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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
EDZTE6133B Rohm Semiconductor EDZTE6133B 0.3500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZTE6133 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 25 v 33 v 250 옴
RFU02VSM6STR Rohm Semiconductor rfu02vsm6str 0.3800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RFU02 기준 tumd2sm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.2 v @ 200 ma 25 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
BC858BT116 Rohm Semiconductor BC858BT116 0.0848
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 210 @ 2MA, 5V 250MHz
VDZT2R16B Rohm Semiconductor vdzt2r16b -
RFQ
 ECAD 6733 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-723 vdzt2 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 12 v 16 v 50 옴
DTC124EKAT146 Rohm Semiconductor DTC124EKAT146 0.2600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC124 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RGTH50TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGTH50TS65DGC13 5.6800
RFQ
 ECAD 9147 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTH50 기준 174 w TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGTH50TS65DGC13 귀 99 8541.29.0095 600 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 50 a 100 a 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/94ns
EDZTE6110B Rohm Semiconductor edzte6110b -
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZTE6110 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 7 v 10 v 30 옴
RB085T-40 Rohm Semiconductor RB085T-40 0.8082
RFQ
 ECAD 8681 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB085 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RB085T40 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 5a 550 mV @ 5 a 200 µa @ 40 v 150 ° C (°)
RB521SM-60FHT2R Rohm Semiconductor RB521SM-60FHT2R 0.2600
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB521 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 600 mv @ 200 ma 100 µa @ 60 v 125 ° C (°) 200ma -
PTZTE253.6B Rohm Semiconductor PTZTE253.6B 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% - 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE253.6 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 60 µa @ 1 v 3.6 v 15 옴
RB168L150TE25 Rohm Semiconductor RB168L150TE25 0.1613
RFQ
 ECAD 5329 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RB168 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 840 mV @ 1 a 4 µa @ 150 v 150 ° C (°) 1A -
RB088T-30NZC9 Rohm Semiconductor RB088T-30NZC9 1.1500
RFQ
 ECAD 997 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB088 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 10A 720 MV @ 5 a 3 µa @ 30 v 150 ° C
RGT16NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT16NS65DGC9 2.7900
RFQ
 ECAD 663 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA RGT16 기준 94 w TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 8A, 10ohm, 15V 42 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 16 a 24 a 2.1V @ 15V, 8A - 21 NC 13ns/33ns
SCS220KGC17 Rohm Semiconductor SCS220KGC17 13.0800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS220KGC17 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.6 V @ 20 a 0 ns 400 µa @ 1200 v 175 ° C 20A 1050pf @ 1v, 1MHz
DTC043XUBTL Rohm Semiconductor dtc043xubtl 0.2300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC043 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
2SD1767T100R Rohm Semiconductor 2SD1767T100R 0.6300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD1767 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 700 MA 500NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 120MHz
RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor rju002n06frat106 0.0924
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 RJU002 MOSFET (금속 (() UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 2.5V, 4.5V 2.3ohm @ 200ma, 4.5v 1.5V @ 1mA ± 12V 18 pf @ 10 v - 200MW (TA)
2SAR573D3TL1 Rohm Semiconductor 2SAR573D3TL1 0.8500
RFQ
 ECAD 338 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SAR573 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 1a 180 @ 100MA, 3V 300MHz
UMH10NFHATN Rohm Semiconductor umh10nfhatn 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH10 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
DTC013ZMT2L Rohm Semiconductor DTC013ZMT2L 0.3000
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC013 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 30 @ 5MA, 10V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
RHP030N03T100 Rohm Semiconductor RHP030N03T100 0.6900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA RHP030 MOSFET (금속 (() MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 30 v 3A (TA) 4V, 10V 120mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 6.5 NC @ 10 v ± 20V 160 pf @ 10 v - 500MW (TA)
US5U3TR Rohm Semiconductor US5U3TR 0.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 US5U3 MOSFET (금속 (() Tumt5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 240mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.2 NC @ 4.5 v 12V 80 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1W (TA)
MTZJT-728.2C Rohm Semiconductor MTZJT-728.2C -
RFQ
 ECAD 3011 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT728.2C 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 5 v 8.2 v 20 옴
UMA10NTR Rohm Semiconductor uma10ntr 0.0848
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA10 150MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1kohms 10kohms
R6015KNZC17 Rohm Semiconductor R6015KNZC17 4.9800
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6015 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6015KNZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 1MA 27.5 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 60W (TC)
2SB1198KT146Q Rohm Semiconductor 2SB1198KT146Q 0.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SB1198 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 180MHz
UMD22NTR Rohm Semiconductor umd22ntr 0.3800
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD22 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
EDZVFHT2R2.0B Rohm Semiconductor EDZVFHT2R2.0B 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 4.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVFHT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 120 µa @ 500 mV 2 v 100 옴
RSH070N05GZETB Rohm Semiconductor RSH070N05GZETB 1.1500
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSH070 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 7A (TA) 4V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 16.8 nc @ 5 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 2W (TA)
RB095BM-90FHTL Rohm Semiconductor RB095BM-90FHTL 0.9500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB095 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 6A 750 mV @ 3 a 8.4 ns 150 µa @ 90 v 150 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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