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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
BSS5130AHZGT116 Rohm Semiconductor BSS5130AHZGT116 0.5300
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ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS5130 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100nA(ICBO) PNP 380mV @ 25mA, 500mA 270 @ 100mA, 2V 320MHz
SCT4036KRC15 Rohm Semiconductor SCT4036KRC15 22.4500
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ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT4036 SiCFET(탄화규소) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT4036KRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 1200V 43A(Tc) 18V 47m옴 @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91nC @ 18V +21V, -4V 800V에서 2335pF - 176W
SCS302APC9 Rohm Semiconductor SCS302APC9 1.1520
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ECAD 5172 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 스루홀 TO-220-2 SCS302 SiC(탄화규소) 쇼트키 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.5V @ 2A 0ns 650V에서 10.8μA 175°C(최대) 2A 110pF @ 1V, 1MHz
RQ3E180GNTB Rohm Semiconductor RQ3E180GNTB 0.7100
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ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN RQ3E180 MOSFET(금속) 8-HSMT(3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 18A(타) 4.5V, 10V 4.3m옴 @ 18A, 10V 2.5V @ 1mA 22.4nC @ 10V ±20V 1520pF @ 15V - 2W(타)
DTC114EBT2L Rohm Semiconductor DTC114EBT2L -
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ECAD 9640 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-923F DTC114 150mW VMN3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RAL045P01TCR Rohm Semiconductor RAL045P01TCR 0.2801
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ECAD 5146 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RAL045 MOSFET(금속) TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 4.5A(타) 1.5V, 4.5V 30m옴 @ 4.5A, 4.5V 1V @ 1mA 40nC @ 4.5V -8V 6V에서 4200pF - 1W(타)
RGCL80TK60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL80TK60DGC11 6.0100
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ECAD 433 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3PFM, SC-93-3 RGCL80 기준 57W TO-3PFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 600V 35A 160A 1.8V @ 15V, 40A 1.11mJ(켜짐), 1.68mJ(꺼짐) 98nC 53ns/227ns
BM63373S-VC Rohm Semiconductor BM63373S-VC 21.4000
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ECAD 10 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.327", 33.70mm) IGBT BM63373 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BM63373S-VC EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 10A 600V 1500Vrms
RSS130N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS130N03FU6TB -
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ECAD 5713 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) RSS130 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 13A(타) 4V, 10V 8.1m옴 @ 13A, 10V 2.5V @ 1mA 35nC @ 5V 20V 10V에서 2000pF - 2W(타)
2SAR512RTL Rohm Semiconductor 2SAR512RTL 0.5500
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ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SAR512 1W TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 2A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 35mA, 700mA 200 @ 100mA, 2V 430MHz
EM6K6T2R Rohm Semiconductor EM6K6T2R 0.5000
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ECAD 15 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EM6K6 MOSFET(금속) 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 2 N채널(듀얼) 20V 300mA 1옴 @ 300mA, 4V 1V @ 1mA - 25pF @ 10V 게임 레벨 레벨
SP8M10FU6TB Rohm Semiconductor SP8M10FU6TB -
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ECAD 7224 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SP8M10 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 7A, 4.5A 24m옴 @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 11.8nC @ 5V 600pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RD3G600GNTL Rohm Semiconductor RD3G600GNTL 1.9200
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ECAD 1406 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3G600 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 60A(타) 4.5V, 10V 3.6m옴 @ 60A, 10V 2.5V @ 1mA 46.5nC @ 10V ±20V 20V에서 3400pF - 40W(타)
2SAR563F3TR Rohm Semiconductor 2SAR563F3TR 0.9000
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ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-UDFN 옆패드 1W HUML2020L3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SAR563F3TRCT EAR99 8541.29.0075 3,000 50V 6A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 150mA, 3A 180 @ 500mA, 3V 200MHz
GDZT2R6.2B Rohm Semiconductor GDZT2R6.2B -
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ECAD 3672 0.00000000 로옴 GDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5.4% 150°C (TJ) 표면 실장 0201(0603미터법) GDZT2R 100mW GMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-GDZT2R6.2BTR EAR99 8541.10.0050 8,000 3V에서 1μA 6.2V
CDZVT2R30B Rohm Semiconductor CDZVT2R30B 0.2400
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ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.5% 150°C 표면 실장 SOD-923 CDZVT2 100mW VMN2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 23V 30V 200옴
RR2L6STE25 Rohm Semiconductor RR2L6STE25 0.2416
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ECAD 2809 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 DO-214AC, SMA RR2L6 기준 PMDS - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.1V @ 2A 600V에서 10μA 150°C(최대) 2A -
GDZT2R5.1 Rohm Semiconductor GDZT2R5.1 -
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ECAD 6480 0.00000000 로옴 GDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -55°C ~ 125°C 표면 실장 0201(0603미터법) GDZT2R 100mW GMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 1.5V에서 2μA 5.1V
DTA123JUBHZGTL Rohm Semiconductor DTA123JUBHZGTL 0.2200
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ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-85 DTA123 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
EMD62T2R Rohm Semiconductor EMD62T2R 0.4700
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD62 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 47k옴 47k옴
BSS4130AHZGT116 Rohm Semiconductor BSS4130AHZGT116 0.5300
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ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS4130 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100nA(ICBO) NPN 340mV @ 50mA, 500mA 270 @ 100mA, 2V 400MHz
RB088RSM15STFTL1 Rohm Semiconductor RB088RSM15STFTL1 1.6100
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ECAD 4353 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN 쇼트키 TO-277A 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 150V 10A에서 880mV 150V에서 4.5μA 175°C 10A -
2SA1577T106Q Rohm Semiconductor 2SA1577T106Q 0.3300
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ECAD 14 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1577 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 32V 500mA 1μA(ICBO) PNP 600mV @ 30mA, 300mA 120 @ 100mA, 3V 200MHz
SCT2450KEGC11 Rohm Semiconductor SCT2450KEGC11 11.8600
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ECAD 6721 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SCT2450 SiCFET(탄화규소) TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT2450KEGC11 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 1200V 10A(TC) 18V 585m옴 @ 3A, 18V 4V @ 900μA 27nC @ 18V +22V, -6V 800V에서 463pF - 85W(Tc)
RLZTE-115.6B Rohm Semiconductor RLZTE-115.6B -
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ECAD 6442 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500 2.5V에서 5μA 5.6V 13옴
SCS140AE2C Rohm Semiconductor SCS140AE2C -
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ECAD 1563년 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 SCS140 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 360 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 600V 20A(DC) 1.7V @ 20A 0ns 600V에서 400μA 175°C(최대)
RDN150N20FU6 Rohm Semiconductor RDN150N20FU6 -
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ECAD 9865 0.00000000 로옴 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RDN150 MOSFET(금속) TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 200V 15A(타) 10V 160m옴 @ 7.5A, 10V 4V @ 1mA 64nC @ 10V ±30V 10V에서 1224pF - 40W(Tc)
RB056LAM-40TFTR Rohm Semiconductor RB056LAM-40TFTR 0.4900
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ECAD 11 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RB056 쇼트키 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 40V에서 50μA 150°C(최대) 3A -
RBQ10T45ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ10T45ANZC9 1.1600
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ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RBQ10 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 45V 10A 650mV @ 5A 45V에서 70μA 150°C
EDZGTE615.1B Rohm Semiconductor EDZGTE615.1B -
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ECAD 2013년 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZGT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZGTE615.1BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고