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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
UDZVTE-172.7B Rohm Semiconductor UDZVTE-172.7B 0.2700
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈베테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100μA @ 1V 2.7V 110옴
TDZVTR15 Rohm Semiconductor TDZVTR15 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±10% 150°C (TJ) 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TDZVTR15 500mW TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 10V에서 10μA 15V
2SAR553RTL Rohm Semiconductor 2SAR553RTL 0.5800
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 ECAD 178 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SAR553 1W TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 35mA, 700mA 180@50mA, 2V 320MHz
SH8M41GZETB Rohm Semiconductor SH8M41GZETB 1.4800
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 ECAD 5107 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8M41 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 80V 3.4A, 2.6A 130m옴 @ 3.4A, 10V 2.5V @ 1mA 9.2nC @ 5V 600pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 4V 구동
TDZTR8.2 Rohm Semiconductor TDZTR8.2 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±10% -55°C ~ 150°C 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 TDZTR8.2 500mW TUMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 4.9V에서 10μA 8.2V
R6018JNXC7G Rohm Semiconductor R6018JNXC7G 5.0700
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6018 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 18A(TC) 15V 286m옴 @ 9A, 15V 7V @ 4.2mA 42nC @ 15V ±30V 100V에서 1300pF - 72W(Tc)
RF2001T4S Rohm Semiconductor RF2001T4S 1.7500
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 ECAD 169 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 스루홀 TO-220-3 풀팩 RF2001 기준 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.6V @ 20A 30ns 400V에서 10μA 150°C(최대) 20A -
RF05VAM1STR Rohm Semiconductor RF05VAM1STR 0.3900
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 ECAD 47 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RF05VAM1 기준 TUMD2S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 980mV @ 500mA 25ns 100V에서 10μA 150°C(최대) 500mA -
RLZTE-1112C Rohm Semiconductor RLZTE-1112C -
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 ECAD 4399 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500 200nA @ 9V 12V 12옴
RF071L4STE25 Rohm Semiconductor RF071L4STE25 0.1009
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 ECAD 4779 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 DO-214AC, SMA RF071 기준 PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.25V @ 700mA 25ns 400V에서 10μA 150°C(최대) 1A -
TT8K11TCR Rohm Semiconductor TT8K11TCR 0.5400
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 ECAD 4210 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TT8K11 MOSFET(금속) 1W 8-TSST 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 3A 71m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1A 2.5nC @ 5V 140pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 4V 구동
DTD523YMT2L Rohm Semiconductor DTD523YMT2L 0.1134
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 ECAD 9096 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTD523 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 2.2kΩ 10kΩ
UDZWTE-1722B Rohm Semiconductor UDZWTE-1722B -
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 ECAD 7651 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-90, SOD-323F UMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 3,000
DTC115GKAT146 Rohm Semiconductor DTC115GKAT146 0.0561
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 ECAD 6691 0.00000000 로옴 DTC115G 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC115 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 82 @ 5mA, 5V 250MHz 100kΩ
RB205T-60 Rohm Semiconductor RB205T-60 0.9002
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 ECAD 8971 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 스루홀 TO-220-3 풀팩 RB205 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 60V 7.5A 580mV @ 7.5A 600μA @ 60V 150°C(최대)
DTC014TMT2L Rohm Semiconductor DTC014TMT2L 0.2400
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC014 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 100 @ 5mA, 10V 250MHz 10kΩ
RS1L180GNTB Rohm Semiconductor RS1L180GNTB 2.6500
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 ECAD 4979 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1L MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 18A(타), 68A(Tc) 4.5V, 10V 5.6m옴 @ 18A, 10V 100μA에서 2.5V 63nC @ 10V ±20V 3230pF @ 30V - 3W(타)
BCX53-16T100 Rohm Semiconductor BCX53-16T100 0.7600
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 ECAD 995 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - 표면 실장 TO-243AA BCX53 MPT3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 - - - - -
R6007RND3TL1 Rohm Semiconductor R6007RND3TL1 1.5800
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R6007 MOSFET(금속) TO-252 - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 7A(TC) 15V 940m옴 @ 3.5A, 15V 7V @ 1mA 17.5nC @ 15V ±30V 100V에서 460pF - 96W(Tc)
SCS240AE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS240AE2HRC11 13.5700
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 ECAD 414 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-3 SCS240 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCS240AE2HRC11 EAR99 8541.10.0080 30 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 650V 20A(DC) 1.55V @ 20A 0ns 600V에서 400μA 175°C
UDZWTE-175.6B Rohm Semiconductor UDZWTE-175.6B -
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 ECAD 6756 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-90, SOD-323F UMD2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 3,000
RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor RQ5H020SPTL 0.5900
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RQ5H020 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 45V 2A(타) 4V, 10V 190m옴 @ 2A, 10V 3V @ 1mA 9.5nC @ 10V ±20V 10V에서 500pF - 540mW(타)
2SCR502EBHZGTL Rohm Semiconductor 2SCR502EBHZGTL 0.3900
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 2SCR502 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 200nA(ICBO) NPN 300mV @ 10mA, 200mA 200 @ 100mA, 2V 360MHz
RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor RJU003N03FRAT106 0.4100
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 ECAD 32 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 RJ003 MOSFET(금속) UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 300mA(타) 2.5V, 4.5V 1.1옴 @ 300mA, 4.5V 1.5V @ 1mA ±12V 10V에서 24pF - 200mW(타)
2SB1182TLQ Rohm Semiconductor 2SB1182TLQ 1.0600
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SB1182 10W CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 32V 2A 1μA(ICBO) PNP 800mV @ 200mA, 2A 120 @ 500mA, 3V 100MHz
SCT3080ALHRC11 Rohm Semiconductor SCT3080ALHRC11 21.0800
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT3080 SiCFET(탄화규소) TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 30A(Tc) 18V 104m옴 @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48nC @ 18V +22V, -4V 571pF @ 500V - 134W
BAV70T216 Rohm Semiconductor BAV70T216 -
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 ECAD 3527 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV70 기준 SSD3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BAV70T216TR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 70V 215mA(DC) 1.25V @ 150mA 4ns 70V에서 2.5μA 150°C(최대)
BAS40-04HYFHT116 Rohm Semiconductor BAS40-04HYFHT116 0.4800
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 쇼트키 SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 직렬 연결 40V 120mA(DC) 1V @ 40mA 40V에서 10μA 150°C
DTC115EU3T106 Rohm Semiconductor DTC115EU3T106 0.2000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC115 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 82 @ 5mA, 5V 250MHz 100kΩ 100kΩ
SCS220AE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS220AE2HRC11 9.5000
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 ECAD 238 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-3 SCS220 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCS220AE2HRC11 EAR99 8541.10.0080 30 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 650V 10A(DC) 1.55V @ 10A 0ns 600V에서 200μA 175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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