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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 최대 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2SC2412KT146R Rohm Semiconductor 2SC2412KT146R 0.2300
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2412 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 180MHz
RB160SS-40HWT2R Rohm Semiconductor RB160SS-40HWT2R -
RFQ
 ECAD 9272 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0603 (1608 메트릭) RB160 Schottky KMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB160SS-40HWT2RTR 귀 99 8541.10.0080 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 700 mA 50 µa @ 40 v 150 ° C 1A -
EDZGTE617.5B Rohm Semiconductor EDZGTE617.5B -
RFQ
 ECAD 4447 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzgt 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZGTE617.5BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
RGTV00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTV00TS65DGC11 7.2700
RFQ
 ECAD 7101 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTV00 기준 276 W. TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 50A, 10ohm, 15V 102 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 95 a 200a 1.9V @ 15V, 50A 1.17mj (on), 940µJ (OFF) 104 NC 41ns/142ns
UFZVFHTE-1713B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1713B 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.69% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvfhte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 10 v 13 v 14 옴
UFZVFHTE-175.6B Rohm Semiconductor ufzvfhte-175.6b 0.3100
RFQ
 ECAD 483 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvfhte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 2.5 v 5.6 v 13 옴
UFZVFHTE-178.2B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-178.2B 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvfhte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 5 v 8.2 v 8 옴
KDZVTFTR3.0B Rohm Semiconductor KDZVTFTR3.0B 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F kdzvtftr3.0 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 µa @ 1 v 3.2 v
YDZVFHTR30 Rohm Semiconductor ydzvfhtr30 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr30 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 21 v 30 v
EML22T2R Rohm Semiconductor EML22T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 50V 범용 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EML22 EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 8,000 150ma NPN + Zener
BM63563S-VC Rohm Semiconductor BM63563S-VC 22.8600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (1.327 ", 33.70mm) IGBT BM63563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 3 상 인버터 10 a 600 v 1500VRMS
QH8M22TCR Rohm Semiconductor QH8M22TCR 1.2800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8M22 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 40V 4.5A (TA), 2A (TA) 46mohm @ 4.5a, 10v, 190mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 10µA, 3V @ 1ma 2.6NC @ 10V, 9.5NC @ 10V 193pf @ 20V, 450pf @ 20V -
RD3G400GNTL Rohm Semiconductor RD3G400GNTL 1.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3G400 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 40A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 1mA 19 NC @ 10 v ± 20V 1410 pf @ 20 v - 26W (TA)
RQ6A045APTCR Rohm Semiconductor RQ6A045APTCR 0.6900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6A045 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 4.5A (TA) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 1mA 40 nc @ 4.5 v ± 8V 4200 pf @ 6 v - 950MW (TA)
RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor RS1E260ATTB1 2.9600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 26A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 26a, 10V 2.5V @ 1mA 175 NC @ 10 v ± 20V 7850 pf @ 15 v - 3W (TA)
RS1E301GNTB1 Rohm Semiconductor RS1E301GNTB1 1.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 1mA 39.8 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 15 v - 3W (TA)
R6004END3TL1 Rohm Semiconductor R6004end3tl1 1.5800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6004 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 980mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 15 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 59W (TC)
R6504ENJTL Rohm Semiconductor R6504ENJTL 2.3800
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6504 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.05ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 130µA 15 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 58W (TC)
RHK003N06FRAT146 Rohm Semiconductor RHK003N06FRAT146 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RHK003 MOSFET (금속 (() smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4V, 10V 1ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 1mA 6 nc @ 10 v ± 20V 33 pf @ 10 v - 200MW (TA)
RGCL60TK60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL60TK60DGC11 5.6200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGCL60 기준 54 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 30 a 120 a 1.8V @ 15V, 30A 770µJ (on), 1.11mj (OFF) 68 NC 44ns/186ns
RGT40NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT40NS65DGC9 3.3100
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA RGT40 기준 161 w TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 20A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 60 a 2.1V @ 15V, 20A - 40 NC 22ns/75ns
RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTVX6TS65DGC11 9.3900
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTVX6 기준 404 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 80A, 10ohm, 15V 109 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 144 a 320 a 1.9V @ 15V, 80A 2.65mj (on), 1.8mj (OFF) 171 NC 45NS/201n
RGT16NL65DGTL Rohm Semiconductor RGT16NL65DGTL 2.6300
RFQ
 ECAD 2838 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT16 기준 94 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 8A, 10ohm, 15V 42 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 16 a 24 a 2.1V @ 15V, 8A - 21 NC 13ns/33ns
RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor rgt50nl65dgtl 3.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT50 기준 194 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 48 a 75 a 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/88ns
RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65HRC11 7.5200
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGS00 기준 326 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGS00TS65HRC11 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 88 a 150 a 2.1V @ 15V, 50A 1.46mj (on), 1.29mj (OFF) 58 NC 36ns/115ns
RGS60TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGS60TS65HRC11 6.6200
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGS60 기준 223 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGS60TS65HRC11 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 56 a 90 a 2.1V @ 15V, 30A 660µJ (on), 810µJ (OFF) 36 NC 28ns/104ns
RGS60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGS60TS65DHRC11 7.2700
RFQ
 ECAD 5051 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGS60 기준 223 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGS60TS65DHRC11 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 103 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 56 a 90 a 2.1V @ 15V, 30A 660µJ (on), 810µJ (OFF) 36 NC 28ns/104ns
SCT3060ARC14 Rohm Semiconductor SCT3060ARC14 24.2700
RFQ
 ECAD 371 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT3060 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 39A (TC) 18V 78mohm @ 13a, 18V 5.6v @ 6.67ma 58 NC @ 18 v +22V, -4V 852 pf @ 500 v - 165W
RBR10T30ANZC9 Rohm Semiconductor RBR10T30ANZC9 0.9400
RFQ
 ECAD 910 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RBR10 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RBR10T30ANZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 100 µa @ 30 v 150 ° C (°) 10A -
RB886CMT2R Rohm Semiconductor RB886CMT2R 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 2-SMD,, 리드 RB886 vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 10 MA 0.8pf @ 1v, 1MHz Schottky- 싱글 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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