SIC
close

불연속 불연속 제품 (6960)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
UMH37NTN Rohm Semiconductor umh37ntn 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH37 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 20V 400ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 3ma, 30ma 820 @ 10ma, 5V 35MHz 10kohms -
SCT4026DW7HRTL Rohm Semiconductor SCT4026DW7HRTL 22.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) TO-263-7L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 750 v 51A (TC) 18V 34mohm @ 29a, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 NC @ 18 v +21V, -4V 2320 pf @ 500 v - 150W
RUL035N02FRATR Rohm Semiconductor RUL035N02FRATR 0.5200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RUL035 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.5A (TA) 1.5V, 4.5V 43mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 1mA 5.7 NC @ 4.5 v ± 10V 460 pf @ 10 v - 1W (TA)
DTB114EKFRAT146 Rohm Semiconductor DTB114EKFRAT146 0.1329
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB114 200 MW smt3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RB051MS-2YTR Rohm Semiconductor RB051ms-2ytr -
RFQ
 ECAD 9176 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
RCD075N19TL Rohm Semiconductor RCD075N19TL 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RCD075 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 190 v 7.5A (TC) 4V, 10V 336mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 850MW (TA), 20W (TC)
SP8J66TB1 Rohm Semiconductor SP8J66TB1 -
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8J66 MOSFET (금속 (() - 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 9a - - - - -
RSS110N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS110N03FU6TB -
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS110 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4V, 10V 10.7mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 1mA 17 nc @ 5 v 20V 1300 pf @ 10 v - 2W (TA)
2SAR573D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR573D3FRATL 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SAR573 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 50 v 3 a 1µA (ICBO) 400mv @ 50ma, 1a 180 @ 100MA, 3V
RCJ120N20TL Rohm Semiconductor RCJ120N20TL 1.3000
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ120 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 12A (TC) 10V 325mohm @ 6a, 10V 5.25V @ 1mA 15 nc @ 10 v ± 30V 740 pf @ 25 v - 1.56W (TA), 40W (TC)
BC847BU3HZGT106 Rohm Semiconductor BC847BU3HZGT106 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 200MHz
RB205T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB205T-90NZC9 2.6800
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB205 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB205T-90NZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 15a 780 MV @ 7.5 a 300 µa @ 90 v 150 ° C
RB068VWM-40TR Rohm Semiconductor RB068VWM-40TR 0.4800
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB068 Schottky PMDE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 790 MV @ 2 a 500 na @ 40 v 175 ° C 2A -
UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor um6k31nfhatcn 0.4900
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UM6K31 MOSFET (금속 (() 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 250MA (TA) 2.4ohm @ 250ma, 10V 2.3v @ 1ma - 15pf @ 25V -
KDZVTFTR7.5B Rohm Semiconductor KDZVTFTR7.5B 0.4700
RFQ
 ECAD 2361 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZVTFTR7.5 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 4 v 7.95 v
RTQ040P02TR Rohm Semiconductor rtq040p02tr 0.2649
RFQ
 ECAD 3848 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RTQ040 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 4a, 4.5v 2V @ 1mA 12.2 NC @ 4.5 v ± 12V 1350 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
BZX84B30VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B30VLYT116 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 21 v 30 v 80 옴
R5005CNJTL Rohm Semiconductor R5005CNJTL 1.1388
RFQ
 ECAD 1071 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R5005 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 5A (TA) 10V 1.6ohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 1mA 10.8 nc @ 10 v ± 30V 320 pf @ 25 v - 40W (TC)
RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor RBQ10NS45ATL 1.1600
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBQ10 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 650 mV @ 5 a 70 µa @ 45 v 150 ° C (°)
QH8K26TR Rohm Semiconductor QH8K26TR 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8K26 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 7A (TA) 38mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 2.9NC @ 5V 275pf @ 20V -
UDZVTE-1730B Rohm Semiconductor UDZVTE-1730B 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 23 v 30 v 200 옴
RF601BM2DFHTL Rohm Semiconductor RF601BM2DFHTL 1.1200
RFQ
 ECAD 2885 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RF601 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 6A 930 MV @ 3 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°)
BZX84C27VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C27VLYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 19 v 27 v 80 옴
SCS230AE2C Rohm Semiconductor SCS230AE2C -
RFQ
 ECAD 5565 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCS230 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 360 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 15A (DC) 1.55 V @ 15 a 300 µa @ 600 v 175 ° C (°)
SCS312AHGC9 Rohm Semiconductor SCS312AHGC9 6.9400
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS312 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 60 µa @ 650 v 175 ° C (°) 12a 600pf @ 1v, 1MHz
MTZJT-724.3A Rohm Semiconductor MTZJT-724.3A -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT724.3A 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
RYE002N05TCL Rohm Semiconductor Rye002n05tcl -
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 Rye002 MOSFET (금속 (() EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 0.9V, 4.5V 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 800mv @ 1ma ± 8V 26 pf @ 10 v - 150MW (TA)
DA221FHTL Rohm Semiconductor DA221FHTL 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DA221 기준 EMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 20 v 100ma 1 V @ 10 ma 100 na @ 15 v 150 ° C (°)
2SB1697T100 Rohm Semiconductor 2SB1697T100 0.6700
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1697 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 12 v 2 a 100µA (ICBO) PNP 180mv @ 50ma, 1a 270 @ 200MA, 2V 360MHz
PTZTFTE2524B Rohm Semiconductor PTZTFTE2524B 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.98% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 19 v 25.8 v 16 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다