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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RX3P10BBHC16 Rohm Semiconductor RX3P10BBHC16 7.8900
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 ECAD 7397 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 RX3P10 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RX3P10BBHC16 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 100V 170A(타), 100A(Tc) 6V, 10V 3.3m옴 @ 90A, 10V 4V @ 1mA 135nC @ 10V ±20V 50V에서 8600pF - 189W(타)
IMH1AT110 Rohm Semiconductor IMH1AT110 0.4400
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 ECAD 4855 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMH1 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
SH8K51GZETB Rohm Semiconductor SH8K51GZETB -
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 ECAD 6567 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SH8K51 MOSFET(금속) 1.4W(타) 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 35V 4A(타) 58m옴 @ 4A, 10V 2.8V @ 1mA 5.6nC @ 5V 300pF @ 10V -
BSM400C12P3G202 Rohm Semiconductor BSM400C12P3G202 1.0000
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 쟁반 활동적인 175°C (TJ) 방역 기준기준 BSM400 SiCFET(탄화규소) 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4 N채널 1200V 400A(Tc) - - 5.6V @ 106.8mA +22V, -4V 17000pF @ 10V - 1570W(Tc)
2SD1484KT146R Rohm Semiconductor 2SD1484KT146R 0.4100
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 ECAD 716 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1484 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA(ICBO) NPN 400mV @ 15mA, 150mA 180 @ 10mA, 3V 250MHz
DTA124TMT2L Rohm Semiconductor DTA124TMT2L 0.0615
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 ECAD 7895 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA124 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 22kΩ
RBQ20BM65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ20BM65AFHTL 1.2700
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 ECAD 954 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBQ20 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 65V 20A 630mV @ 10A 65V에서 200μA 150°C(최대)
SP8J2FU6TB Rohm Semiconductor SP8J2FU6TB -
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 ECAD 4096 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SP8J2 MOSFET(금속) 2W 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 30V 4.5A 56m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 850pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RB520ZS-308EPT2R Rohm Semiconductor RB520ZS-308EPT2R -
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 ECAD 9036 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 0201(0603미터법) RB520 쇼트키 GMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RB520ZS-308EPT2RTR EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 460mV @ 10mA 300nA @ 10V 150°C 100mA -
R6004KNXC7G Rohm Semiconductor R6004KNXC7G 2.2000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6004 MOSFET(금속) TO-220FM - ROHS3 준수 1(무제한) 846-R6004KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 4A(타) 10V 980m옴 @ 1.5A, 10V 5V @ 1mA 10.2nC @ 10V ±20V 280pF @ 25V - 40W(Tc)
DTC024EEBTL Rohm Semiconductor DTC024EEBTL 0.1900
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 ECAD 122 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTC024 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 30mA - NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 60 @ 5mA, 10V 250MHz 22kΩ 22kΩ
RB541VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-30TE-17 0.3500
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 ECAD 2568 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-90, SOD-323F RB541 쇼트키 UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 200mA에서 640mV 30V에서 45μA 125°C(최대) 200mA -
UMA9NTR Rohm Semiconductor UMA9NTR 0.3800
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 ECAD 959 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA9 150mW UMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
SH8KA1GZETB Rohm Semiconductor SH8KA1GZETB 0.8200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SH8KA1 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 4.5A(타) 80m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3nC @ 10V 125pf @ 15V -
QH8JA1TCR Rohm Semiconductor QH8JA1TCR 0.8900
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 ECAD 7230 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QH8JA1 - 1.5W TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 5A 38m옴 @ 5A, 4.5V 1.2V @ 1mA 10.2nC @ 4.5V 720pF @ 10V -
IMN10FHT108 Rohm Semiconductor IMN10FHT108 0.5800
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 ECAD 96 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMN10 기준 SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 3면 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 70V에서 100nA 150°C(최대)
IMT4T108 Rohm Semiconductor IMT4T108 0.3800
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 ECAD 27 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 MT4 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 50mA 500nA(ICBO) 2 PNP(이중) 500mV @ 1mA, 10mA 180 @ 2mA, 6V 140MHz
DTB743ZETL Rohm Semiconductor DTB743ZETL 0.1049
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 ECAD 8172 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTB743 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 200mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 4.7kΩ 47kΩ
UMP1NFHTR Rohm Semiconductor UMP1NFHTR -
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 ECAD 1197 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMP1 기준 UMD5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2쌍 구역 80V 25mA 900mV @ 5mA 4ns 70V에서 100nA 150°C(최대)
RFN20NS4SFHTL Rohm Semiconductor RFN20NS4SFHTL 1.3000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RFN20 기준 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 430V 1.55V @ 20A 30ns 430V에서 10μA 150°C(최대) 20A 268pF @ 0V, 1MHz
2SK2094TL Rohm Semiconductor 2SK2094TL 0.5748
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 ECAD 8190 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK2094 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 2A(타) 4V, 10V 350m옴 @ 1A, 10V 2.5V @ 1mA ±20V 10V에서 400pF - 20W(Tc)
TT8K1TR Rohm Semiconductor TT8K1TR 0.2345
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 ECAD 1093 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TT8K1 MOSFET(금속) 1W 8-TSST 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 2.5A 72m옴 @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1mA 3.6nC @ 4.5V 260pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
R6015ENXC7G Rohm Semiconductor R6015ENXC7G 3.8300
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6015 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6015ENXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15A(타) 10V 290m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 40nC @ 10V ±20V 25V에서 910pF - 60W(Tc)
RUM002N05T2L Rohm Semiconductor RUM002N05T2L 0.4200
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 ECAD 938 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 RUM002 MOSFET(금속) VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 50V 200mA(타) 1.2V, 4.5V 2.2옴 @ 200mA, 4.5V 1V @ 1mA ±8V 10V에서 25pF - 150mW(타)
RSF015N06FRATL Rohm Semiconductor RSF015N06FRATL 0.4200
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RSF015 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 1.5A(타) 4V, 10V 290m옴 @ 1.5A, 10V 2.5V @ 1mA 2nC @ 5V ±20V 110pF @ 10V - 800mW(타)
R6515ENJTL Rohm Semiconductor R6515ENJTL 5.5000
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 ECAD 100 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6515 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 650V 15A(Tc) 10V 315m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 430μA 40nC @ 10V ±20V 25V에서 910pF - 184W(Tc)
RS1G180MNTB Rohm Semiconductor RS1G180MNTB 1.5900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1G MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 18A(타), 80A(Tc) 4.5V, 10V 7m옴 @ 18A, 10V 2.5V @ 1mA 19.5nC @ 10V ±20V 20V에서 1293pF - 3W(Ta), 30W(Tc)
1SS355WTE-17 Rohm Semiconductor 1SS355WTE-17 -
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 ECAD 9779 0.00000000 로옴 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 1SS355 - ROHS3 준수 1(무제한) 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1
SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor SH8MA3TB1 1.0100
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 ECAD 19 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SH8MA3 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 7A(타), 6A(타) 28m옴 @ 7A, 10V, 50m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V 300pF @ 15V, 480pF @ 15V -
SH8M2TB1 Rohm Semiconductor SH8M2TB1 0.3719
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 ECAD 3569 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SH8M2 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 3.5A 83m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 5V 140pF @ 10V -
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    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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