 40 v 150 ° C 1A -
RB088LAM-30TFTR Rohm Semiconductor RB088LAM-30TFTR 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB088 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 2.5 µa @ 30 v 150 ° C (°) 5a -
DTD743XMT2L Rohm Semiconductor DTD743XMT2L 0.1035
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-723 DTD743 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 30 v 200 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor RSH070P05GZETB 2.1700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSH070 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 45 v 7A (TA) 4V, 10V 27mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 47.6 NC @ 5 v ± 20V 4100 pf @ 10 v - 2W (TA)
RRL035P03FRATR Rohm Semiconductor RRL035P03FRATR 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RRL035 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TA) 4V, 10V 50mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 10 v - 1W (TA)
UDZSTE-1720B Rohm Semiconductor Udzste-1720b 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F Udzste 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 15 v 20 v 85 옴
RW1E014SNT2R Rohm Semiconductor RW1E014SNT2R -
RFQ
 ECAD 2042 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RW1E014 MOSFET (금속 (() 6-wemt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 30 v 1.4A (TA) 4V, 10V 240mohm @ 1.4a, 10V 2.5V @ 1mA 1.4 NC @ 5 v ± 20V 70 pf @ 10 v - 400MW (TA)
RF071L4STFTE25 Rohm Semiconductor RF071L4STFTE25 0.4700
RFQ
 ECAD 550 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RF071 기준 PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 700 ma 25 ns 10 µa @ 400 v 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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