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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | RRE07VTM6SFHTR | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | RRE07 | 기준 | tumd2sm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 700 ma | 1 µa @ 600 v | 150 ° C (°) | 700ma | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB540VM-30TE-17 | 0.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | RB540 | Schottky | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 450 mV @ 10 ma | 500 na @ 10 v | 150 ° C (°) | 200ma | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tfzvtr10b | 0.3700 | ![]() | 5744 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | tfzvtr10 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 7 v | 10 v | 8 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vdzt2r33b | - | ![]() | 8665 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-723 | vdzt2 | 100MW | VMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 25 v | 33 v | 250 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN5BM6STL | 0.5445 | ![]() | 2764 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RFN5BM6 | 기준 | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.55 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 600 v | 150 ° C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS110AGC | - | ![]() | 2893 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | SCS110 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 600 v | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 200 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 10A | 430pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMX1FHAT2R | 0.0611 | ![]() | 7439 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | EMX1FHAT2 | 150MW | EMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 150ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (() | 400mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RMW200N03TB | 0.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | RMW200 | MOSFET (금속 (() | 8-PSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 1mA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1780 pf @ 15 v | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R6014ynx3c16 | 3.7100 | ![]() | 9832 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | R6014 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 846-R6014YNX3C16 | 50 | n 채널 | 600 v | 14A (TC) | 10V, 12V | 260mohm @ 5a, 12v | 6V @ 1.4ma | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 890 pf @ 100 v | - | 132W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | rf101lam2stftr | 0.4400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | RF101 | 기준 | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 870 mv @ 1 a | 25 ns | 10 µa @ 200 v | 150 ° C (°) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZVTR6.8A | 0.1275 | ![]() | 8490 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 5.88% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-128 | PDZVTR6.8 | 1 W. | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µa @ 3.5 v | 6.8 v | 6 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB751VM-40FHTE-17 | 0.4800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | RB751 | Schottky | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 370 mV @ 1 ma | 500 NA @ 30 v | 150 ° C (°) | 30ma | 2pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMA10AT148 | 0.1119 | ![]() | 5817 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | FMA10 | 300MW | SMT5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 500µA, 10MA | 33 @ 5MA, 5V | 250MHz | 1kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzste-172.0b | 0.0616 | ![]() | 2454 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 120 µa @ 500 v | 2 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ27nt106 | 0.4100 | ![]() | 490 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | UMZ27 | 200 MW | UMD3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 21 v | 27 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdzfht2ra6.8b | 0.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101, CDZFH | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 2.06% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-923 | cdzfht2 | 100MW | VMN2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 NA @ 3.5 v | 6.79 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | scs206ajtll | 3.7000 | ![]() | 5255 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SCS206 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.55 V @ 6 a | 0 ns | 120 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 6A | 219pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | udzvfhte-172.4b | 0.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 4.17% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzvfhte | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 120 µa @ 1 v | 2.4 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF101A2st-32 | - | ![]() | 5365 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-41 미니, 축 방향 | RF101 | 기준 | MSR | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | RF101A2ST-32TB | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 870 mv @ 1 a | 25 ns | 10 µa @ 200 v | 150 ° C (°) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168M150TR | 0.1884 | ![]() | 3675 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SOD-123F | RB168 | Schottky | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 840 mV @ 1 a | 20 µa @ 150 v | 150 ° C (°) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1867TV2 | - | ![]() | 6849 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | 1 W. | ATV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 100 v | 2 a | 10µA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.5v @ 1ma, 1a | 1000 @ 1a, 2v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848BHZGT116 | 0.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TFZGTR7.5B | 0.0886 | ![]() | 7531 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | * | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | TFZGTR7.5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6008fnjtl | 2.0962 | ![]() | 7503 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | R6008 | MOSFET (금속 (() | lpt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 8A (TC) | 10V | 950mohm @ 4a, 10V | 4V @ 1MA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 580 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EMT2L | 0.3900 | ![]() | 871 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | DTA114 | 150 MW | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 50 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 20 @ 5ma, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB060L-40DDTE25 | 0.6700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RB060 | Schottky | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 1 ma @ 40 v | 125 ° C (°) | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB751S-40GJTE61 | - | ![]() | 3791 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | RB751 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RB751S-40GJTE61TR | 쓸모없는 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR544RTL | 0.6500 | ![]() | 6916 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | 2SAR544 | 1 W. | TSMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 80 v | 2.5 a | 1µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50ma, 1a | 120 @ 100MA, 3V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
RSS090P03FU6TB1 | - | ![]() | 3965 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RSS090P03FU6TB1TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 9A (TA) | 4V, 10V | 14mohm @ 9a, 10V | 2.5V @ 1mA | 39 NC @ 5 v | ± 20V | 4000 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR502EBTL | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | 2SCR502 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 500 MA | 200NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10ma, 200ma | 200 @ 100ma, 2v | 360MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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