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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
YFZVFHTR8.2B Rohm Semiconductor yfzvfhtr8.2b 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.57% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr8.2 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 5 v 7.99 v 8 옴
RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3E070 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 27mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 410 pf @ 15 v - 2W (TA)
RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor RD3L01BATTL1 1.1600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L01 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 10A (TA) 4.5V, 10V 84mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 1mA 15.2 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 30 v - 26W (TA)
R6015KNX Rohm Semiconductor R6015knx 2.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6015 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 1MA 27.5 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 60W (TC)
RB098BGE150TL Rohm Semiconductor RB098BGE150TL 1.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB095 Schottky TO-252GE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 3A 830 mv @ 3 a 7 µa @ 150 v 150 ° C
MTZJT-7715B Rohm Semiconductor MTZJT-7715B -
RFQ
 ECAD 5311 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 11 v 15 v 25 옴
R5016FNJTL Rohm Semiconductor R5016fnjtl 2.0698
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R5016 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 500 v 16A (TC) 10V 325mohm @ 8a, 10V 5V @ 1MA 46 NC @ 10 v ± 30V 1700 pf @ 25 v - 255W (TC)
RFUH20TF6S Rohm Semiconductor RFUH20TF6 1.0005
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 RFUH20 기준 TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.8 V @ 20 a 35 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 20A -
R6014YNXC7G Rohm Semiconductor R6014ynxc7g 3.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6014 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6014ynxc7g 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9A (TC) 10V, 12V 260mohm @ 5a, 12v 6V @ 1.4ma 20 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 100 v - 54W (TC)
RB050L-60DDTE25 Rohm Semiconductor RB050L-60DDTE25 0.7100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RB050 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A -
RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor RQ5C060BCTCL 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5C060 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 4.5V 21.1MOHM @ 6A, 4.5V 1.2v @ 1ma 19.2 NC @ 4.5 v ± 8V 1360 pf @ 10 v - 1W (TC)
YDZVFHTR20 Rohm Semiconductor ydzvfhtr20 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr20 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 14 v 20 v
DTA124EUBHZGTL Rohm Semiconductor DTA124EUBHZGTL 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 DTA124 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
SH8K26GZ0TB Rohm Semiconductor SH8K26GZ0TB 0.8400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8K26 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 6A (TA) 38mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 2.9NC @ 5V 280pf @ 10V -
DTA114TCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA114TCAHZGT116 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
1N4148T-72 Rohm Semiconductor 1N4148T-72 -
RFQ
 ECAD 1301 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4148 기준 GSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 200 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
RBR3LAM40BTR Rohm Semiconductor rbr3lam40btr 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rbr3lam40 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 620 MV @ 3 a 80 µa @ 40 v 150 ° C (°) 3A -
RB521CM-30T2R Rohm Semiconductor RB521CM-30T2R 0.3500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB521 Schottky vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 350 mV @ 10 ma 10 µa @ 10 v 150 ° C (°) 100ma -
IMH23T110 Rohm Semiconductor IMH23T110 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMH23 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 20V 600ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 2.5ma, 50ma 820 @ 50MA, 5V 150MHz 4.7kohms -
RB088T100HZC9 Rohm Semiconductor RB088T100HZC9 0.9900
RFQ
 ECAD 418 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB088 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 870 mV @ 5 a 8.2 ns 5 µa @ 100 v 150 ° C (°)
DTC144GKAT146 Rohm Semiconductor DTC144GKAT146 0.0463
RFQ
 ECAD 9903 0.00000000 Rohm 반도체 DTC144G 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC144 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms
RSS070N05TB1 Rohm Semiconductor RSS070N05TB1 -
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RSS070N05TB1TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 16.8 nc @ 5 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 2W (TA)
R6520ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6520ENZ4C13 5.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6520 MOSFET (금속 (() TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6520ENZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 630µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 231W (TC)
SCS220AJHRTLL Rohm Semiconductor scs220ajhrtll 10.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SCS220 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 20 a 0 ns 400 µa @ 600 v 175 ° C (°) 20A 730pf @ 1v, 1MHz
MTZJT-724.3B Rohm Semiconductor MTZJT-724.3B -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT724.3B 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor RA1C030LDT5CL 0.4800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn MOSFET (금속 (() DSN1006-3 다운로드 1 (무제한) 846-RA1C030LDT5CLCT 귀 99 8541.29.0095 15,000 n 채널 20 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 140mohm @ 3a, 4.5v 1.5V @ 1mA 1.5 nc @ 4.5 v +7V, -0.2V 150 pf @ 10 v - 1W (TA)
R6024KNXC7G Rohm Semiconductor R6024KNXC7G 5.5800
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6024 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6024KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TA) 10V 165mohm @ 11.3a, 10V 5V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 74W (TC)
RFN3B2STL Rohm Semiconductor RFN3B2STL -
RFQ
 ECAD 1374 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
RS3L140GNGZETB Rohm Semiconductor RS3L140GNGZETB 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RS3L MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 14A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 14a, 10V 2.7V @ 500µA 58 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 30 v - 1.4W (TA)
VT6T11T2R Rohm Semiconductor vt6t11t2r 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 VT6T11 150MW VMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 20V 200ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 2v 350MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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