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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
UMN10NFHTR Rohm Semiconductor umn10nfhtr 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMN10 기준 UMD6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
RB531ES-30T15R Rohm Semiconductor RB531ES-30T15R -
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0201 (0603 메트릭) RB531 Schottky DSN0603-2, SOD-962, SMD0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 100 ma 50 µa @ 30 v 150 ° C (°) 100ma -
RD3P08BBDTL Rohm Semiconductor RD3P08BBDTL 3.0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P08 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 80A (TA) 6V, 10V 11.6mohm @ 80a, 10V 4V @ 1MA 37 NC @ 10 v ± 20V 1940 pf @ 50 v - 119W (TA)
SP8K5FU6TB Rohm Semiconductor SP8K5FU6TB -
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K5 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 83mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.5NC @ 5V 140pf @ 10V 논리 논리 게이트
1SS355VMFHTE-17 Rohm Semiconductor 1SS355VMFHTE-17 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F 1SS355 기준 UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 v 150 ° C (°) 100ma 3pf @ 500mv, 1MHz
YDZVFHTR5.1 Rohm Semiconductor ydzvfhtr5.1 0.1020
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 9.8% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr5.1 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1.5 v 5.1 v
RT1A050ZPTR Rohm Semiconductor rt1a050zptr 1.0000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RT1A050 MOSFET (금속 (() 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 5A (TA) 1.5V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 1mA 34 NC @ 4.5 v ± 10V 2800 pf @ 6 v - 600MW (TA)
SCS210KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS210KE2GC11 10.1000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCS210 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS210KE2GC11 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 5A (DC) 1.6 V @ 5 a 0 ns 100 µa @ 1200 v 175 ° C
RFV15TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFV15TJ6SGC9 1.7500
RFQ
 ECAD 921 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 RFV15 기준 TO-220ACFP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.8 V @ 15 a 50 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C 15a -
TFZGTR36B Rohm Semiconductor TFZGTR36B 0.0886
RFQ
 ECAD 9733 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZGTR36 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 27 v 36 v 75 옴
ES6U42FU7T2R Rohm Semiconductor es6u42fu7t2r -
RFQ
 ECAD 4455 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-es6u42fu7t2rtr 쓸모없는 8,000
RD3T050CNTL1 Rohm Semiconductor RD3T050CNTL1 1.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3T050 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 5A (TC) 10V 760mohm @ 2.5a, 10V 5.25V @ 1mA 8.3 NC @ 10 v ± 30V 330 pf @ 25 v - 29W (TC)
RSJ400N06FRATL Rohm Semiconductor RSJ400N06FRATL 1.7800
RFQ
 ECAD 770 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ400 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 40A (TA) 10V 16mohm @ 40a, 10V 3V @ 1mA 52 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 10 v - 50W (TA)
RSS070P05HZGTB Rohm Semiconductor RSS070P05HZGTB 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS070 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 45 v 7A (TA) 4V, 10V 27mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 47.6 NC @ 5 v ± 20V 4100 pf @ 10 v - 2W (TA)
RBQ20BM65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ20BM65AFHTL 1.2700
RFQ
 ECAD 954 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBQ20 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 65 v 20A 630 mv @ 10 a 200 µa @ 65 v 150 ° C (°)
DTB123YCHZGT116 Rohm Semiconductor DTB123YCHZGT116 0.2400
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 500 MA - pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
RSR020P05FRATL Rohm Semiconductor RSR020P05FRATL 0.3334
RFQ
 ECAD 1340 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RSR020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 45 v 2A (TA) 4V, 10V 190mohm @ 2a, 10V 3V @ 1mA 4.5 nc @ 4.5 v ± 20V 500 pf @ 10 v - 540MW (TA)
2SB1580T100 Rohm Semiconductor 2SB1580T100 0.4223
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1580 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 2 a 10µA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 1000 @ 1a, 2v 50MHz
R6509KNXC7G Rohm Semiconductor R6509KNXC7G 2.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6509 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6509KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9A (TA) 10V 585mohm @ 2.8a, 10V 5V @ 230µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 25 v - 48W (TC)
DAN217CT116 Rohm Semiconductor DAN217CT116 -
RFQ
 ECAD 7867 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 smd3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-DAN217CT116TR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C 100ma -
EMH2T2R Rohm Semiconductor EMH2T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMH2T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
R6007END3TL1 Rohm Semiconductor R6007end3tl1 2.3500
RFQ
 ECAD 8331 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6007 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 620mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 1MA 20 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 78W (TC)
RB530SM-30T2R Rohm Semiconductor RB530SM-30T2R 0.2300
RFQ
 ECAD 356 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB530 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 10 ma 500 na @ 10 v 150 ° C (°) 200ma -
BZX84B8V2LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B8V2LFHT116 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 1.95% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
RB218NS-40FHTL Rohm Semiconductor RB218NS-40FHTL 1.6700
RFQ
 ECAD 580 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB218 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 770 MV @ 10 a 5 µa @ 40 v 150 ° C (°)
QH8MA3TCR Rohm Semiconductor QH8MA3TCR 0.7800
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8MA3 MOSFET (금속 (() 1.5W TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 7A, 5.5A 29mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 7.2NC @ 10V 300pf @ 15V -
DTA114EEBHZGTL Rohm Semiconductor dta114eebhzgtl 0.2300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA114 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
DTB543ZMT2L Rohm Semiconductor DTB543ZMT2L -
RFQ
 ECAD 5503 0.00000000 Rohm 반도체 DTB543Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTB543 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-DTB543ZMT2LTR 귀 99 8541.21.0075 8,000 12 v 500 MA 500NA pnp- 사전- + 다이오드 300mv @ 5ma, 100ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
SCS215AGC17 Rohm Semiconductor SCS215AGC17 6.1300
RFQ
 ECAD 5531 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS215AGC17 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 15 a 0 ns 300 µa @ 600 v 175 ° C 15a 550pf @ 1v, 1MHz
RB168VYM150FHTR Rohm Semiconductor RB168VYM150FHTR 0.5700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB168 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 890 mV @ 1 a 4.8 ns 1 µa @ 150 v 150 ° C (°) 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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