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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재 - 최대 현재의 전압 전압 - 절연 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
IMH23T110 Rohm Semiconductor IMH23T110 0.5000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMH23 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 600mA - 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 150mV @ 2.5mA, 50mA 820 @ 50mA, 5V 150MHz 4.7k옴 -
RSJ400N06FRATL Rohm Semiconductor RSJ400N06FRATL 1.7800
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 ECAD 770 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ400 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 40A(타) 10V 16m옴 @ 40A, 10V 3V @ 1mA 52nC @ 10V ±20V 10V에서 2400pF - 50W(타)
RF201LAM4STFTR Rohm Semiconductor RF201LAM4STFTR 0.6500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RF201 기준 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.2V @ 1.5A 30ns 400V에서 1μA 150°C(최대) 1.5A -
BZX84C3V3LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V3LYT116 0.4200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.06% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1V에서 5μA 3.3V 95옴
R6011KNXC7G Rohm Semiconductor R6011KNXC7G 3.2900
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6011 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6011KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 11A(타) 10V 390m옴 @ 3.8A, 10V 5V @ 1mA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 740pF - 53W(Tc)
RB508FM-40AFHT106 Rohm Semiconductor RB508FM-40AFHT106 0.4300
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 ECAD 421 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RB508 쇼트키 SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 구역 40V 80mA 590mV @ 40mA 35nA @ 30V 150°C
1SS4009HHTE61 Rohm Semiconductor 1SS4009HHTE61 -
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 ECAD 9487 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-1SS4009HHTE61TR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000
2SD2703TL Rohm Semiconductor 2SD2703TL 0.6200
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 2SD2703 800mW TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100nA(ICBO) NPN 350mV @ 25mA, 500mA 270 @ 100mA, 2V 320MHz
BM63374S-VC Rohm Semiconductor BM63374S-VC 24.6300
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 ECAD 60 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.327", 33.70mm) IGBT BM63374 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BM63374S-VC EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 15A 600V 1500Vrms
KDZLVTFTR75 Rohm Semiconductor KDZLVTFTR75 0.4500
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 ECAD 179 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 150°C 표면 실장 SOD-123F KDZLVTFTR75 1W SOD-123FL 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 57V에서 5μA 75V
BZX84C5V6LT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V6LT116 0.2300
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±7.14% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1μA @ 2V 5.6V 40옴
1SS390SMT2R Rohm Semiconductor 1SS390SMT2R 0.4600
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 ECAD 9 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) SC-79, SOD-523 1SS390 EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 100mA 1.2pF @ 6V, 1MHz 핀 - 인디 35V 900m옴 @ 2mA, 100MHz
RB058RSM15STL1 Rohm Semiconductor RB058RSM15STL1 1.1000
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN RB058 쇼트키 TO-277A 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 150V 830mV @ 3A 150V에서 2.1μA 175°C 3A -
R6007END3TL1 Rohm Semiconductor R6007END3TL1 2.3500
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 ECAD 8331 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R6007 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 7A(TC) 10V 620m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 1mA 20nC @ 10V ±20V 390pF @ 25V - 78W(Tc)
VDZT2R36B Rohm Semiconductor VDZT2R36B -
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 ECAD 2180 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-723 VDZT2 100mW VMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 27V 36V 300옴
2SB1443TV2P Rohm Semiconductor 2SB1443TV2P -
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 ECAD 7848 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SB1443 1W ATV - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SB1443TV2PTR 2,500 50V 2A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 200mA, 2A 120 @ 100mA, 2V
RB225NS-40TL Rohm Semiconductor RB225NS-40TL 2.6600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RB225 쇼트키 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 40V 15A 550mV @ 15A 40V에서 500μA 150°C(최대)
RRE04EA4DTR Rohm Semiconductor RRE04EA4DTR 0.4800
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 RRE04 기준 TSMD5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 400V 1.1V @ 200mA 400V에서 1μA 150°C(최대) 400mA -
R6008ANX Rohm Semiconductor R6008ANX 1.9208
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 ECAD 9730 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6008 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6008ANX EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 8A(TC) 10V 800m옴 @ 4A, 10V 4.5V @ 1mA 21nC @ 10V ±30V 680pF @ 25V - 50W(Tc)
R6024KNZ1C9 Rohm Semiconductor R6024KNZ1C9 3.2600
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 24A(TC) 10V 165m옴 @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 45nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 245W(Tc)
RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor RQ7G080BGTCR 1.1000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 RQ7G080 MOSFET(금속) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 8A(타) 4.5V, 10V 16.5m옴 @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 10.6nC @ 10V ±20V 20V에서 530pF - 1.1W(타)
SP8M24FU7TB1 Rohm Semiconductor SP8M24FU7TB1 -
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 ECAD 8284 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 SP8M24 - - ROHS3 준수 1(무제한) 846-SP8M24FU7TB1TR 더 이상 사용하지 않는 경우 2,500 -
RRH100P03GZETB Rohm Semiconductor RRH100P03GZETB 1.6800
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) RRH100 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,500 P채널 30V 10A(타) 4V, 10V 12.6m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 68nC @ 10V ±20V 10V에서 3600pF - 650mW(타)
RCJ050N25TL Rohm Semiconductor RCJ050N25TL 0.4772
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 ECAD 9153 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ050 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 250V 5A(Tc) 10V 1.36옴 @ 2.5A, 10V 5.5V @ 1mA 8.5nC @ 10V ±30V 25V에서 350pF - 1.56W(Ta), 30W(Tc)
RB521S-30GJTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30GJTE61 -
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 ECAD 3332 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 RB521 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-RB521S-30GJTE61TR EAR99 8541.10.0070 3,000
EDZVT2R30B Rohm Semiconductor EDZVT2R30B 0.2800
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 ECAD 3604 0.00000000 로옴 EDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±3% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150mW EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 23V 30V 200옴
RF1005TF6SC9 Rohm Semiconductor RF1005TF6SC9 1.8500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 풀팩 RF1005 기준 TO-220NFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.7V @ 10A 40ns 600V에서 10μA 150°C 10A -
RFNL5TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFNL5TJ6SGC9 1.1700
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 ECAD 698 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 풀팩 RFNL5 기준 TO-220ACFP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.3V @ 5A 130ns 600V에서 10μA 150°C(최대) 5A -
BZX84B5V1LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B5V1LFHT116 0.0474
보상요청
 ECAD 9006 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±1.96% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 2V에서 2μA 5.1V 60옴
RF101A2ST-32 Rohm Semiconductor RF101A2ST-32 -
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 ECAD 5365 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-41 미니, 축형 RF101 기준 MSR 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. RF101A2ST-32TB EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 870mV @ 1A 25ns 200V에서 10μA 150°C(최대) 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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