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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SCT3040KW7TL Rohm Semiconductor SCT3040KW7TL 38.8000
RFQ
 ECAD 8346 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SCT3040 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1200 v 56A (TC) 52mohm @ 20a, 18V 5.6v @ 10ma 107 NC @ 18 v +22V, -4V 1337 pf @ 800 v - 267W
SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor SCT3160KW7TL 11.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SCT3160 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1200 v 17A (TC) 208mohm @ 5a, 18V 5.6v @ 2.5ma 42 NC @ 18 v +22V, -4V 398 pf @ 800 v - 100W
R6035KNZ1C9 Rohm Semiconductor R6035KNZ1C9 -
RFQ
 ECAD 6824 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6035 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 35A (TC) 10V 102mohm @ 18.1a, 10v 5V @ 1MA 72 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 379W (TC)
RS1E200GNTB Rohm Semiconductor RS1E200GNTB 0.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 1mA 16.8 nc @ 10 v ± 20V 1080 pf @ 15 v - 3W (TA), 25.1W (TC)
KDZVTR2.4B Rohm Semiconductor KDZVTR2.4B 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.25% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZVTR2.4 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 µa @ 1 v 2.4 v
R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor R6009KND3TL1 0.9200
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 1 (무제한) 2,500
RBR5RSM40BTFTL1 Rohm Semiconductor RBR5RSM40BTFTL1 1.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 530 mv @ 5 a 120 µa @ 40 v 150 ° C 5a -
DTC114EE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc114ee3hzgtl 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC114 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
SCT4013DEC11 Rohm Semiconductor SCT4013DEC11 37.7600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4013DEC11 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 750 v 105A (TJ) 18V 16.9mohm @ 58a, 18V 4.8V @ 30.8mA 170 nc @ 18 v +21V, -4V 4580 pf @ 500 v - 312W
SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor SCT4018KEC11 38.7800
RFQ
 ECAD 457 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4018KEC11 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 81A (TJ) 18V 23.4mohm @ 42a, 18V 4.8V @ 22.2ma 170 nc @ 18 v +21V, -4V 4532 pf @ 800 v - 312W
RBQ5RSM10BTL1 Rohm Semiconductor RBQ5RSM10BTL1 1.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 700 mv @ 5 a 140 µa @ 100 v 150 ° C 5a -
RB078BM10SFNSTL Rohm Semiconductor RB078BM10SFNSTL 1.6500
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-PLCC RB078 Schottky 2-SMD - 1 (무제한) 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 740 mV @ 5 a 6.4 µa @ 100 v 175 ° C 5a -
UT6KE5TCR Rohm Semiconductor ut6ke5tcr 0.6800
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn UT6KE5 MOSFET (금속 (() 2W (TA) HUML2020L8 - 1 (무제한) 3,000 2 n 채널 100V 2A (TA) 207mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 2.8NC @ 10V 90pf @ 50V 기준
RGTVX6TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTVX6TS65GC11 7.1000
RFQ
 ECAD 319 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTVX6 기준 404 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 80A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 144 a 320 a 1.9V @ 15V, 80A 2.65mj (on), 1.8mj (OFF) 171 NC 45NS/201n
RCJ160N20TL Rohm Semiconductor RCJ160N20TL 1.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ160 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 16A (TC) 10V 180mohm @ 8a, 10V 5.25V @ 1mA 26 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 25 v - 1.56W (TA), 40W (TC)
SP8M3FU6TB Rohm Semiconductor SP8M3FU6TB -
RFQ
 ECAD 9317 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M3 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 4.5a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 5.5NC @ 5V 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
SH8M3TB1 Rohm Semiconductor SH8M3TB1 1.0500
RFQ
 ECAD 594 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m3 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 4.5a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
RB088BM-30FHTL Rohm Semiconductor RB088BM-30FHTL 1.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB088 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 10A 720 MV @ 5 a 3 µa @ 30 v 150 ° C (°)
DTC043ZUBTL Rohm Semiconductor DTC043ZUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC043 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
PDZVTFTR18B Rohm Semiconductor pdzvtftr18b 0.4400
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, PDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.39% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 pdzvtftr18 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 v 19.15 v 12 옴
2SB1427T100E Rohm Semiconductor 2SB1427T100E 0.6400
RFQ
 ECAD 257 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1427 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 2 a 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 390 @ 500ma, 6V 90MHz
RSR020P03TL Rohm Semiconductor RSR020P03TL 0.2284
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - 표면 표면 SC-96 RSR020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2A (TA) 4V, 10V 120mohm @ 2a, 10V - 4.3 NC @ 5 v ± 20V 370 pf @ 10 v - 1W (TA)
2SAR293P5T100 Rohm Semiconductor 2SAR293P5T100 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR293 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
DTC123EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC123EE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC123 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-DTC123EE3HZGTLCT 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
UDZSTE-1711B Rohm Semiconductor Udzste-1711b 0.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F Udzste 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 11 v 30 옴
QST2TR Rohm Semiconductor qst2tr 0.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QST2 1.25 w TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 12 v 6 a 100NA (ICBO) PNP 250MV @ 60MA, 3A 270 @ 500ma, 2V 250MHz
RJ1L08CGNTLL Rohm Semiconductor rj1l08cgntll 2.5800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1L08 MOSFET (금속 (() lptl 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 80A (TA) 4.5V, 10V 7.7mohm @ 80a, 10V 2.5V @ 50µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 30 v - 96W (TA)
RB058L-40DDTE25 Rohm Semiconductor RB058L-40DDTE25 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RB058 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 700 mv @ 3 a 5 µa @ 40 v 150 ° C (°) 3A -
TDZTR8.2 Rohm Semiconductor TDZTR8.2 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TDZTR8.2 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 4.9 v 8.2 v
RB088NS150FHTL Rohm Semiconductor RB088NS150FHTL 1.3100
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB088 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 5 a 10.7 ns 15 µa @ 150 v 150 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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