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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
QSZ2TR Rohm Semiconductor qsz2tr 0.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QSZ2 1.25W TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 30V 1.5A 100NA (ICBO) NPN, PNP (이미 터 결합 결합) 350mv @ 50ma, 1a / 370mv @ 50ma, 1a 270 @ 100MA, 2V 300MHz, 280MHz
RD3R02BBHTL1 Rohm Semiconductor RD3R02BBHTL1 1.7900
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3R02 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 20A (TC) 6V, 10V 81mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 12.4 NC @ 10 v ± 20V 730 pf @ 75 v - 50W (TC)
TFZVTR15B Rohm Semiconductor tfzvtr15b 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tfzvtr15 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 11 v 15 v 16 옴
TT8U1TR Rohm Semiconductor tt8u1tr 0.3152
RFQ
 ECAD 4930 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TT8U1 MOSFET (금속 (() 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.4A (TA) 1.5V, 4.5V 105mohm @ 2.4a, 4.5v 1V @ 1mA 6.7 NC @ 4.5 v ± 10V 850 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
RB050L-60DDTE25 Rohm Semiconductor RB050L-60DDTE25 0.7100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RB050 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A -
RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor RQ5C060BCTCL 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5C060 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 4.5V 21.1MOHM @ 6A, 4.5V 1.2v @ 1ma 19.2 NC @ 4.5 v ± 8V 1360 pf @ 10 v - 1W (TC)
YDZVFHTR20 Rohm Semiconductor ydzvfhtr20 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr20 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 14 v 20 v
SH8K26GZ0TB Rohm Semiconductor SH8K26GZ0TB 0.8400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8K26 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 6A (TA) 38mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 2.9NC @ 5V 280pf @ 10V -
RMW200N03TB Rohm Semiconductor RMW200N03TB 0.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RMW200 MOSFET (금속 (() 8-PSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 29 NC @ 10 v ± 20V 1780 pf @ 15 v - 3W (TA)
RRE07VTM6SFHTR Rohm Semiconductor RRE07VTM6SFHTR 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RRE07 기준 tumd2sm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.1 v @ 700 ma 1 µa @ 600 v 150 ° C (°) 700ma -
EMX1FHAT2R Rohm Semiconductor EMX1FHAT2R 0.0611
RFQ
 ECAD 7439 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMX1FHAT2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
VDZT2R33B Rohm Semiconductor vdzt2r33b -
RFQ
 ECAD 8665 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-723 vdzt2 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 25 v 33 v 250 옴
SCS110AGC Rohm Semiconductor SCS110AGC -
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS110 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 600 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 200 µa @ 600 v 175 ° C (°) 10A 430pf @ 1v, 1MHz
TFZVTR10B Rohm Semiconductor tfzvtr10b 0.3700
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tfzvtr10 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 7 v 10 v 8 옴
RFN5BM6STL Rohm Semiconductor RFN5BM6STL 0.5445
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFN5BM6 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.55 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C 5a -
RB540VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB540VM-30TE-17 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB540 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 450 mV @ 10 ma 500 na @ 10 v 150 ° C (°) 200ma -
TT8J1TR Rohm Semiconductor tt8j1tr -
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TT8J1 MOSFET (금속 (() 1.25W 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 2.5A 61mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 1mA 13NC @ 4.5V 1350pf @ 6v -
TFZGTR33B Rohm Semiconductor TFZGTR33B 0.0886
RFQ
 ECAD 8117 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZGTR33 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 25 v 33 v 65 옴
2SCR586JGTLL Rohm Semiconductor 2SCR586JGTLL 1.8700
RFQ
 ECAD 889 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 40 W. TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 5 a 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 100ma, 2a 120 @ 500ma, 3v 200MHz
RF101LAM2STFTR Rohm Semiconductor rf101lam2stftr 0.4400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RF101 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 870 mv @ 1 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 1A -
PDZVTR6.8A Rohm Semiconductor PDZVTR6.8A 0.1275
RFQ
 ECAD 8490 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PDZVTR6.8 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 3.5 v 6.8 v 6 옴
CDZFHT2RA6.8B Rohm Semiconductor cdzfht2ra6.8b 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 cdzfht2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 NA @ 3.5 v 6.79 v 40
UMZ27NT106 Rohm Semiconductor UMZ27nt106 0.4100
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 표면 표면 SC-70, SOT-323 UMZ27 200 MW UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 21 v 27 v
R6014YNX3C16 Rohm Semiconductor R6014ynx3c16 3.7100
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 R6014 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 846-R6014YNX3C16 50 n 채널 600 v 14A (TC) 10V, 12V 260mohm @ 5a, 12v 6V @ 1.4ma 20 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 100 v - 132W (TC)
SCS206AJTLL Rohm Semiconductor scs206ajtll 3.7000
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SCS206 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 6 a 0 ns 120 µa @ 600 v 175 ° C (°) 6A 219pf @ 1v, 1MHz
UDZVFHTE-172.4B Rohm Semiconductor udzvfhte-172.4b 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.17% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvfhte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 120 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
RFV5BM6SFHTL Rohm Semiconductor RFV5BM6SFHTL 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFV5BM6 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.8 V @ 5 a 40 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 5a -
2SD1858TV2R Rohm Semiconductor 2SD1858TV2R -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 1 a 500NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 150MHz
RAL045P01TCR Rohm Semiconductor RAL045P01TCR 0.2801
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RAL045 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 4.5A (TA) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 1mA 40 nc @ 4.5 v -8V 4200 pf @ 6 v - 1W (TA)
QS5U16TR Rohm Semiconductor qs5u16tr 0.2360
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QS5U16 MOSFET (금속 (() TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 1mA 3.9 NC @ 4.5 v ± 12V 175 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 900MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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