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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
R6004RND3TL1 Rohm Semiconductor R6004RND3TL1 1.1900
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6004 MOSFET (금속 (() TO-252 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4A (TC) 15V 1.73ohm @ 2a, 15V 7V @ 450µA 10.5 nc @ 15 v ± 30V 230 pf @ 100 v - 60W (TC)
R6007RND3TL1 Rohm Semiconductor R6007RND3TL1 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6007 MOSFET (금속 (() TO-252 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7A (TC) 15V 940mohm @ 3.5a, 15V 7V @ 1MA 17.5 nc @ 15 v ± 30V 460 pf @ 100 v - 96W (TC)
2SD1963T100Q Rohm Semiconductor 2SD1963T100Q -
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD1963 500MW MPT3 - Rohs3 준수 846-2SD1963T100QTR 1,000 20 v 3 a 500NA (ICBO) PNP 300mv @ 2.5ma, 25ma 180 @ 2MA, 6V
DTC114YE3TL Rohm Semiconductor DTC114YE3TL 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA144E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC114 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor RD3H160SPTL1 1.7300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3H160 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 45 v 16A (TA) 4V, 10V 50mohm @ 16a, 10V 3V @ 1mA 16 nc @ 5 v ± 20V 2000 pf @ 10 v - 20W (TC)
KDZVTFTR11B Rohm Semiconductor kdzvtftr11b 0.4700
RFQ
 ECAD 5082 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.91% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZVTFTR11 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 8 v 11.65 v
VDZT2R18B Rohm Semiconductor vdzt2r18b -
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-723 vdzt2 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 13 v 18 v 65 옴
RQ3E120BNTB Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB 0.6300
RFQ
 ECAD 2281 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3E120 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 1mA 29 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 2W (TA)
BM63373S-VA Rohm Semiconductor BM63373S-VA 21.4000
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (1.134 ", 28.80mm) IGBT BM63373 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BM63373S-VA 귀 99 8542.39.0001 60 3 상 인버터 10 a 600 v 1500VRMS
R6511ENJTL Rohm Semiconductor r6511enjtl 4.0600
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6511 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 400mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 320µA 32 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 124W (TC)
2SAR586D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR586D3FRATL 1.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SAR586 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 80 v 5 a 1µA (ICBO) 320mv @ 100ma, 2a 120 @ 500ma, 3v
KDZTR3.6B Rohm Semiconductor KDZTR3.6B 0.1836
RFQ
 ECAD 1595 0.00000000 Rohm 반도체 KDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZTR3.6 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 60 µa @ 1 v 3.8 v
DTB123EKFRAT146 Rohm Semiconductor DTB123EKFRAT146 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 500 MA - pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 39 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
HS8K11TB Rohm Semiconductor HS8K11TB 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-udfn n 패드 HS8K11 MOSFET (금속 (() 2W HSML3030L10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 7a, 11a 17.9mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 11.1NC @ 10V 500pf @ 15V 논리 논리 게이트
R6004ENXC7G Rohm Semiconductor R6004ENXC7G 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6004 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6004ENXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 980mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 15 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 40W (TC)
RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor RGS80TSX2DHRC11 12.7400
RFQ
 ECAD 856 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGS80 기준 555 W. TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGS80TSX2DHRC11 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10ohm, 15V 198 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 3MJ (on), 3.1mj (OFF) 104 NC 49ns/199ns
DTD523YE3TL Rohm Semiconductor DTD523YE3TL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTD523 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 846-dtd523ye3tltr 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 300mv @ 5ma, 100ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor RGT8BM65DTL 2.3300
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RGT8BM65 기준 62 w TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 4A, 50ohm, 15V 40 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A - 13.5 NC 17ns/69ns
DAP222WMTL Rohm Semiconductor DAP222WMTL 0.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DAP222 기준 EMD3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
RGPZ10BM40FHTL Rohm Semiconductor RGPZ10BM40FHTL 1.0665
RFQ
 ECAD 1008 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RGPZ10 기준 107 w TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 8A, 100ohm, 5V - 460 v 20 a 2.0V @ 5V, 10A - 14 NC 500ns/4µs
RS1L145GNTB Rohm Semiconductor RS1L145GNTB 2.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1L MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 14.5A (TA), 47A (TC) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 14.5a, 10V 2.7V @ 200µA 37 NC @ 10 v ± 20V 1880 pf @ 30 v - 3W (TA)
RGW40TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW40TS65DGC11 5.4500
RFQ
 ECAD 445 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 136 W. TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 80 a 1.9V @ 15V, 20A 330µJ (on), 300µJ (OFF) 59 NC 33ns/76ns
MTZJT-7727C Rohm Semiconductor MTZJT-7727C -
RFQ
 ECAD 7118 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-7727 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 21 v 27 v 45 옴
SH8M3TB1 Rohm Semiconductor SH8M3TB1 1.0500
RFQ
 ECAD 594 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m3 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 4.5a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor RV1C002UNT2CL 0.4000
RFQ
 ECAD 831 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 RV1C002 MOSFET (금속 (() VML0806 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 20 v 150MA (TA) 1.2V, 4.5V 2ohm @ 150ma, 4.5v 1V @ 100µA ± 8V 12 pf @ 10 v - 100MW (TA)
DTC123JE3TL Rohm Semiconductor DTC123JE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA143Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC123 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RGW00TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW00TK65DGVC11 7.2700
RFQ
 ECAD 4787 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGW00 기준 89 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 95 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 45 a 200a 1.9V @ 15V, 50A 1.18mj (on), 960µj (OFF) 141 NC 52ns/180ns
RGPR20NS43HRTL Rohm Semiconductor RGPR20NS43HRTL 1.8900
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGPR20 기준 107 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 300V, 8A, 100ohm, 5V - 460 v 20 a 2.0V @ 5V, 10A - 14 NC 500ns/4µs
RB751S-40GTE61 Rohm Semiconductor RB751S-40GTE61 -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB751 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB751S-40GTE61TR 쓸모없는 3,000
BZX84C18VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C18VLT116 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6.39% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 13 v 18 v 45 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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