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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
SCT3105KW7TL Rohm Semiconductor SCT3105KW7TL 15.6300
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA SCT3105 SiCFET(탄화규소) TO-263-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 1200V 23A(TC) 137m옴 @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51nC @ 18V +22V, -4V 800V에서 574pF - 125W
RSS090N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS090N03FU6TB -
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 ECAD 2530 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) RSS090 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 9A(타) 4V, 10V 15m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 5V ±20V 10V에서 810pF - 2W(타)
R6025ANZFU7C8 Rohm Semiconductor R6025ANZFU7C8 -
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 ECAD 5024 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6025 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 846-R6025ANZFU7C8 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 25A(TC) 10V 150m옴 @ 12.5A, 10V 4.5V @ 1mA 88nC @ 10V ±30V 10V에서 3250pF - 150W(Tc)
RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor RF4E100AJTCR 0.8700
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 ECAD 11 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerUDFN RF4E100 MOSFET(금속) HUML2020L8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 10A(타) 4.5V 12.4m옴 @ 10A, 4.5V 1.5V @ 1mA 13nC @ 4.5V ±12V 1460pF @ 15V - 2W(Tc)
PDZVTFTR24B Rohm Semiconductor PDZVTFTR24B 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, PDZVTF 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±7.5% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 PDZVTFTR24 1W PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 19V에서 10μA 25.8V 16옴
QS8K2TR Rohm Semiconductor QS8K2TR 0.9200
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 ECAD 4199 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QS8K2 MOSFET(금속) 1.25W TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 3.5A 54m옴 @ 3.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V 285pF @ 10V 게임 레벨 레벨
SP8M8FU6TB Rohm Semiconductor SP8M8FU6TB -
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 ECAD 7477 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SP8M8 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 6A, 4.5A 30m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 10.1nC @ 5V 520pF @ 10V 게임 레벨 레벨
UMN11NTN Rohm Semiconductor UMN11NTN 0.4300
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 ECAD 33 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMN11 기준 UMD6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2쌍씩 시작됩니다 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 70V에서 100nA 150°C(최대)
RSX051VYM30FHTR Rohm Semiconductor RSX051VYM30FHTR 0.3900
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RSX051 쇼트키 TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 500mA에서 390mV 9.6ns 30V에서 200μA 150°C(최대) 500mA -
RSQ035P03TR Rohm Semiconductor RSQ035P03TR 0.7500
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RSQ035 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 3.5A(타) 4V, 10V 65m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.2nC @ 5V ±20V 10V에서 780pF - 1.25W(타)
RBR1MM30ATFTR Rohm Semiconductor RBR1MM30ATFTR 0.3800
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RBR1MM30 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 480mV @ 1A 30V에서 50μA 150°C(최대) 1A -
R5016ANJTL Rohm Semiconductor R5016ANJTL 2.9591
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 ECAD 9089 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R5016 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 500V 16A(타) 10V 270m옴 @ 8A, 10V 4.5V @ 1mA 50nC @ 10V ±30V 25V에서 1800pF - 100W(Tc)
RF201L2STE25 Rohm Semiconductor RF201L2STE25 0.1769
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 ECAD 8092 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 DO-214AC, SMA RF201 기준 PMDS - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 870mV @ 2A 25ns 200V에서 10μA 150°C(최대) 2A -
RB088B150TL Rohm Semiconductor RB088B150TL -
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 ECAD 2111 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 쇼트키 CPD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 150V 10A 880mV @ 5A 150V에서 15μA 150°C
RLZTE-114.7C Rohm Semiconductor RLZTE-114.7C -
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 ECAD 4665 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500 1V에서 5μA 4.7V 25옴
RB520HS-30T15R Rohm Semiconductor RB520HS-30T15R 0.3800
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 ECAD 28 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 0201(0603미터법) RB520 쇼트키 DSN0603-2, SOD-962, SMD0603 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 15,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 430mV @ 10mA 300nA @ 10V 150°C 200mA -
FMA3AT148 Rohm Semiconductor FMA3AT148 0.1312
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 ECAD 6177 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 FMA3 300mW SMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7k옴 -
DTA143EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA143EE3HZGTL 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA143 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
EDZFHTE6116B Rohm Semiconductor EDZFHTE6116B -
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 ECAD 8143 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZFHT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZFHTE6116BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
IMD3AT108 Rohm Semiconductor IMD3AT108 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMD3 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor RF4G060ATTCR 0.9100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN RF4G060 MOSFET(금속) HUML2020L8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 40V 6A(타) 4.5V, 10V 40m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 17.2nC @ 10V ±20V 20V에서 880pF - 2W(타)
RB521S-30GDTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30GDTE61 -
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 ECAD 9609 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 RB521 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-RB521S-30GDTE61TR EAR99 8541.10.0070 3,000
HP8M31TB1 Rohm Semiconductor HP8M31TB1 2.4200
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN HP8M31 MOSFET(금속) 3W(타) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 60V 8.5A(타) 65m옴 @ 8.5A, 10V, 70m옴 @ 8.5A, 10V 3V @ 1mA 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V 30V에서 470pF, 30V에서 2300pF -
1SR154-400TE25A Rohm Semiconductor 1SR154-400TE25A -
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 ECAD 4849 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 DO-214AC, SMA 1SR154-400 기준 PMDS - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 6,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 400V 1.1V @ 1A 400V에서 10μA 150°C(최대) 1A -
RB068MM-30TR Rohm Semiconductor RB068MM-30TR 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RB068 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 700mV @ 2A 30V에서 800nA 150°C 2A -
RB088NS150TL Rohm Semiconductor RB088NS150TL 1.6000
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 ECAD 886 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RB088 쇼트키 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 150V 10A 880mV @ 5A 150V에서 15μA 150°C(최대)
RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor RBQ10NS65ATL 0.5423
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 ECAD 2968년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RBQ10 쇼트키 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 65V 10A 690mV @ 5A 65V에서 70μA 150°C(최대)
RB168VWM-40TFTR Rohm Semiconductor RB168VWM-40TFTR 0.5600
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 ECAD 9814 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RB168 쇼트키 PMDE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 690mV @ 1A 40V에서 500nA 175°C 1A -
UDZVFHTE-1710B Rohm Semiconductor UDZVFHTE-1710B 0.3900
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.2% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F UDZVFHTE 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA @ 7V 10V 30옴
EMG1T2R Rohm Semiconductor EMG1T2R 0.3800
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 EMG1T2 150mW EMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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  • Worldwide Manufacturers

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