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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RFN1LAM7STFTR Rohm Semiconductor RFN1LAM7STFTR 0.6000
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RFN1LAM7 기준 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 700V 1.5V @ 800mA 80ns 700V에서 1μA 150°C(최대) 800mA -
DTA114EBT2L Rohm Semiconductor DTA114EBT2L -
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 ECAD 8197 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-923F DTA114 150mW VMN3 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTA114EBT2LTR 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스 + 의무 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
R6004ENX Rohm Semiconductor R6004ENX 1.6400
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 ECAD 109 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6004 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 4A(TC) 10V 980m옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 250pF - 40W(Tc)
SCS220AGC17 Rohm Semiconductor SCS220AGC17 7.5200
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 ECAD 4999 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-220ACFP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCS220AGC17 EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.55V @ 20A 0ns 600V에서 400μA 175°C 20A 730pF @ 1V, 1MHz
R6530KNXC7G Rohm Semiconductor R6530KNXC7G 6.6700
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 ECAD 894 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6530 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6530KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 30A(타) 10V 140m옴 @ 14.5A, 10V 5V @ 960μA 56nC @ 10V ±20V 2350pF @ 25V - 86W(Tc)
RP1E075RPTR Rohm Semiconductor RP1E075RPTR -
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 ECAD 5780 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RP1E075 MOSFET(금속) MPT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 30V 7.5A(타) 4V, 10V 21m옴 @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 21nC @ 5V ±20V 1900pF @ 10V - 2W(타)
TDZTR30B Rohm Semiconductor TDZTR30B -
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 ECAD 9560 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±10% -55°C ~ 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TDZTR30 500mW TUMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 21V에서 10μA 30V
STZ6.8TT146 Rohm Semiconductor STZ6.8TT146 0.6100
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 ECAD 4985 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 STZ6.8 200mW SMD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1쌍 구역 500nA @ 3.5V 6.8V 40옴
KDZTR2.7B Rohm Semiconductor KDZTR2.7B 0.1836
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 ECAD 5623 0.00000000 로옴 KDZ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±7% - 표면 실장 SOD-123F KDZTR2.7 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200μA @ 1V 2.7V
BM63564S-VA Rohm Semiconductor BM63564S-VA 25.1200
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 ECAD 39 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.134", 28.80mm) IGBT BM63564 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 15A 600V 1500Vrms
2SAR542PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR542PFRAT100 0.6100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR542 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 30V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 100mA, 2A 200 @ 500mA, 2V 240MHz
BAS16T116 Rohm Semiconductor BAS16T116 -
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 ECAD 9143 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 SSD3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BAS16T116TR EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 80V 1.2V @ 100mA 4ns 70V에서 100nA 150°C 100mA 3.5pF @ 6V, 1MHz
PDZVTR5.1A Rohm Semiconductor PDZVTR5.1A 0.4500
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 ECAD 100 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±5.88% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 PDZVTR5.1 1W PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 20μA @ 1V 5.1V 8옴
QS8M11TCR Rohm Semiconductor QS8M11TCR 0.9000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QS8M11 - - TSMT8 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 30V 3.5A - - - - -
RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ10BM65AFHTL 0.8500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBQ10 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 65V 10A 690mV @ 5A 65V에서 150μA 150°C(최대)
BAV199HMFHT116 Rohm Semiconductor BAV199HMFHT116 0.2600
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV199 기준 SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍 직렬 연결 80V 215mA(DC) 1.25V @ 150mA 3μs 75V에서 5nA 150°C(최대)
RBQ10NS100ATL Rohm Semiconductor RBQ10NS100ATL 1.9000
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 ECAD 970 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RBQ10 쇼트키 LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 100V 10A 770mV @ 5A 100V에서 80μA 150°C
DTC123JE3TL Rohm Semiconductor DTC123JE3TL 0.3700
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 DTA143Z 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC123 150mW EMT3 - ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스 + 의무 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
RGS50TSX2GC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2GC11 8.1700
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 ECAD 174 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGS50 기준 395W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGS50TSX2GC11 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 1200V 50A 75A 2.1V @ 15V, 25A 1.4mJ(켜짐), 1.65mJ(꺼짐) 67nC 37ns/140ns
SCT4062KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT4062KRHRC15 15.5500
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SiCFET(탄화규소) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT4062KRHRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 1200V 26A(TC) 18V 81m옴 @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64nC @ 18V +21V, -4V 800V에서 1498pF - 115W
BZX84C36VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C36VLYFHT116 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5.56% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA @ 25V 36V 90옴
DAN222MT2L Rohm Semiconductor DAN222MT2L 0.4600
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-723 DAN222 기준 VMD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍의 세션이 시작됩니다 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 70V에서 100nA 150°C(최대)
2SAR513P5T100 Rohm Semiconductor 2SAR513P5T100 0.4800
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR513 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 50V 1A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 25mA, 500mA 180@50mA, 2V 400MHz
RBR15BM60AFHTL Rohm Semiconductor RBR15BM60AFHTL 1.3100
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 ECAD 259 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBR15 쇼트키 TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 60V 15A 580mV @ 7.5A 60V에서 400μA 150°C(최대)
DTC123JCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC123JCAHZGT116 0.3700
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
RB751S-40FVTE61 Rohm Semiconductor RB751S-40FVTE61 -
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 ECAD 5979 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 RB751 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RB751S-40FVTE61TR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000
RBR5LAM30ATR Rohm Semiconductor RBR5LAM30ATR 0.5400
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 ECAD 16 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 RBR5LAM30 쇼트키 PMDTM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 540mV @ 5A 30V에서 100μA 150°C(최대) 5A -
RRQ045P03TR Rohm Semiconductor RRQ045P03TR 0.8900
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RRQ045 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 4.5A(타) 4V, 10V 35m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 14nC @ 5V ±20V 1350pF @ 10V - 600mW(타)
KDZVTFTR16B Rohm Semiconductor KDZVTFTR16B 0.4700
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 ECAD 23 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.56% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F KDZVTFTR16 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 12V에서 10μA 17.25V
BAT54CHYT116 Rohm Semiconductor BAT54CHYT116 0.4200
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 쇼트키 SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍의 세션이 시작됩니다 30V 200mA(DC) 800mV @ 100mA 50ns 25V에서 2μA 150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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  • Worldwide Manufacturers

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    전세계 제조업체

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