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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
UFZVTE-178.2B Rohm Semiconductor UFZVTE-178.2B 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.67% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 500mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-UFZVTE-178.2BCT EAR99 8541.10.0050 3,000 500nA @ 5V 8.2V 8옴
R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor R8001CND3FRATL 2.4400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R8001 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 800V 1A(Tc) 10V 8.7옴 @ 500mA, 10V 5.5V @ 1mA 7.2nC @ 10V ±30V 25V에서 60pF - 36W(Tc)
RF305BGE6STL Rohm Semiconductor RF305BGE6STL 1.4300
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RF305 기준 TO-252GE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.7V @ 3A 30ns 600V에서 10μA 150°C 3A -
RBR3RSM40BTL1 Rohm Semiconductor RBR3RSM40BTL1 1.0000
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN 쇼트키 TO-277A 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 470mV @ 3A 40V에서 120μA 150°C 3A -
R6006ANDTL Rohm Semiconductor R6006ANDTL 1.1794
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 ECAD 2047년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R6006 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 6A(TC) 10V 1.2옴 @ 3A, 10V 4.5V @ 1mA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 460pF - 40W(Tc)
RR1VWM6STR Rohm Semiconductor RR1VWM6STR 0.3800
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 ECAD 11 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RR1VWM6 기준 PMDE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.2V @ 1A 600V에서 10μA 175°C(최대) 1A -
RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor RQ3E150GNTB 0.6200
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 ECAD 19 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN RQ3E150 MOSFET(금속) 8-HSMT(3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 15A(타) 4.5V, 10V 6.1m옴 @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 15.3nC @ 10V ±20V 15V에서 850pF - 2W(Ta), 17.2W(Tc)
RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB 0.4800
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN RQ3E070 MOSFET(금속) 8-HSMT(3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 7A(타) 4.5V, 10V 27m옴 @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 8.9nC @ 10V ±20V 15V에서 410pF - 2W(타)
KDZVTR16B Rohm Semiconductor KDZVTR16B 0.3900
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 KDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 150°C 표면 실장 SOD-123F KDZVTR16 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 12V에서 10μA 17.25V
SCS240KE2AHRC Rohm Semiconductor SCS240KE2AHRC -
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 ECAD 2858 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 SCS240 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 360 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍씩 시작됩니다 1200V 20A(DC) 1.6V @ 20A 0ns 1200V에서 400μA 175°C(최대)
RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH50TS65DGC11 4.0100
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 ECAD 188 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGTH50 기준 174W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 650V 50A 100A 2.1V @ 15V, 25A - 49nC 27ns/94ns
2SA1797T100P Rohm Semiconductor 2SA1797T100P 0.6500
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 ECAD 24 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SA1797 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 50V 2A 100nA(ICBO) PNP 350mV @ 50mA, 1A 82 @ 500mA, 2V 200MHz
RB075BM40SFHTL Rohm Semiconductor RB075BM40SFHTL 1.2800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RB075 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 750mV @ 5A 15.2ns 40V에서 5μA 150°C(최대) 5A
RB160SS-407HWT2R Rohm Semiconductor RB160SS-407HWT2R -
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 ECAD 9708 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 0603(1608미터법) RB160 쇼트키 KMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RB160SS-407HWT2RTR EAR99 8541.10.0080 8,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 550mV @ 700mA 40V에서 50μA 150°C 1A -
RZM001P02T2CL Rohm Semiconductor RZM001P02T2CL -
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 ECAD 1875년 0.00000000 로옴 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 RZM001 - - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RZM001P02T2CLTR EAR99 8541.21.0095 8,000 -
2SCR502E3HZGTL Rohm Semiconductor 2SCR502E3HZGTL 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SCR502 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 30V 500mA 200nA(ICBO) NPN 300mV @ 10mA, 200mA 200 @ 100mA, 2V 360MHz
YDZVFHTR22 Rohm Semiconductor YDZVFHTR22 0.3600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±10% 150°C (TJ) 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 YDZVFHTR22 500mW TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 16V에서 10μA 22V
EMB59T2R Rohm Semiconductor EMB59T2R 0.3900
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMB59 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 10k옴 47k옴
RSR020P05FRATL Rohm Semiconductor RSR020P05FRATL 0.3334
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 ECAD 1340 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RSR020 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 45V 2A(타) 4V, 10V 190m옴 @ 2A, 10V 3V @ 1mA 4.5nC @ 4.5V ±20V 10V에서 500pF - 540mW(타)
2SB1386T100Q Rohm Semiconductor 2SB1386T100Q 0.6100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SB1386 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 20V 5A 500nA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 4A 120 @ 500mA, 2V 120MHz
DTA123ECAT116 Rohm Semiconductor DTA123ECAT116 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 20mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
RBS3MM40BTR Rohm Semiconductor RBS3MM40BTR 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RBS3MM40 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 450mV @ 3A 20V에서 600μA 125°C 3A -
2SAR544PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR544PHZGT100 0.8700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 500mW SOT-89 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 80V 2.5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 50mA, 1A 120 @ 100mA, 3V 280MHz
2SC4102T106R Rohm Semiconductor 2SC4102T106R 0.4000
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 ECAD 19 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC4102 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 50mA 500nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 180 @ 2mA, 6V 140MHz
EM6K31T2R Rohm Semiconductor EM6K31T2R 0.5200
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 ECAD 31 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EM6K31 MOSFET(금속) 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 2 N채널(듀얼) 60V 250mA 2.4옴 @ 250mA, 10V 2.3V @ 1mA - 15pF @ 25V 게임 레벨 레벨
R6046FNZ1C9 Rohm Semiconductor R6046FNZ1C9 11.4400
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 ECAD 278 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6046FNZ1C9 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 600V 46A(Tc) 10V 98m옴 @ 23A, 10V 5V @ 1mA 150nC @ 10V ±30V 25V에서 6230pF - 120W(Tc)
KDZLVTR75 Rohm Semiconductor KDZLVTR75 0.4500
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 ECAD 506 0.00000000 로옴 KDZLV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F KDZLVTR75 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 57V에서 5μA 75V 250옴
BZX84C3V0LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V0LFHT116 0.1600
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 ECAD 159 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±6.67% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 10μA @ 1V 3V 95옴
RB481YFHT2R Rohm Semiconductor RB481YFHT2R -
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 ECAD 7738 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75-4, SOT-543 쇼트키 EMD4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RB481YFHT2RTR 더 이상 사용하지 않는 경우 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2개의 면 30V 100mA 430mV @ 100mA 10V에서 30μA 125°C(최대)
RB095BGE-40TL Rohm Semiconductor RB095BGE-40TL 0.9900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RB095 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 - 1쌍씩 시작됩니다 40V 6A 550mV @ 3A 40V에서 100μA 150°C(최대)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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