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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
CDZVT2R13B Rohm Semiconductor CDZVT2R13B 0.2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.23% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 cdzvt2 100MW vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 10 v 13 v 37 옴
2SCR553PT100 Rohm Semiconductor 2SCR553PT100 0.5800
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR553 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 350mv @ 35ma, 700ma 180 @ 50MA, 2V 360MHz
RVQ040N05HZGTR Rohm Semiconductor RVQ040N05HZGTR 0.9600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RVQ040 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 45 v 4A (TA) 4V, 10V 53mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1mA 8.8 NC @ 5 v ± 21V 530 pf @ 10 v - 950MW (TA)
R6012FNJTL Rohm Semiconductor R6012FNJTL 1.9948
RFQ
 ECAD 1245 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6012 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 510mohm @ 6a, 10V 5V @ 1MA 35 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 25 v - 50W (TC)
RFV5BM6SFHTL Rohm Semiconductor RFV5BM6SFHTL 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFV5BM6 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.8 V @ 5 a 40 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 5a -
QS5U16TR Rohm Semiconductor qs5u16tr 0.2360
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QS5U16 MOSFET (금속 (() TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 1mA 3.9 NC @ 4.5 v ± 12V 175 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 900MW (TA)
RAL045P01TCR Rohm Semiconductor RAL045P01TCR 0.2801
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RAL045 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 4.5A (TA) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 1mA 40 nc @ 4.5 v -8V 4200 pf @ 6 v - 1W (TA)
RBR3LAM40CTFTR Rohm Semiconductor rbr3lam40ctftr 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rbr3lam40 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 3A -
KDZVTR11B Rohm Semiconductor KDZVTR11B 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 KDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZVTR11 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 8 v 11.65 v
R6020JNZC8 Rohm Semiconductor R6020JNZC8 7.0000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 600 v 20A (TC) 15V 234mohm @ 10a, 15V 7V @ 3.5mA 45 nc @ 15 v ± 30V 1500 pf @ 100 v - 76W (TC)
BAS40-04HYT116 Rohm Semiconductor BAS40-04HYT116 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C
YFZVFHTR30B Rohm Semiconductor yfzvfhtr30b 0.4300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.52% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr30 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 23 v 28.42 v 55 옴
VDZT2R2.2B Rohm Semiconductor vdzt2r2.2b -
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-723 vdzt2 100MW VMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 2.2 v
2SD1858TV2R Rohm Semiconductor 2SD1858TV2R -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 1 a 500NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 150MHz
EMZ51T2R Rohm Semiconductor EMZ51T2R 0.4700
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMZ51 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 20V 200ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 6V 400MHz, 350MHz
EDZGTE617.5B Rohm Semiconductor EDZGTE617.5B -
RFQ
 ECAD 4447 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzgt 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZGTE617.5BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
2SB1275TLP Rohm Semiconductor 2SB1275TLP 1.0500
RFQ
 ECAD 653 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SB1275 10 W. CPT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 160 v 1.5 a 1µA (ICBO) PNP 2V @ 100MA, 1A 82 @ 100MA, 5V 50MHz
SCS106AGC Rohm Semiconductor SCS106AGC -
RFQ
 ECAD 7034 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS106 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 600 v 1.5 v @ 6 a 0 ns 120 µa @ 600 v 175 ° C (°) 6A 260pf @ 1v, 1MHz
UMG9NTR Rohm Semiconductor umg9ntr 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMG9 150MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
TDZTR9.1 Rohm Semiconductor tdztr9.1 0.1088
RFQ
 ECAD 4543 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdztr9.1 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 5.5 v 9.1 v
EDZTE614.3B Rohm Semiconductor edzte614.3b -
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZTE614 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
RSS105N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS105N03FU6TB -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS105 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10.5A (TA) 4V, 10V 11.7mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 1mA 15 nc @ 5 v 20V 1130 pf @ 10 v - 2W (TA)
SDZT15R7.5 Rohm Semiconductor SDZT15R7.5 0.3100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 SDZT15 100MW SMD0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 500 NA @ 400 v 7.5 v
KDZVTR6.8B Rohm Semiconductor KDZVTR6.8B 0.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 KDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZVTR6.8 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 3.5 v 7.25 v
RF305B6STL Rohm Semiconductor RF305B6STL -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RF305 기준 CPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 150 ° C (°) 3A -
CDZFHT2RA18B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA18B 0.4100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 cdzfht2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 13 v 17.96 v 65 옴
R6006KND3TL1 Rohm Semiconductor R6006KND3TL1 2.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6006 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 6A (TC) 10V 830mohm @ 3a, 10V 5.5V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 70W (TC)
EMZ6.8NFHTL Rohm Semiconductor emz6.8nfhtl 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.93% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 EMZ6.8 150 MW EMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
SH8K10SGZETB Rohm Semiconductor SH8K10SGZETB 1.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8K10 MOSFET (금속 (() 1.4W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 7A (TA), 8.5A (TA) 24mohm @ 7a, 10v, 19.6mohm @ 8.5a, 10v 2.5V @ 1mA 16.8nc @ 5v, 17.8nc @ 5v 660pf @ 10v, 830pf @ 10v -
UFZVFHTE-1736B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1736B 0.3100
RFQ
 ECAD 4885 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.47% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvfhte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 27 v 36 v 75 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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