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불연속 불연속 제품 (6960)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SCR513RTL Rohm Semiconductor 2SCR513RTL 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SCR513 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 350MV @ 25MA, 500MA 180 @ 50MA, 2V 360MHz
SCS220AEC Rohm Semiconductor SCS220AEC -
RFQ
 ECAD 4758 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCS220 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 360 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 20 a 0 ns 400 µa @ 600 v 175 ° C (°) 20A 730pf @ 1v, 1MHz
RBR5L30BDDTE25 Rohm Semiconductor RBR5L30BDDTE25 0.7800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RBR5L30 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 5 a 150 µa @ 30 v 150 ° C 5a -
TDZTR9.1 Rohm Semiconductor tdztr9.1 0.1088
RFQ
 ECAD 4543 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdztr9.1 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 5.5 v 9.1 v
R6006ANDTL Rohm Semiconductor R6006andtl 1.1794
RFQ
 ECAD 2047 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6006 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 6A (TC) 10V 1.2ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 1mA 15 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 40W (TC)
EMZ6.8NFHTL Rohm Semiconductor emz6.8nfhtl 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.93% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 EMZ6.8 150 MW EMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
BZX84C6V2LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C6V2LFHT116 0.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
DTA124XCAT116 Rohm Semiconductor DTA124XCAT116 0.0488
RFQ
 ECAD 9628 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA124 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
DTA143XMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA143XMFHAT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 272 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA143 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
MTZJT-724.3B Rohm Semiconductor MTZJT-724.3B -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT724.3B 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
YDZVFHTR5.1 Rohm Semiconductor ydzvfhtr5.1 0.1020
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 9.8% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr5.1 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1.5 v 5.1 v
TFZGTR4.7B Rohm Semiconductor tfzgtr4.7b 0.0886
RFQ
 ECAD 5419 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tfzgtr4.7 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 4.7 v 25 옴
QS8K13TCR Rohm Semiconductor QS8K13TCR 0.5704
RFQ
 ECAD 3494 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8K13 MOSFET (금속 (() 550MW TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6A 28mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 20NC @ 10V 390pf @ 10V -
RBR3MM60ATFTR Rohm Semiconductor rbr3mm60atftr 0.4400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR3MM60 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A -
RB051MM-2YTR Rohm Semiconductor RB051MM-2YTR 0.5600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB051 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 460 mV @ 3 a 900 µa @ 20 v 125 ° C (°) 3A -
RB058L150DDTE25 Rohm Semiconductor RB058L150DDTE25 0.5900
RFQ
 ECAD 410 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RB058 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 3 a 3 µa @ 150 v 150 ° C 3A -
QH8MA3TCR Rohm Semiconductor QH8MA3TCR 0.7800
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8MA3 MOSFET (금속 (() 1.5W TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 7A, 5.5A 29mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 7.2NC @ 10V 300pf @ 15V -
RB088LAM100TFTR Rohm Semiconductor RB088LAM100TFTR 0.5800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB088 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 3 µa @ 100 v 150 ° C (°) 5a -
YFZVFHTR8.2B Rohm Semiconductor yfzvfhtr8.2b 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.57% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr8.2 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 5 v 7.99 v 8 옴
DTA143TMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA143TMFHAT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA143 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
RBLQ30NL10STL Rohm Semiconductor rblq30nl10stl 2.5000
RFQ
 ECAD 3825 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBLQ30 Schottky TO-263L - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 860 mV @ 30 a 150 µa @ 100 v 150 ° C 30A -
UDZSTE-179.1B Rohm Semiconductor Udzste-179.1b 0.0616
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F Udzste 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 6 v 9.1 v 30 옴
RQ5E050ATTCL Rohm Semiconductor RQ5E050ATTCL 0.6900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5E050 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 26mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 19.4 NC @ 10 v ± 20V 880 pf @ 15 v - 760MW (TA)
EDZ9HUTE615.1B Rohm Semiconductor edz9hute615.1b -
RFQ
 ECAD 9370 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 edz9hut 100MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-edz9hute615.1btr 귀 99 8541.10.0050 3,000
RB168LAM100TFTR Rohm Semiconductor RB168LAM100TFTR 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB168 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 400 na @ 100 v 150 ° C (°) 1A -
RB551VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB551VM-40TE-17 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB551 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 430 mv @ 200 ma 300 µa @ 40 v 125 ° C 200ma -
RHU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor RHU002N06FRAT106 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 RHU002 MOSFET (금속 (() UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 4V, 10V 2.4ohm @ 200ma, 10V 2.5V @ 1mA 4.4 NC @ 10 v ± 20V 15 pf @ 10 v - 200MW (TA)
RB215T-40NZC9 Rohm Semiconductor RB215T-40NZC9 1.8700
RFQ
 ECAD 974 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB215 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB215T-40NZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 550 mV @ 10 a 500 µa @ 40 v 150 ° C (°)
RRE02VS4SGTR Rohm Semiconductor RRE02VS4SGTR -
RFQ
 ECAD 7748 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RRE02 기준 tumd2s 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 400 v 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 400 v 150 ° C (°) 200ma -
BAT54SHMT116 Rohm Semiconductor BAT54SHMT116 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 50 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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