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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
UMZ8.2NFHT106 Rohm Semiconductor UMZ8.2NFHT106 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.3% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 UMZ8.2 200 MW UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 500 na @ 5 v 8.2 v 30 옴
SCT3080KW7TL Rohm Semiconductor SCT3080KW7TL 19.9900
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SCT3080 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT3080KW7TLTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1200 v 30A (TC) 10A, 10A, 18V 5.6V @ 5MA 60 nc @ 18 v +22V, -4V 785 pf @ 800 v - 159W
RFNL5BGE6STL Rohm Semiconductor rfnl5bge6stl 0.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFNL5 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 5 a 60 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 5a -
DAP222ZMT2L Rohm Semiconductor DAP222ZMT2L 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DAP222 기준 VMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C
RB205T-40NZC9 Rohm Semiconductor RB205T-40NZC9 2.5100
RFQ
 ECAD 941 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB205 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB205T-40NZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 550 MV @ 7.5 a 300 µa @ 40 v 150 ° C
RBE2VAM20ATR Rohm Semiconductor rbe2vam20atr 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 rbe2vam20 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 460 mV @ 2 a 700 µa @ 20 v 125 ° C (°) 2A -
RFN2L6STE25 Rohm Semiconductor RFN2L6STE25 0.2901
RFQ
 ECAD 6956 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RFN2L6 기준 PMD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.55 V @ 1.5 a 35 ns 1 µa @ 600 v 150 ° C (°) 1.5A -
RZM001P02T2CL Rohm Semiconductor RZM001P02T2CL -
RFQ
 ECAD 1875 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 RZM001 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RZM001P02T2CLTR 귀 99 8541.21.0095 8,000 -
2SB1705TL Rohm Semiconductor 2SB1705TL 0.2120
RFQ
 ECAD 6634 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SB1705 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 250MV @ 30MA, 1.5A 270 @ 500ma, 2V 280MHz
R6015ENXC7G Rohm Semiconductor R6015ENXC7G 3.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6015 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6015ENXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15A (TA) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 910 pf @ 25 v - 60W (TC)
RB400DFHT146 Rohm Semiconductor RB400DFHT146 0.4500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB400 Schottky smd3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550MV @ 500 MA 7.35 ns 50 µa @ 30 v 125 ° C (°) 500ma 130pf @ 0V, 1MHz
YFZVFHTR3.0B Rohm Semiconductor yfzvfhtr3.0b 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.37% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr3.0 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 v 3.12 v 80 옴
UMP1NFHTR Rohm Semiconductor ump1nfhtr -
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMP1 기준 UMD5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 양극 양극 공통 80 v 25MA 900 mV @ 5 mA 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
GDZT8EPT2R14 Rohm Semiconductor GDZT8EPT2R14 -
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-gdzt8ept2r14tr 귀 99 8541.10.0050 8,000
RSJ800N06TL Rohm Semiconductor RSJ800N06TL 2.0801
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ800 MOSFET (금속 (() lpt - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 80A (TA) - - - - - -
BZX84C20VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C20VLYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
RB715UMFHTL Rohm Semiconductor RB715UMFHTL 0.4200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 RB715 Schottky UMD3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 30ma 370 mV @ 1 ma 1 µa @ 10 v 125 ° C (°)
R6002END3TL1 Rohm Semiconductor R6002end3tl1 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6002 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 1.7A (TC) 10V 3.4ohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 6.5 NC @ 10 v ± 20V 65 pf @ 25 v - 26W (TC)
R6035ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6035ENZ4C13 7.5100
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6035 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6035ENZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 35A (TC) 10V 102mohm @ 18.1a, 10v 4V @ 1MA 110 NC @ 10 v ± 20V 2720 ​​pf @ 25 v - 379W (TC)
ZDS020N60TB Rohm Semiconductor ZDS020N60TB -
RFQ
 ECAD 9383 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZDS020 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 630ma (TC) 10V 5ohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 20 nc @ 10 v ± 30V 310 pf @ 10 v - 2W (TC)
QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor qs8m51hzgtr 0.6000
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-smd,, 리드 TSMT8 - 1 (무제한) 3,000
BZX84B13VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B13VLT116 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.3% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
RBR3MM60ATR Rohm Semiconductor rbr3mm60atr 0.5000
RFQ
 ECAD 2450 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR3MM60 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A -
RB531ES-30T15R Rohm Semiconductor RB531ES-30T15R -
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0201 (0603 메트릭) RB531 Schottky DSN0603-2, SOD-962, SMD0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 100 ma 50 µa @ 30 v 150 ° C (°) 100ma -
RD3P08BBDTL Rohm Semiconductor RD3P08BBDTL 3.0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P08 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 80A (TA) 6V, 10V 11.6mohm @ 80a, 10V 4V @ 1MA 37 NC @ 10 v ± 20V 1940 pf @ 50 v - 119W (TA)
SP8K5FU6TB Rohm Semiconductor SP8K5FU6TB -
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K5 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 83mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.5NC @ 5V 140pf @ 10V 논리 논리 게이트
RT1A050ZPTR Rohm Semiconductor rt1a050zptr 1.0000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RT1A050 MOSFET (금속 (() 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 5A (TA) 1.5V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 1mA 34 NC @ 4.5 v ± 10V 2800 pf @ 6 v - 600MW (TA)
SCS210KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS210KE2GC11 10.1000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCS210 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS210KE2GC11 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 5A (DC) 1.6 V @ 5 a 0 ns 100 µa @ 1200 v 175 ° C
ES6U42FU7T2R Rohm Semiconductor es6u42fu7t2r -
RFQ
 ECAD 4455 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-es6u42fu7t2rtr 쓸모없는 8,000
RSJ400N06FRATL Rohm Semiconductor RSJ400N06FRATL 1.7800
RFQ
 ECAD 770 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ400 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 40A (TA) 10V 16mohm @ 40a, 10V 3V @ 1mA 52 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 10 v - 50W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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