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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RB751S-40FTE61 Rohm Semiconductor RB751S-40FTE61 -
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 ECAD 2506 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 RB751 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RB751S-40FTE61TR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000
RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor RJ1U330AAFRGTL 4.1000
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 ECAD 201 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1U330 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 250V 33A(타) 10V 105m옴 @ 16.5A, 10V 5V @ 1mA 80nC @ 10V ±30V 25V에서 4500pF - 211W(Tc)
UFZVFHTE-1736B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1736B 0.3100
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 ECAD 4885 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.47% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F UFZVFHTE 500mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 27V 36V 75옴
RB511SM-40T2R Rohm Semiconductor RB511SM-40T2R 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 RB511 쇼트키 EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 410mV @ 10mA 40V에서 25μA 125°C 100mA -
UDZSTE-175.6B Rohm Semiconductor UDZSTE-175.6B 0.3900
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 ECAD 18 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈스테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 2.5V에서 1μA 5.6V 60옴
DTC614TKT146 Rohm Semiconductor DTC614TKT146 0.4800
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC614 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 20V 600mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 150mV @ 2.5mA, 50mA 820 @ 50mA, 5V 150MHz 10kΩ
2SAR522MT2L Rohm Semiconductor 2SAR522MT2L 0.3500
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 ECAD 539 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 2SAR522 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 20V 200mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 1mA, 2V 350MHz
SST6839T116 Rohm Semiconductor SST6839T116 0.0973
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 ECAD 1778년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST6839 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200mA 500nA(ICBO) PNP 500mV @ 10mA, 100mA 100 @ 1mA, 5V 140MHz
MMSTA28T146 Rohm Semiconductor MMSTA28T146 0.4100
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMSTA28 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 80V 300mA 500nA NPN-달링턴 1.5V @ 100μA, 100mA 10000 @ 100mA, 5V 200MHz
DTC044EUBTL Rohm Semiconductor DTC044EUBTL 0.3000
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTC044 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 30mA - NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 47kΩ 47kΩ
PDZVTFTR3.9B Rohm Semiconductor PDZVTFTR3.9B 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, PDZVTF 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.41% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 PDZVTFTR3.9 1W PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 40μA @ 1V 4.15V 15옴
DTA144EU3T106 Rohm Semiconductor DTA144EU3T106 0.2000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA144 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
RSX201LAM30TFTR Rohm Semiconductor RSX201LAM30TFTR 0.5100
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 ECAD 148 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RSX201 쇼트키 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 30V에서 150μA 150°C(최대) 2A -
DTC143XU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC143XU3HZGT106 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC143 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
2SAR513PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR513PFRAT100 0.4300
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR513 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 50V 1A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 25mA, 500mA 180@50mA, 2V 400MHz
EDZVT2R3.3B Rohm Semiconductor EDZVT2R3.3B 0.2800
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 ECAD 21 0.00000000 로옴 EDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150mW EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 20μA @ 1V 3.3V 120옴
QS5K2TR Rohm Semiconductor QS5K2TR 0.5900
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 ECAD 87 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QS5K2 MOSFET(금속) 1.25W TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(이중) 둘째 소스 30V 2A 100m옴 @ 2A, 4.5V 1.5V @ 1mA 3.9nC @ 4.5V 175pF @ 10V 게임 레벨 레벨
R6511KNJTL Rohm Semiconductor R6511KNJTL 4.0600
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 ECAD 90 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6511 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 650V 11A(티씨) 10V 400m옴 @ 3.8A, 10V 5V @ 320μA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 760pF - 124W(Tc)
PTZTE2510A Rohm Semiconductor PTZTE2510A 2014년 0월
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 ECAD 7613 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±6% - 표면 실장 DO-214AC, SMA PTZTE2510 1W PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 1,500 7V에서 10μA 10V 6옴
DTC143EUBHZGTL Rohm Semiconductor DTC143EUBHZGTL -
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 ECAD 1807년 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-85 DTC143 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
DTD543XMT2L Rohm Semiconductor DTD543XMT2L 0.1035
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 ECAD 3661 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTD543 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 4.7kΩ 10kΩ
R6004JNXC7G Rohm Semiconductor R6004JNXC7G 2.4400
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 ECAD 851 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6004 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 4A(TC) 15V 1.43옴 @ 2A, 15V 7V @ 450μA 10.5nC @ 15V ±30V 100V에서 260pF - 35W(Tc)
RB298NS100FHTL Rohm Semiconductor RB298NS100FHTL 2.1800
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 ECAD 8269 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RB298 쇼트키 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 100V 30A 870mV @ 15A 100V에서 10μA 150°C(최대)
R6020KNJTL Rohm Semiconductor R6020KNJTL 3.4900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6020 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 20A(TC) 10V 196m옴 @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 40nC @ 10V ±20V 25V에서 1550pF - 231W(Tc)
US6X4TR Rohm Semiconductor US6X4TR 0.2120
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 ECAD 2882 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 US6X4 400mW TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 2A 100nA(ICBO) NPN 370mV @ 75mA, 1.5A 270 @ 200mA, 2V 280MHz
2SAR544PT100 Rohm Semiconductor 2SAR544PT100 0.7000
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 ECAD 465 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR544 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 80V 2.5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 50mA, 1A 120 @ 100mA, 3V 280MHz
EDZFJTE615.1B Rohm Semiconductor EDZFJTE615.1B -
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 ECAD 8476 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZFJT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZFJTE615.1BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
R8008ANJGTL Rohm Semiconductor R8008ANJGTL 5.8200
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 ECAD 978 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R8008 MOSFET(금속) TO-263S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R8008ANJGTLTR EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 800V 8A(TC) 10V 1.03옴 @ 4A, 10V 5V @ 1mA 38nC @ 10V ±30V 25V에서 1100pF - 195W(Tc)
KDZVTFTR3.0B Rohm Semiconductor KDZVTFTR3.0B 0.4700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.67% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F KDZVTFTR3.0 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100μA @ 1V 3.2V
UMD12NFHATR Rohm Semiconductor UMD12NFHATR 0.1088
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 ECAD 3543 0.00000000 로옴 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 UMD12 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. Q12178451 EAR99 8541.21.0095 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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