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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTA123EE3TL Rohm Semiconductor DTA123EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA124E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
TDZTR18 Rohm Semiconductor tdztr18 0.3800
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdztr18 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 12 v 18 v
2SC4081T106S Rohm Semiconductor 2SC4081T106S 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4081 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
ZDX080N50 Rohm Semiconductor ZDX080N50 1.6500
RFQ
 ECAD 414 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 ZDX080 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 23 nc @ 10 v ± 30V 1120 pf @ 25 v - 40W (TC)
RFN1LAM7STR Rohm Semiconductor rfn1lam7str 0.4400
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rfn1lam7 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 700 v 1.5 v @ 800 ma 80 ns 1 µa @ 700 v 150 ° C (°) 800ma -
2SK2887TL Rohm Semiconductor 2SK2887TL -
RFQ
 ECAD 2108 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SK2887 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 3A (TA) 10V 900mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 10 v - 20W (TC)
DTC113ZU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC113ZU3HZGT106 0.3800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC113 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SA2119KT146 Rohm Semiconductor 2SA2119KT146 0.4600
RFQ
 ECAD 468 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA2119 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
2SB1308T100R Rohm Semiconductor 2SB1308T100R 0.3901
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1308 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 3 a 500NA (ICBO) PNP 450MV @ 150MA, 1.5A 180 @ 500ma, 2V 120MHz
RB095BGE-30TL Rohm Semiconductor RB095BGE-30TL 1.1500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB095 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 6A 425 mV @ 3 a 200 µa @ 30 v 150 ° C (°)
DTC013ZUBTL Rohm Semiconductor DTC013ZUBTL 0.2700
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC013 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 30 @ 5MA, 10V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
BZX84B27VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B27VLYT116 0.4500
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.85% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 19 v 27 v 80 옴
QS8J5TR Rohm Semiconductor qs8j5tr 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8J5 MOSFET (금속 (() 600MW TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 5a 39mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 19NC @ 10V 1100pf @ 10V 논리 논리 게이트
BAS40-06HMFHT116 Rohm Semiconductor BAS40-06HMFHT116 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°)
DTC144EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC144EE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC144 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
BZX84B11VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B11VLYFHT116 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.82% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
2SC4620TV2P Rohm Semiconductor 2SC4620TV2P -
RFQ
 ECAD 7459 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 100 MA 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 82 @ 10ma, 10V 20MHz
DTA114WKAT146 Rohm Semiconductor DTA114WKAT146 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
2SC5865TLR Rohm Semiconductor 2SC5865TLR 0.1102
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SC5865 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2SC5865MGTLR 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 2V 250MHz
SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor SP8M51HZGTB 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M51 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 100V 3A (TA), 2.5A (TA) 170mohm @ 3a, 10v, 290mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5v, 12.5nc @ 5v 610pf @ 25v, 1550pf @ 25v -
2SA1727TLQ Rohm Semiconductor 2SA1727TLQ 0.3581
RFQ
 ECAD 1469 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SA1727 1 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 500 MA 1µA (ICBO) PNP 1V @ 10MA, 100MA 120 @ 50MA, 5V 12MHz
BAT54HYT116 Rohm Semiconductor BAT54HYT116 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 50 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C 200ma 12pf @ 1v, 1MHz
KDZLVTFTR100 Rohm Semiconductor KDZLVTFTR100 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZLVTFTR100 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 76 v 100 v
MTZJT-7213C Rohm Semiconductor MTZJT-7213C -
RFQ
 ECAD 1473 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT7213C 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 10 v 13 v 25 옴
UMD2NTR Rohm Semiconductor umd2ntr 0.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD2 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RRQ020P03TCR Rohm Semiconductor RRQ020P03TCR 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RRQ020 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2A (TA) 4V, 10V 160mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 3.2 NC @ 5 v ± 20V 230 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
VT6K1T2CR Rohm Semiconductor vt6k1t2cr 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 VT6K1 MOSFET (금속 (() 120MW VMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 2 n 채널 (채널) 20V 100ma 3.5ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 100µA - 7.1pf @ 10V 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브
EDZTE617.5B Rohm Semiconductor EDZTE617.5B -
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZTE617 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 4 v 7.5 v 30 옴
TDZTR6.8 Rohm Semiconductor TDZTR6.8 0.1088
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TDZTR6.8 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 3.5 v 6.8 v
2SB1260T100P Rohm Semiconductor 2SB1260T100p 0.2832
RFQ
 ECAD 1988 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1260 2 w MPT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 82 @ 100MA, 3V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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