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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재 - 최대 테스트 조건 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1)
RN771VTE-17 Rohm Semiconductor RN771VTE-17 0.4300
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) SC-90, SOD-323F RN771 UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 50mA 0.9pF @ 35V, 1MHz 핀 - 인디 50V 7옴 @ 10mA, 100MHz
YFZVFHTR8.2B Rohm Semiconductor YFZVFHTR8.2B 0.4300
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.57% 150°C (TJ) 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 YFZVFHTR8.2 500mW TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 500nA @ 5V 7.99V 8옴
RGTH00TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH00TS65GC13 6.2300
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 ECAD 600 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGTH00 기준 277W TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGTH00TS65GC13 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 85A 200A 2.1V @ 15V, 50A - 94nC 39ns/143ns
VDZT2R13B Rohm Semiconductor VDZT2R13B -
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 ECAD 3579 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-723 100mW VMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 10V 13V 37옴
RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC11 3.7200
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGTH60 기준 197W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 58A 120A 2.1V @ 15V, 30A - 58nC 27ns/105ns
UDZVFHTE-172.4B Rohm Semiconductor UDZVFHTE-172.4B 0.3500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±4.17% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F UDZVFHTE 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 120μA @ 1V 2.4V 100옴
FTZ4.3ET148 Rohm Semiconductor FTZ4.3ET148 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - - 표면 실장 SC-74A, SOT-753 FTZ4.3 200mW SMD5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 2쌍 구역 1V에서 5μA 4.3V 100옴
MTZJT-727.5B Rohm Semiconductor MTZJT-727.5B -
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 ECAD 4763 0.00000000 로옴 MTZ J 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 스루홀 DO-204AG, DO-34, 축방향 MTZJT-72 500mW MSD - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. MTZJT727.5B EAR99 8541.10.0050 5,000 500nA @ 4V 7.5V 20옴
RFN1L6STE25 Rohm Semiconductor RFN1L6STE25 0.1409
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 ECAD 9980 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 DO-214AC, SMA RFN1L6 기준 PMDS - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.45V @ 800mA 35ns 600V에서 1μA 150°C(최대) 800mA -
ES6U42FU7T2CR Rohm Semiconductor ES6U42FU7T2CR -
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 ECAD 3891 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-ES6U42FU7T2CRTR 더 이상 사용하지 않는 경우 8,000
RN779FT106 Rohm Semiconductor RN779FT106 0.4300
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) SC-70, SOT-323 RN779 UMD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 50mA 0.9pF @ 35V, 1MHz PIN - 1쌍 직렬 연결 50V 7옴 @ 10mA, 100MHz
RN142ST2R Rohm Semiconductor RN142ST2R -
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 ECAD 7059 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RN142ST2RTR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000
RRQ045P03HZGTR Rohm Semiconductor RRQ045P03HZGTR 1.3300
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 ECAD 248 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RRQ045 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 4.5A(타) 4V, 10V 35m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 14nC @ 5V ±20V 1350pF @ 10V - 950mW(타)
BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202 720.0000
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 쟁반 활동적인 175°C (TJ) 방역 기준기준 BSM180 SiCFET(탄화규소) 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4 N채널 1200V 204A(Tc) - - 4V @ 35.2mA +22V, -6V 10V에서 20000pF - 1360W(Tc)
CDZVT2R7.5B Rohm Semiconductor CDZVT2R7.5B 0.2700
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 CDZVT2 100mW VMN2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 500nA @ 4V 7.5V 30옴
KDZVTFTR8.2B Rohm Semiconductor KDZVTFTR8.2B 0.4700
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 ECAD 9 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.71% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F KDZVTFTR8.2 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 5V에서 20μA 8.75V
BAT54CHMT116 Rohm Semiconductor BAT54CHMT116 0.2800
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 쇼트키 SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍의 세션이 시작됩니다 30V 200mA(DC) 800mV @ 100mA 50ns 25V에서 2μA 150°C(최대)
CDZT2RA13B Rohm Semiconductor CDZT2RA13B 0.0841
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 ECAD 2402 0.00000000 로옴 CDZ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-923 CDZT2 100mW VMN2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 10V 13V 37옴
RND030N20TL Rohm Semiconductor RND030N20TL 0.3700
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 ECAD 6806 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RND030 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 200V 3A(TC) 10V 870m옴 @ 1.5A, 10V 5.2V @ 1mA 6.7nC @ 10V ±30V 270pF @ 25V - 850mW(Ta), 20W(Tc)
DTC044TMT2L Rohm Semiconductor DTC044TMT2L 0.0382
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 ECAD 8666 0.00000000 로옴 DTC044T 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC044 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 60mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 100 @ 5mA, 10V 250MHz 47kΩ
RF101A2ST-32 Rohm Semiconductor RF101A2ST-32 -
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 ECAD 5365 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-41 미니, 축형 RF101 기준 MSR 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. RF101A2ST-32TB EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 870mV @ 1A 25ns 200V에서 10μA 150°C(최대) 1A -
RF1005TF6SC9 Rohm Semiconductor RF1005TF6SC9 1.8500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 풀팩 RF1005 기준 TO-220NFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.7V @ 10A 40ns 600V에서 10μA 150°C 10A -
PDZVTR13B Rohm Semiconductor PDZVTR13B 0.4500
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 ECAD 171 0.00000000 로옴 PDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.01% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 PDZVTR13 1W PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 10V에서 10μA 14.15V 10옴
TFZVTR2.2B Rohm Semiconductor TFZVTR2.2B 0.3700
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TFZVTR2.2 500mW TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 700mV에서 120μA 2.2V 120옴
RFNL10TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFNL10TJ6SGC9 1.5200
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 RFNL10 기준 TO-220ACFP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.3V @ 10A 150ns 600V에서 10μA 150°C(최대) 10A -
DAN217CT116 Rohm Semiconductor DAN217CT116 -
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 ECAD 7867 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 SMD3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DAN217CT116TR EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 80V 1.2V @ 100mA 4ns 70V에서 100nA 150°C 100mA -
RCJ220N25TL Rohm Semiconductor RCJ220N25TL 3.0500
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 ECAD 988 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ220 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 250V 22A(TC) 10V 140m옴 @ 11A, 10V 5V @ 1mA 60nC @ 10V ±30V 3200pF @ 25V - 1.56W(Ta), 40W(Tc)
SCS304AMC Rohm Semiconductor SCS304AMC 2.8800
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 풀팩 SCS304 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.5V @ 4A 0ns 650V에서 20μA 175°C(최대) 4A 200pF @ 1V, 1MHz
RB058LAM-60TFTR Rohm Semiconductor RB058LAM-60TFTR 0.4900
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 ECAD 18 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RB058 쇼트키 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 640mV @ 3A 35.3ns 60V에서 4μA 150°C(최대) 3A -
R5021ANX Rohm Semiconductor R5021ANX 3.3797
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 ECAD 4461 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R5021 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 500V 21A(TC) 10V 210m옴 @ 10.5A, 10V 4.5V @ 1mA 64nC @ 10V ±30V 2300pF @ 25V - 50W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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