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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
CDZFHT2RA6.8B Rohm Semiconductor cdzfht2ra6.8b 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 cdzfht2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 NA @ 3.5 v 6.79 v 40
SCS206AJTLL Rohm Semiconductor scs206ajtll 3.7000
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SCS206 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 6 a 0 ns 120 µa @ 600 v 175 ° C (°) 6A 219pf @ 1v, 1MHz
UDZVFHTE-172.4B Rohm Semiconductor udzvfhte-172.4b 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.17% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvfhte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 120 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
RF101A2ST-32 Rohm Semiconductor RF101A2st-32 -
RFQ
 ECAD 5365 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-41 미니, 축 방향 RF101 기준 MSR 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RF101A2ST-32TB 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 870 mv @ 1 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 1A -
RB168M150TR Rohm Semiconductor RB168M150TR 0.1884
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-123F RB168 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 840 mV @ 1 a 20 µa @ 150 v 150 ° C (°) 1A -
2SD1867TV2 Rohm Semiconductor 2SD1867TV2 -
RFQ
 ECAD 6849 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 100 v 2 a 10µA (ICBO) npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 1000 @ 1a, 2v 80MHz
BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor BC848BHZGT116 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 200MHz
TFZGTR7.5B Rohm Semiconductor TFZGTR7.5B 0.0886
RFQ
 ECAD 7531 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 TFZGTR7.5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
R6008FNJTL Rohm Semiconductor R6008fnjtl 2.0962
RFQ
 ECAD 7503 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6008 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 950mohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 20 nc @ 10 v ± 30V 580 pf @ 25 v - 50W (TC)
DTA114EMT2L Rohm Semiconductor DTA114EMT2L 0.3900
RFQ
 ECAD 871 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA114 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 50 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 5ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RB060L-40DDTE25 Rohm Semiconductor RB060L-40DDTE25 0.6700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RB060 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 1 ma @ 40 v 125 ° C (°) 2A -
RB751S-40GJTE61 Rohm Semiconductor RB751S-40GJTE61 -
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB751 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB751S-40GJTE61TR 쓸모없는 3,000
2SAR544RTL Rohm Semiconductor 2SAR544RTL 0.6500
RFQ
 ECAD 6916 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SAR544 1 W. TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 80 v 2.5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 1a 120 @ 100MA, 3V 280MHz
RSS090P03FU6TB1 Rohm Semiconductor RSS090P03FU6TB1 -
RFQ
 ECAD 3965 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RSS090P03FU6TB1TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 14mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 39 NC @ 5 v ± 20V 4000 pf @ 10 v - 2W (TA)
QS8F2TCR Rohm Semiconductor qs8f2tcr 0.3334
RFQ
 ECAD 6191 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 12V, 30V 범용 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8F2 TSMT8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2.5A, 2A PNP, P p
R8002KNXC7G Rohm Semiconductor R8002KNXC7G 2.0300
RFQ
 ECAD 960 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R8002 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 1.6A (TA) 10V 4.2ohm @ 800ma, 10V 4.5V @ 150µA 7.5 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 100 v - 28W (TC)
DA227YFHT2R Rohm Semiconductor DA227YFHT2R -
RFQ
 ECAD 1057 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75-4, SOT-543 기준 EMD4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-DA227YFHT2RTR 쓸모없는 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
R5009ANX Rohm Semiconductor R5009anx 1.4461
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R5009 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-r5009anx 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 720mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 1mA 21 NC @ 10 v ± 30V 650 pf @ 25 v - 50W (TC)
DTB743EETL Rohm Semiconductor dtb743eetl 0.4500
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTB743 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 200 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 115 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
UDZLVFHTE-1768 Rohm Semiconductor udzlvfhte-1768 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzlvfhte-1768 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 52 v 68 v
TFZTR4.3B Rohm Semiconductor tfztr4.3b 0.0886
RFQ
 ECAD 5449 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZTR4.3 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 4.3 v
MTZJT-7720C Rohm Semiconductor MTZJT-7720C -
RFQ
 ECAD 3252 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 15 v 20 v 30 옴
CDZFHT2RA5.1B Rohm Semiconductor cdzfht2ra5.1b 0.0649
RFQ
 ECAD 9141 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.16% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 cdzfht2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 2 µa @ 1.5 v 5.09 v 80 옴
2SD2704KT146 Rohm Semiconductor 2SD2704KT146 0.3800
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2704 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 100mv @ 3ma, 30ma 820 @ 4ma, 2v 35MHz
RRS075P03Z00TB1 Rohm Semiconductor RRS075P03Z00TB1 -
RFQ
 ECAD 8989 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RRS075P03Z00TB1TR 쓸모없는 2,500 -
BAS16HYT116 Rohm Semiconductor BAS16HYT116 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C 215MA 2pf @ 0V, 1MHz
2SA1807TLP Rohm Semiconductor 2SA1807TLP -
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SA1807 1 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 600 v 1 a 10µA (ICBO) PNP 1V @ 60MA, 300MA 82 @ 100MA, 5V 15MHz
BZX84C24VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C24VLYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 8638 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.83% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 17 v 24 v 70 옴
PDZVTR10B Rohm Semiconductor pdzvtr10b 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 PDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PDZVTR10 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 7 v 10.6 v 6 옴
SCS120AGC Rohm Semiconductor SCS120AGC -
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS120 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 600 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 400 µa @ 600 v 175 ° C (°) 20A 860pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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