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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
BZX84C3V3LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V3LYFHT116 0.3800
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 ECAD 895 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.06% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1V에서 5μA 3.3V 95옴
R5016FNJTL Rohm Semiconductor R5016FNJTL 2.0698
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 ECAD 6200 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R5016 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1,000 N채널 500V 16A(티씨) 10V 325m옴 @ 8A, 10V 5V @ 1mA 46nC @ 10V ±30V 25V에서 1700pF - 255W(Tc)
RSR020N06TL Rohm Semiconductor RSR020N06TL 0.2181
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 ECAD 5439 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RSR020 MOSFET(금속) TSMT3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 2A(타) 4V, 10V 170m옴 @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 4.9nC @ 10V ±20V 10V에서 180pF - 540mW(타)
DTB743EETL Rohm Semiconductor DTB743EETL 0.4500
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 ECAD 150 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTB743 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 200mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 115 @ 100mA, 2V 260MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
2SA2018TL Rohm Semiconductor 2SA2018TL 0.4200
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SA2018 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 12V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 200mA 270@10mA, 2V 260MHz
UDZSTE-173.3B Rohm Semiconductor UDZSTE-173.3B 0.0616
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 ECAD 5932 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±3% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈스테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 20μA @ 1V 3.3V 120옴
RQ1A070ZPHZGTR Rohm Semiconductor RQ1A070ZPHZGTR 0.5900
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 ECAD 6467 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TSMT8 - 1(무제한) 3,000
BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor BC848BHZGT116 0.1900
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 100mA 100nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 200MHz
DTC144VUAT106 Rohm Semiconductor DTC144VUAT106 -
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 ECAD 4517 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC144 200mW UMT3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 30mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
R6015ENXC7G Rohm Semiconductor R6015ENXC7G 3.8300
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6015 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6015ENXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15A(타) 10V 290m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 40nC @ 10V ±20V 25V에서 910pF - 60W(Tc)
RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor RS6L090BGTB1 2.3600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 90A(Tc) 4.5V, 10V 4.7m옴 @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 28nC @ 10V ±20V 30V에서 1950pF - 3W(Ta), 73W(Tc)
RB168VWM-40TR Rohm Semiconductor RB168VWM-40TR 0.4600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RB168 쇼트키 PMDE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 690mV @ 1A 40V에서 500nA 175°C 1A -
RUS100N02TB Rohm Semiconductor RUS100N02TB 2.1500
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 ECAD 238 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RUS100 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 20V 10A(타) 1.5V, 4.5V 12m옴 @ 10A, 4.5V 1V @ 1mA 24nC @ 4.5V ±10V 2250pF @ 10V - 2W(타)
FMW2T148 Rohm Semiconductor FMW2T148 -
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 ECAD 1759년 0.00000000 로옴 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 FMW2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000
RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor RYM002N05T2CL 0.3800
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 ECAD 821 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 RYM002 MOSFET(금속) VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 50V 200mA(타) 0.9V, 4.5V 2.2옴 @ 200mA, 4.5V 800mV @ 1mA ±8V 10V에서 26pF - 150mW(타)
RBR20BGE40ATL Rohm Semiconductor RBR20BGE40ATL 2.1800
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBR20 쇼트키 TO-252GE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 40V 20A 550mV @ 10A 40V에서 360μA 150°C
UT6K30TCR Rohm Semiconductor UT6K30TCR 1.2100
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN UT6K30 MOSFET(금속) 2W(타) HUML2020L8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 3A(타) 153m옴 @ 3A, 10V 50μA에서 2.7V 2.1nC @ 10V 30V에서 110pF -
UMG9NTR Rohm Semiconductor UMG9NTR 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMG9 150mW UMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
TFZVTR15B Rohm Semiconductor TFZVTR15B 0.3700
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TFZVTR15 500mW TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 11V에서 200nA 15V 16옴
KDZLVTR130 Rohm Semiconductor KDZLVTR130 0.4500
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.15% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F KDZLVTR130 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 102V에서 5μA 130V 1100옴
SH8K2TB1 Rohm Semiconductor SH8K2TB1 0.5586
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 ECAD 6554 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 SH8K2 MOSFET(금속) 2W 8-SOP(5.0x6.0) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 6A 30m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 10.1nC @ 5V 520pF @ 10V 게임 레벨 레벨
SH8M2TB1 Rohm Semiconductor SH8M2TB1 0.3719
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 ECAD 3569 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8M2 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 3.5A 83m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 5V 140pF @ 10V -
2SCR514P5T100 Rohm Semiconductor 2SCR514P5T100 0.5000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SCR514 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 80V 700mA 1μA(ICBO) NPN 300mV @ 15mA, 300mA 120 @ 100mA, 3V 320MHz
DTA124XU3T106 Rohm Semiconductor DTA124XU3T106 0.2000
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA124 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
UFZVTE-178.2B Rohm Semiconductor UFZVTE-178.2B 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.67% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 500mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-UFZVTE-178.2BCT EAR99 8541.10.0050 3,000 500nA @ 5V 8.2V 8옴
R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor R8001CND3FRATL 2.4400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R8001 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 800V 1A(Tc) 10V 8.7옴 @ 500mA, 10V 5.5V @ 1mA 7.2nC @ 10V ±30V 25V에서 60pF - 36W(Tc)
RF305BGE6STL Rohm Semiconductor RF305BGE6STL 1.4300
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RF305 기준 TO-252GE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.7V @ 3A 30ns 600V에서 10μA 150°C 3A -
RBR3RSM40BTL1 Rohm Semiconductor RBR3RSM40BTL1 1.0000
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN 쇼트키 TO-277A 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 470mV @ 3A 40V에서 120μA 150°C 3A -
R6006ANDTL Rohm Semiconductor R6006ANDTL 1.1794
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 ECAD 2047년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R6006 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 6A(TC) 10V 1.2옴 @ 3A, 10V 4.5V @ 1mA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 460pF - 40W(Tc)
RR1VWM6STR Rohm Semiconductor RR1VWM6STR 0.3800
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 ECAD 11 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RR1VWM6 기준 PMDE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.2V @ 1A 600V에서 10μA 175°C(최대) 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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