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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
UMD12NFHATR Rohm Semiconductor UMD12NFHATR 0.1088
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 ECAD 3543 0.00000000 로옴 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 UMD12 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. Q12178451 EAR99 8541.21.0095 3,000
RMW280N03TB Rohm Semiconductor RMW280N03TB -
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 ECAD 5240 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 RMW280 MOSFET(금속) 8-PSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 28A(타) 4.5V, 10V 2.8m옴 @ 28A, 10V 2.5V @ 1mA 53nC @ 10V ±20V 15V에서 3130pF - 3W(타)
MTZJT-7739C Rohm Semiconductor MTZJT-7739C -
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 ECAD 1313 0.00000000 로옴 MTZ J 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 스루홀 DO-204AG, DO-34, 축방향 500mW MSD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 5,000 200nA @ 30V 39V 85옴
RF301B2STL Rohm Semiconductor RF301B2STL -
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 ECAD 4140 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RF301 기준 CPD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 930mV @ 3A 25ns 200V에서 10μA 150°C(최대) 3A -
RLS4448TE-11 Rohm Semiconductor RLS4448TE-11 -
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 ECAD 3423 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 RLS4448 기준 LLDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 2,500 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 75V 1V @ 100mA 4ns 75V에서 5μA -65°C ~ 200°C 150mA 4pF @ 0V, 1MHz
TT8U1TR Rohm Semiconductor TT8U1TR 0.3152
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 ECAD 4930 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TT8U1 MOSFET(금속) 8-TSST 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 2.4A(타) 1.5V, 4.5V 105m옴 @ 2.4A, 4.5V 1V @ 1mA 6.7nC @ 4.5V ±10V 10V에서 850pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.25W(타)
DTA144EUBHZGTL Rohm Semiconductor DTA144EUBHZGTL 0.2000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-85 DTA144 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
2SCR514RTL Rohm Semiconductor 2SCR514RTL 0.5400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SCR514 1W TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 80V 700mA 1μA(ICBO) NPN 300mV @ 15mA, 300mA 120 @ 100mA, 3V 320MHz
2SCR372PT100R Rohm Semiconductor 2SCR372PT100R 0.3426
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 ECAD 4522 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SCR372 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 120V 700mA 1μA(ICBO) NPN 300mV @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 5V 220MHz
DTA143ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA143ECAHZGT116 0.1900
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 ECAD 850 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 350mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
QH8MB5TCR Rohm Semiconductor QH8MB5TCR 0.9600
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 ECAD 2245 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QH8MB5 MOSFET(금속) 1.1W(타) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 40V 4.5A(타), 5A(타) 44m옴 @ 4.5A, 10V, 41m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V 20V에서 150pF, 20V에서 920pF -
BAV99HMFHT116 Rohm Semiconductor BAV99HMFHT116 0.2300
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 기준 SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍 직렬 연결 80V 215mA(DC) 1.25V @ 150mA 4ns 80V에서 100nA 150°C(최대)
DTD723YMT2L Rohm Semiconductor DTD723YMT2L 0.1027
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 ECAD 8425 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-723 DTD723 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 30V 200mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 2.2kΩ 10kΩ
BZX84C3V0LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V0LYT116 0.4200
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.67% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 10μA @ 1V 3V 95옴
RX3L07BGNC16 Rohm Semiconductor RX3L07BGNC16 3.0400
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 ECAD 342 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 RX3L07 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 70A(타) 4.5V, 10V 7.2m옴 @ 70A, 10V 2.5V @ 50μA 55nC @ 10V ±20V 30V에서 2600pF - 96W(타)
PTZTFTE2511B Rohm Semiconductor PTZTFTE2511B 0.6100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5.58% 150°C (TJ) 표면 실장 DO-214AC, SMA 1W PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 1,500 8V에서 10μA 11.65V 8옴
BZX84C4V7LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V7LYFHT116 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.38% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 3μA @ 2V 4.7V 80옴
RD3S075CNTL1 Rohm Semiconductor RD3S075CNTL1 1.9200
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 ECAD 1429 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3S075 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 190V 7.5A(Tc) 4V, 10V 336m옴 @ 3.8A, 10V 2.5V @ 1mA 30nC @ 10V ±20V 25V에서 1100pF - 52W(Tc)
DTC015EEBTL Rohm Semiconductor DTC015EEBTL 0.1900
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTC015 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 20mA - NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 100mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 100kΩ 100kΩ
RF1001T2D Rohm Semiconductor RF1001T2D 1.0200
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 ECAD 291 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 스루홀 TO-220-3 풀팩 RF1001 기준 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 200V 5A 930mV @ 5A 30ns 200V에서 10μA 150°C(최대)
RF302LAM2STR Rohm Semiconductor RF302LAM2STR 0.7000
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RF302 기준 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 920mV @ 3A 25ns 200V에서 10μA 150°C 3A -
KDZVTFTR30B Rohm Semiconductor KDZVTFTR30B 0.4700
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 ECAD 42 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.67% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F KDZVTFTR30 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 23V에서 10μA 32V
2SCR514RHZGTL Rohm Semiconductor 2SCR514RHZGTL 0.7900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SCR514RHZGTLTR EAR99 8541.21.0075 3,000 80V 700mA 1μA(ICBO) NPN 300mV @ 15mA, 300mA 120 @ 100mA, 3V 320MHz
CDZFHT2RA36B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA36B 0.4100
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 ECAD 131 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±2.5% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-923 CDZFHT2 100mW VMN2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 27V 36.97V 300옴
DTA114EUBTL Rohm Semiconductor DTA114EUBTL -
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 ECAD 8649 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTA114 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
EMD3T2R Rohm Semiconductor EMD3T2R 0.3900
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 ECAD 6804 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD3T2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
2SA2071P5T100Q Rohm Semiconductor 2SA2071P5T100Q 0.6400
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SA2071 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 60V 3A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 200mA, 2A 120 @ 100mA, 2V 180MHz
RDD020N60TL Rohm Semiconductor RDD020N60TL 0.6600
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 ECAD 2007년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RDD020 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 2A(타) 10V - - ±30V - 20W(Tc)
DAP202KT146 Rohm Semiconductor DAP202KT146 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DAP202 기준 SMD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 구역 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 70V에서 100nA 150°C(최대)
RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT8NS65DGC9 2.2100
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 ECAD 965 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA RGT8NS65 기준 65W TO-262 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 50옴, 15V 40ns 트렌치 필드스톱 650V 8A 12A 2.1V @ 15V, 4A - 13.5nC 17ns/69ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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