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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재 - 최대 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor RGPR10BM40FHTL 0.9330
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 ECAD 2948 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 75°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RGPR10 기준 107W TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 300V, 8A, 100옴, 5V - 460V 20A 2.0V @ 5V, 10A - 14nC 500ns/4μs
UDZWTE-176.8B Rohm Semiconductor UDZWTE-176.8B -
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 ECAD 5960 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-90, SOD-323F UMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 3,000
RBR20NS60AFHTL Rohm Semiconductor RBR20NS60AFHTL 1.4000
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 ECAD 855 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RBR20 쇼트키 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 60V 20A 10A에서 640mV 60V에서 400μA 150°C(최대)
UMZ30NT106 Rohm Semiconductor UMZ30NT106 0.5300
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.5% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 UMZ30 200mW UMD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1쌍 구역 100nA @ 23V 30V
RBR10BM60ATL Rohm Semiconductor RBR10BM60ATL 1.0900
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBR10 쇼트키 TO-252 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 60V 5A 650mV @ 5A 60V에서 200μA 150°C
RLZTE-113.9B Rohm Semiconductor RLZTE-113.9B -
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 ECAD 2787 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500 1V에서 5μA 3.9V 50옴
BZX84B5V6LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B5V6LFHT116 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±1.96% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1μA @ 2V 5.6V 40옴
RB098BGE-40TL Rohm Semiconductor RB098BGE-40TL 1.6100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RB095 쇼트키 TO-252GE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 40V 3A 770mV @ 3A 40V에서 1.5μA 150°C
RW1A020ZPT2R Rohm Semiconductor RW1A020ZPT2R -
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 ECAD 5174 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RW1A020 MOSFET(금속) 6-WEMT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 12V 2A(타) 1.5V, 4.5V 105m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 6.5nC @ 4.5V ±10V 770pF @ 6V - 400mW(타)
DAN235UT106 Rohm Semiconductor DAN235UT106 0.3700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) SC-70, SOT-323 DAN235 UMD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 150mW 1.2pF @ 6V, 1MHz 표준 - 1쌍의 시작 35V 900m옴 @ 2mA, 100MHz
RB081LAM-20TR Rohm Semiconductor RB081LAM-20TR 0.4700
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 ECAD 24 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RB081 쇼트키 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 450mV @ 5A 20V에서 700μA 125°C(최대) 5A -
RGTH80TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH80TS65GC13 5.7400
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 ECAD 2093 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGTH80 기준 234W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGTH80TS65GC13 EAR99 8541.29.0095 600 400V, 40A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 70A 160A 2.1V @ 15V, 40A - 79nC 34ns/120ns
PDZVTR3.6B Rohm Semiconductor PDZVTR3.6B 0.4500
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 PDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5.26% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 PDZVTR3.6 1W PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 27V에서 10μA 3.8V 20옴
TFZGTR8.2B Rohm Semiconductor TFZGTR8.2B 0.0886
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 ECAD 3357 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - -55°C ~ 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TFZGTR8.2 500mW TUMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 5V에서 500nA 8.2V 8옴
BZX84C33VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C33VLT116 0.2300
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±6.06% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA @ 23V 33V 80옴
RFN16T2DNZC9 Rohm Semiconductor RFN16T2DNZC9 2.2900
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RFN16 기준 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RFN16T2DNZC9 EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 200V 16A 980mV @ 8A 30ns 200V에서 10μA 150°C
BZX84C6V8LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C6V8LFHT116 0.1600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±5.88% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 2μA @ 4V 6.8V 15옴
DA228WMTL Rohm Semiconductor DA228WMTL 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DA228 기준 EMD3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 직렬 연결 80V 100mA 1.2V @ 100mA 80V에서 100nA 150°C
SCS215AJHRTLL Rohm Semiconductor SCS215AJHRTLL 9.5300
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SCS215 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-263AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.55V @ 15A 0ns 600V에서 300μA 175°C(최대) 15A 550pF @ 1V, 1MHz
RB055L-60TE25 Rohm Semiconductor RB055L-60TE25 0.1979
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 ECAD 9259 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 DO-214AC, SMA RB055 쇼트키 PMDS - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 680mV @ 3A 60V에서 70μA 150°C(최대) 3A -
UFZVTE-1710B Rohm Semiconductor UFZVTE-1710B 0.3000
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 ECAD 450 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.77% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F UFZVTE 500mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 7V 10V 8옴
RB095T-60 Rohm Semiconductor RB095T-60 0.7143
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 ECAD 7872 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 스루홀 TO-220-3 풀팩 RB095 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. RB095T60 EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 60V 3A 580mV @ 3A 60V에서 300μA 150°C(최대)
RSD050N10TL Rohm Semiconductor RSD050N10TL 0.4733
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 ECAD 7552 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RSD050 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 5A(타) 4V, 10V 190m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 14nC @ 10V ±20V 25V에서 530pF - 15W(Tc)
RN142VMTE-17 Rohm Semiconductor RN142VMTE-17 0.3900
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) SC-90, SOD-323F RN142 UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 100mA 0.45pF @ 1V, 1MHz 핀 - 인디 60V 3옴 @ 3mA, 100MHz
DTD523YE3TL Rohm Semiconductor DTD523YE3TL 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTD523 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) 846-DTD523YE3TLTR EAR99 8541.21.0075 3,000 12V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스 + 의무 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 2.2kΩ 10kΩ
RR1LAM4STFTR Rohm Semiconductor RR1LAM4STFTR 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOD-128 RR1LAM4 기준 PMDT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RR1LAM4STFTRDKR EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.1V @ 1A 400V에서 10μA 150°C 1A -
DTA124XMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA124XMFHAT2L 0.0668
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 ECAD 1035 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-723 DTA124 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
RB420STE61 Rohm Semiconductor RB420STE61 -
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 ECAD 1744년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RB420STE61TR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000
QH8K51TR Rohm Semiconductor QH8K51TR 1.0600
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 ECAD 16 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QH8K51 MOSFET(금속) 1.1W(타) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 100V 2A(타) 325m옴 @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 4.7nC @ 5V 290pF @ 25V -
SH8M11TB1 Rohm Semiconductor SH8M11TB1 0.3152
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 ECAD 8795 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8M11 MOSFET(금속) 2W 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 3.5A 98m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 1.9nC @ 5V 85pF @ 10V 게임 레벨 레벨
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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