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디스크리트 반도체(6960)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	속도	FET 종류	자연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
RB160SS-40HWT2R	-	보상요청	9272	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	0603(1608미터법)	RB160	쇼트키		KMD2	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	846-RB160SS-40HWT2RTR	EAR99	8541.10.0080	8,000	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													40V		550mV @ 700mA		40V에서 50μA	150°C	1A	-
DTC044TMT2L	0.0382	보상요청	8666	로옴	DTC044T	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SOT-723	DTC044		150mW	VMT3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	60mA	500nA(ICBO)			NPN - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 5mA	100 @ 5mA, 10V	250MHz	47kΩ
RBR3RSM40BTFTL1	1.2100	보상요청	4	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	TO-277, 3-PowerDFN		쇼트키		TO-277A	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	4,000	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													40V		470mV @ 3A		40V에서 120μA	150°C	3A	-
DTC043TUBTL	0.3000	보상요청	3	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SC-85	DTC043		200mW	UMT3F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100mA	500nA(ICBO)			NPN - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 5mA	100 @ 5mA, 10V	250MHz	4.7kΩ
R6086YNZC17	19.6100	보상요청	6868	로옴	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드		1(무제한)		846-R6086YNZC17			300		N채널	600V	33A(티씨)	10V, 12V	44m옴 @ 17A, 12V	6V @ 4.6mA	110nC @ 10V	±30V	100V에서 5100pF	-	114W(Tc)
RBQ20NS65ATL	1.5400	보상요청	500	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	RBQ20	쇼트키		LPDS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1,000	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)												1쌍의 세션이 시작됩니다	65V	10A	690mV @ 10A		65V에서 140μA	150°C
QS5Y2FSTR	0.6400	보상요청	19	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5	QS5Y2		500mW	TSMT5	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	3A	1μA(ICBO)			NPN, PNP(이미터)	350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A	180 @ 50mA, 3V	320MHz, 300MHz
DTC144EU3T106	0.2000	보상요청	5	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SC-70, SOT-323	DTC144		200mW	UMT3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																							100mA	-			NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	68 @ 5mA, 5V	250MHz	47kΩ	47kΩ
DAP222ZMT2L	0.3700	보상요청	9	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SOT-723	DAP222	기준		VMD3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	8,000	작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도												1쌍 구역	80V	100mA	1.2V @ 100mA	4ns	70V에서 100nA	150°C
CDZT2RA13B	0.0841	보상요청	2402	로옴	CDZ	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	±2%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	SOD-923	CDZT2		100mW	VMN2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	8,000																		100nA @ 10V							13V	37옴
RQ5E050ATTCL	0.6900	보상요청	14	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SC-96	RQ5E050	MOSFET(금속)		TSMT3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널	30V	5A(타)	4.5V, 10V	26m옴 @ 5A, 10V	2.5V @ 1mA	19.4nC @ 10V	±20V	15V에서 880pF	-	760mW(타)
R6020ENZM12C8	-	보상요청	1099	로옴	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩	R6020	MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	846-R6020ENZM12C8	EAR99	8541.29.0095	30		N채널	600V	20A(TC)	10V	196m옴 @ 9.5A, 10V	4V @ 1mA	60nC @ 10V	±20V	25V에서 1400pF	-	120W(Tc)
2SCRC41CT116S	0.4100	보상요청	2	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA	2SCRC41		200mW	SOT-223-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																						120V	50mA	500nA(ICBO)			NPN	500mV @ 1mA, 10mA	180 @ 2mA, 6V	140MHz
RSR010N10HZGTL	0.7100	보상요청	6	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SC-96	RSR010	MOSFET(금속)		TSMT3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000		N채널	100V	1A(타)	4V, 10V	520m옴 @ 1A, 10V	2.5V @ 1mA	3.5nC @ 5V	±20V	25V에서 140pF	-	700mW(타)
RBR10BM30ATL	1.0900	보상요청	2	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.			표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	RBR10	쇼트키		TO-252	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	2,500	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)												1쌍의 세션이 시작됩니다	30V	5A	550mV @ 5A		30V에서 100μA	150°C
SCT3120AW7TL	11.0300	보상요청	848	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA	SCT3120	SiCFET(탄화규소)		TO-263-7	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널	650V	21A(TC)		156m옴 @ 6.7A, 18V	5.6V @ 3.33mA	38nC @ 18V	+22V, -4V	500V에서 460pF	-	100W
RBR3MM60ATR	0.5000	보상요청	2450	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SOD-123F	RBR3MM60	쇼트키		PMDU	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	3,000	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													60V		660mV @ 3A		60V에서 100μA	150°C(최대)	3A	-
DTC123YEBHZGTL	0.0658	보상요청	6849	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.			표면 실장	SC-89, SOT-490	DTC123		150mW	EMT3F (SOT-416FL)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100mA	500nA			NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	33 @ 10mA, 5V	250MHz	2.2kΩ	10kΩ
RFUH20NS4STL	2.4100	보상요청	970	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	RFUH20	기준		LPDS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1,000	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													430V		1.7V @ 20A	25ns	430V에서 10μA	150°C	20A	-
R6006PND3FRATL	2.8300	보상요청	2	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	R6006	MOSFET(금속)		TO-252	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	600V	6A(TC)	10V	1.2옴 @ 3A, 10V	4.5V @ 1mA	15nC @ 10V	±30V	25V에서 460pF	-	87W(Tc)
BZX84C15VLFHT116	0.1600	보상요청	3	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	±6.12%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		250mW	SSD3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																		100nA @ 10V							14.7V	30옴
R6030ENZC17	6.9600	보상요청	300	로옴	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩	R6030	MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	846-R6030ENZC17	EAR99	8541.29.0095	30		N채널	600V	30A(Tc)	10V	130m옴 @ 14.5A, 10V	4V @ 1mA	85nC @ 10V	±20V	2100pF @ 25V	-	120W(Tc)
RBQ30NS45ATL	-	보상요청	5193	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	RBQ30	쇼트키		LPDS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1,000	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)												1쌍의 세션이 시작됩니다	45V	15A	650mV @ 15A		45V에서 200μA	150°C
RB088B150TL	-	보상요청	2111	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		쇼트키		CPD	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.10.0080	3,000	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)												1쌍의 세션이 시작됩니다	150V	10A	880mV @ 5A		150V에서 15μA	150°C
RLZTE-114.7C	-	보상요청	4665	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	±3%	-	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW	LLDS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	2,500																		1V에서 5μA							4.7V	25옴
RSX051VYM30FHTR	0.3900	보상요청	7	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	2-SMD, 플랫 리드	RSX051	쇼트키		TUMD2M	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													30V		500mA에서 390mV	9.6ns	30V에서 200μA	150°C(최대)	500mA	-
RB520HS-30T15R	0.3800	보상요청	28	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	0201(0603미터법)	RB520	쇼트키		DSN0603-2, SOD-962, SMD0603	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	15,000	작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도													30V		430mV @ 10mA		300nA @ 10V	150°C	200mA	-
RBR1MM30ATFTR	0.3800	보상요청	4	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SOD-123F	RBR1MM30	쇼트키		PMDU	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	3,000	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													30V		480mV @ 1A		30V에서 50μA	150°C(최대)	1A	-
FMA3AT148	0.1312	보상요청	6177	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SC-74A, SOT-753	FMA3		300mW	SMT5	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA	500nA(ICBO)			2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	250μA, 5mA에서 300mV	100 @ 1mA, 5V	250MHz	4.7k옴	-
EDZFHTE6116B	-	보상요청	8143	로옴	EDZ	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-	-55°C ~ 125°C	표면 실장		EDZFHT		100mW		다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		846-EDZFHTE6116BTR	EAR99	8541.10.0050	3,000

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6960)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²