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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
QS8J4TR Rohm Semiconductor qs8j4tr 1.1100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8J4 MOSFET (금속 (() 550MW TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 4a 56mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1mA 13NC @ 10V 800pf @ 10V 논리 논리 게이트
2SD2607FU6 Rohm Semiconductor 2SD2607FU6 -
RFQ
 ECAD 3685 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2 w TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 100 v 8 a 10µA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 6MA, 3A 1000 @ 2a, 3v 40MHz
UMT2NTR Rohm Semiconductor umt2ntr 0.4000
RFQ
 ECAD 465 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMT2 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
PDZVTFTR6.2B Rohm Semiconductor pdzvtftr6.2b 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, PDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 pdzvtftr6.2 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 3 v 6.6 v 6 옴
UDZSTE-173.9B Rohm Semiconductor Udzste-173.9b 0.0616
RFQ
 ECAD 4162 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F Udzste 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 3.9 v 100 옴
RB550EAFHTR Rohm Semiconductor RB550 affhtr 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 RB550 Schottky TSMD5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 30 v 700ma 490 mV @ 700 mA 10.7 ns 50 µa @ 30 v 150 ° C (°)
DTC024EEBTL Rohm Semiconductor DTC024EBTL 0.1900
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC024 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 60 @ 5MA, 10V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
2SC1741STPQ Rohm Semiconductor 2SC1741STPQ -
RFQ
 ECAD 6140 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 32 v 500 MA 1µA (ICBO) NPN 600mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 250MHz
MMST4403T146 Rohm Semiconductor MMST4403T146 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMST4403 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA (ICBO) PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 200MHz
RB551VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB551VM-30TE-17 0.4500
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB551 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 470 mV @ 500 mA 100 µa @ 20 v 125 ° C (°) 500ma -
RB085BM-40TL Rohm Semiconductor RB085BM-40TL 1.6900
RFQ
 ECAD 342 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB085 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 550 mV @ 5 a 200 µa @ 40 v 150 ° C (°) 10A -
RB088NS150TL Rohm Semiconductor RB088NS150TL 1.6000
RFQ
 ECAD 886 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB088 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 5 a 15 µa @ 150 v 150 ° C (°)
RR2L6STE25 Rohm Semiconductor RR2L6STE25 0.2416
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RR2L6 기준 PMD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 짐 600 v 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 2A -
DTC124GUAT106 Rohm Semiconductor DTC124GUAT106 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC124 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS
EMD9T2R Rohm Semiconductor EMD9T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMD9T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
2SD2118TLR Rohm Semiconductor 2SD2118TLR 0.3412
RFQ
 ECAD 2487 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD2118 10 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 5 a 500NA (ICBO) NPN 1V @ 100MA, 4A 180 @ 500ma, 2V 150MHz
DTC123JEBTL Rohm Semiconductor DTC123JEBTL 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC123 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
RB521ZS-308EPT2R Rohm Semiconductor RB521ZS-308EPT2R -
RFQ
 ECAD 6539 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0201 (0603 메트릭) RB521 Schottky GMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB521ZS-308EPT2RTR 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 370 mV @ 10 ma 7 µa @ 10 v 150 ° C 100ma -
BZX84B10VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B10VLYT116 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
RB238NS100TL Rohm Semiconductor RB238NS100TL 2.6100
RFQ
 ECAD 381 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB238 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 40a 860 mV @ 20 a 20 µa @ 100 v 150 ° C
TDZVTR12 Rohm Semiconductor tdzvtr12 0.3800
RFQ
 ECAD 435 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdzvtr12 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 8 v 12 v
BZX84C9V1LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C9V1LYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
UFZVTE-173.9B Rohm Semiconductor UFZVTE-173.9B 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 3.9 v 50 옴
DTA144WETL Rohm Semiconductor DTA144WETL 0.1011
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA144 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
DTA123YETL Rohm Semiconductor DTA123YETL 0.4400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
DTA143TMT2L Rohm Semiconductor DTA143TMT2L 0.0615
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA143 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
GDZT2R6.2B Rohm Semiconductor GDZT2R6.2B -
RFQ
 ECAD 3672 0.00000000 Rohm 반도체 GDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.4% 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) gdzt2r 100MW GMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-gdzt2r6.2btr 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 3 v 6.2 v
EML17T2R Rohm Semiconductor EML17T2R 0.1216
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 EML17 120 MW EMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 30 MA 500NA pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DTA015TMT2L Rohm Semiconductor DTA015TMT2L 0.0382
RFQ
 ECAD 1908 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA015 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 250mv @ 250µa, 5mA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 100 KOHMS
PTZTE2510B Rohm Semiconductor PTZTE2510B 0.2014
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% - 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE2510 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 7 v 10.3 v 6 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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