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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RSY500N04FRATL Rohm Semiconductor RSY500N04Fratl -
RFQ
 ECAD 3136 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - RSY500 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 - - - - - -
SP8K1FU6TB Rohm Semiconductor SP8K1FU6TB -
RFQ
 ECAD 4626 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K1 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 5.5NC @ 5V 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
RB706UM-40FHTL Rohm Semiconductor RB706UM-40FHTL 0.3900
RFQ
 ECAD 7766 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 RB706 Schottky UMD3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 30ma 370 mV @ 1 ma 1 µa @ 30 v 125 ° C (°)
RRQ030P03TR Rohm Semiconductor rrq030p03tr 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RRQ030 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TA) 4V, 10V 75mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 20V 480 pf @ 10 v - 600MW (TA)
US6M1TR Rohm Semiconductor US6M1TR 0.6700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6M1 MOSFET (금속 (() 1W Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V, 20V 1.4a, 1a 240mohm @ 1.4a, 10V 2.5V @ 1mA 2NC @ 5V 70pf @ 10V 논리 논리 게이트
RDD020N50TL Rohm Semiconductor RDD020N50TL 0.6086
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 RDD020 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
RGCL80TS60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL80TS60DGC11 5.2400
RFQ
 ECAD 9242 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGCL80 기준 148 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 65 a 160 a 1.8V @ 15V, 40A 1.11mj (on), 1.68mj (OFF) 98 NC 53ns/227ns
QS8J2TR Rohm Semiconductor qs8j2tr 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8J2 MOSFET (금속 (() 550MW TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4a 36mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 1mA 20NC @ 4.5V 1940pf @ 6v 논리 논리 게이트, 1.5V 드라이브
R6020ENXC7G Rohm Semiconductor R6020ENXC7G 5.3400
RFQ
 ECAD 956 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6020 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6020ENXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 4V @ 1MA 60 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 68W (TC)
RB521G-30T2R Rohm Semiconductor RB521G-30T2R -
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-723 RB521 Schottky VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 350 mV @ 10 ma 10 µa @ 10 v 125 ° C (°) 100ma -
RGCL60TK60GC11 Rohm Semiconductor RGCL60TK60GC11 4.9900
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGCL60 기준 54 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 30 a 120 a 1.8V @ 15V, 30A 770µJ (on), 1.11mj (OFF) 68 NC 44ns/186ns
QSX7TR Rohm Semiconductor qsx7tr 0.2279
RFQ
 ECAD 1468 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QSX7 500MW TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12V 1.5A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V 400MHz
RR1LAM6STFTR Rohm Semiconductor rr1lam6stftr 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-128 rr1lam6 기준 PMDT 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-rr1lam6stftrdkr 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 600 v 150 ° C 1A -
TFZGTR30B Rohm Semiconductor TFZGTR30B 0.0886
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZGTR30 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 23 v 30 v 55 옴
RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor rsj250p10fratl 1.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ250 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 25A (TA) 4V, 10V 63mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 1mA 60 nc @ 5 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 50W (TA)
BM63373S-VA Rohm Semiconductor BM63373S-VA 21.4000
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (1.134 ", 28.80mm) IGBT BM63373 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BM63373S-VA 귀 99 8542.39.0001 60 3 상 인버터 10 a 600 v 1500VRMS
RB058LAM150TR Rohm Semiconductor RB058LAM150TR 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB058 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 840 mV @ 3 a 3 µa @ 150 v 150 ° C (°) 3A -
RSJ400N06TL Rohm Semiconductor RSJ400N06TL 2.6700
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ400 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 40A (TA) 10V 16mohm @ 40a, 10V 3V @ 1mA 52 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 10 v - 50W (TC)
RRH040P03TB1 Rohm Semiconductor RRH040P03TB1 0.9800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RRH040 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 30 v 4A (TA) 4V, 10V 75mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1mA 5.2 NC @ 5 v ± 20V 480 pf @ 10 v - 650MW (TA)
DTA015EEBTL Rohm Semiconductor dta015eebtl 0.0351
RFQ
 ECAD 1768 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA015 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 20 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
RCX511N25 Rohm Semiconductor RCX511N25 3.1700
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RCX511 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 51A (TC) 10V 65mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 1MA 120 nc @ 10 v ± 30V 7000 pf @ 25 v - 2.23W (TA), 40W (TC)
UMH4NTN Rohm Semiconductor umh4ntn 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH4 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
RTF015P02TL Rohm Semiconductor RTF015P02TL 0.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RTF015 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 135mohm @ 1.5a, 4.5v 2V @ 1mA 5.2 NC @ 4.5 v ± 12V 560 pf @ 10 v - 800MW (TA)
DTC115GKAT146 Rohm Semiconductor DTC115GKAT146 0.0561
RFQ
 ECAD 6691 0.00000000 Rohm 반도체 DTC115G 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC115 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS
2SD2033AT114E Rohm Semiconductor 2SD2033AT114E -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 HRT 2SD2033 1.8 w HRT 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 160 v 1.5 a 1µA (ICBO) NPN 2V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V 80MHz
RS1E240GNTB Rohm Semiconductor rs1e240gntb 0.9600
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 24A (TA) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 24a, 10V 2.5V @ 1mA 23 nc @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 3W (TA), 27.4W (TC)
RP1E090XNTCR Rohm Semiconductor rp1e090xntcr -
RFQ
 ECAD 8243 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RP1E090 MOSFET (금속 (() MPT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 17mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 6.8 NC @ 5 v ± 20V 440 pf @ 10 v - 2W (TA)
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor rtq035n03tr 0.6500
RFQ
 ECAD 659 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RTQ035 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 54mohm @ 3.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 6.4 NC @ 4.5 v ± 12V 285 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
SP8M6FU6TB Rohm Semiconductor SP8M6FU6TB -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M6 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 3.5a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
RSS065N06FRATB Rohm Semiconductor RSS065N06FRATB -
RFQ
 ECAD 7929 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS065 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6.5A (TA) 4V, 10V 37mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1mA 16 nc @ 5 v ± 20V 900 pf @ 10 v - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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