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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1)
BZX84B5V1LT116 Rohm Semiconductor BZX84B5V1LT116 0.2600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±1.96% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 2V에서 2μA 5.1V 60옴
RB531S-30GTE61 Rohm Semiconductor RB531S-30GTE61 -
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 ECAD 5604 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RB531S-30GTE61TR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000
RFN20NS3STL Rohm Semiconductor RFN20NS3STL 2.9900
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 ECAD 868 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RFN20 기준 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 350V 1.35V @ 20A 35ns 350V에서 10μA 150°C 20A -
VT6T11T2R Rohm Semiconductor VT6T11T2R 0.4200
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 VT6T11 150mW VMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 20V 200mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 1mA, 2V 350MHz
1SR124-400AT-81 Rohm Semiconductor 1SR124-400AT-81 -
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 ECAD 7095 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1SR124 기준 GSR 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1SR124400AT81 EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.3V @ 1A 400ns 400V에서 10μA -60°C ~ 150°C 1A -
RB060L-40DDTE25 Rohm Semiconductor RB060L-40DDTE25 0.6700
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 ECAD 12 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 DO-214AC, SMA RB060 쇼트키 PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 500mV @ 2A 40V에서 1mA 125°C(최대) 2A -
RRD20TJ10SGC9 Rohm Semiconductor RRD20TJ10SGC9 4.1700
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 ECAD 413 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 풀팩 RRD20 기준 TO-220ACFP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RRD20TJ10SGC9 EAR99 8541.10.0080 50 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1000V 1.05V @ 20A 1000V에서 10μA 150°C 20A -
IMT1AT110 Rohm Semiconductor IMT1AT110 0.4600
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMT1 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 500mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 140MHz
RB201A60T-31 Rohm Semiconductor RB201A60T-31 -
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 ECAD 3090 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 DO-41 미니, 축형 RB201 쇼트키 MSR 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 580mV @ 2A 60V에서 100μA 150°C(최대) 2A -
SCS240AE2C Rohm Semiconductor SCS240AE2C -
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 ECAD 4387 0.00000000 로옴 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 SCS240 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 360 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 650V 20A(DC) 1.55V @ 20A 0ns 600V에서 400μA 175°C(최대)
RBR2L30ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR2L30ADDTE25 0.4800
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA RBR2L30 쇼트키 PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 490mV @ 2A 30V에서 80μA 150°C 2A -
SH8K12TB1 Rohm Semiconductor SH8K12TB1 0.4204
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 ECAD 7019 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SH8K12 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 5A 42m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 4nC @ 5V 250pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RFUH25NS3STL Rohm Semiconductor RFUH25NS3STL 2.0100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RFUH25 기준 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 350V 1.45V @ 20A 30ns 350V에서 10μA 150°C 20A -
DTA115TMT2L Rohm Semiconductor DTA115TMT2L 0.0615
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 ECAD 1619년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA115 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 100μA에서 300mV, 1mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 100kΩ
PDZVTR22A Rohm Semiconductor PDZVTR22A 0.4500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±5.67% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 PDZVTR22 1W PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 17V에서 10μA 22.05V 14옴
UDZVTE-1710B Rohm Semiconductor UDZVTE-1710B 0.2700
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 ECAD 47 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈베테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA @ 7V 10V 30옴
2SC1741STPQ Rohm Semiconductor 2SC1741STPQ -
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 ECAD 6140 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-72 수정했어요 300mW SPT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 32V 500mA 1μA(ICBO) NPN 600mV @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 3V 250MHz
PDZVTR16B Rohm Semiconductor PDZVTR16B 0.4500
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 PDZV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.09% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 PDZVTR16 1W PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 12V에서 10μA 17.25V 12옴
RRS075P03Z00TB1 Rohm Semiconductor RRS075P03Z00TB1 -
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 ECAD 8989 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RRS075P03Z00TB1TR 더 이상 사용하지 않는 경우 2,500 -
UFZVFHTE-1730B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1730B 0.3100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.53% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F UFZVFHTE 500mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 23V 30V 55옴
DTC143TU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC143TU3HZGT106 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC143 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
EMX51T2R Rohm Semiconductor EMX51T2R 0.3900
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 ECAD 4347 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMX51 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 20V 200mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 1mA, 2V 400MHz
SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor SH8MA3TB1 1.0100
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 ECAD 19 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SH8MA3 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 7A(타), 6A(타) 28m옴 @ 7A, 10V, 50m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V 300pF @ 15V, 480pF @ 15V -
RBQ20BM65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ20BM65AFHTL 1.2700
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 ECAD 954 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBQ20 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 65V 20A 630mV @ 10A 65V에서 200μA 150°C(최대)
RB541VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-30TE-17 0.3500
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 ECAD 2568 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-90, SOD-323F RB541 쇼트키 UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 200mA에서 640mV 30V에서 45μA 125°C(최대) 200mA -
TT8U2TR Rohm Semiconductor TT8U2TR 0.1774
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 ECAD 6721 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TT8U2 MOSFET(금속) 8-TSST 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 2.4A(타) 1.5V, 4.5V 105m옴 @ 2.4A, 4.5V 1V @ 1mA 6.7nC @ 4.5V ±10V 10V에서 850pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.25W(타)
2SCR523UBTL Rohm Semiconductor 2SCR523UBTL 0.2100
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 ECAD 11 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-85 2SCR523 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 350MHz
SH8K51GZETB Rohm Semiconductor SH8K51GZETB -
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 ECAD 6567 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SH8K51 MOSFET(금속) 1.4W(타) 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 35V 4A(타) 58m옴 @ 4A, 10V 2.8V @ 1mA 5.6nC @ 5V 300pF @ 10V -
2SK2094TL Rohm Semiconductor 2SK2094TL 0.5748
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 ECAD 8190 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK2094 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 2A(타) 4V, 10V 350m옴 @ 1A, 10V 2.5V @ 1mA ±20V 10V에서 400pF - 20W(Tc)
2SA2088T106Q Rohm Semiconductor 2SA2088T106Q 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA2088 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 500mA 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 10mA, 100mA 120@50mA, 2V 400MHz
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