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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTC124EETL Rohm Semiconductor dtc124eetl 0.3500
RFQ
 ECAD 782 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC124 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
EMG3T2R Rohm Semiconductor EMG3T2R 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 EMG3T2 150MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 250µa, 5mA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
2SB1732TL Rohm Semiconductor 2SB1732TL 0.4200
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 2SB1732 400MW tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V 400MHz
RLZTE-1120C Rohm Semiconductor RLZTE-1120C -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 RLZTE-1120 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 200 na @ 15 v 19.1 v 28 옴
RB060MM-30TFTR Rohm Semiconductor RB060MM-30TFTR 0.6100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB060 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 2 a 50 µa @ 30 v 150 ° C (°) 2A -
PTZTE2520A Rohm Semiconductor PTZTE2520A 0.5200
RFQ
 ECAD 960 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% - 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE2520 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 15 v 20 v 14 옴
TFZVTR33B Rohm Semiconductor TFZVTR33B 0.3700
RFQ
 ECAD 7729 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZVTR33 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 25 v 33 v 65 옴
2SCR346PT100P Rohm Semiconductor 2SCR346PT100P 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR346 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 400 v 100 MA 10µA (ICBO) NPN 300mv @ 2ma, 20ma 82 @ 10ma, 10V -
RSS125N03TB Rohm Semiconductor RSS125N03TB -
RFQ
 ECAD 1308 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS125 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4V, 10V 8.9mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 1mA 28 NC @ 5 v 20V 1670 pf @ 10 v - 2W (TA)
VDZT2R2.0B Rohm Semiconductor vdzt2r2.0b -
RFQ
 ECAD 4704 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-723 vdzt2 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 2 v
SCT3105KRC15 Rohm Semiconductor SCT3105KRC15 12.1800
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT3105 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4L 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-SCT3105KRC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 24A (TJ) 18V 137mohm @ 7.6a, 18V 5.6v @ 3.81ma 51 NC @ 18 v +22V, -4V 574 pf @ 800 v - 134W
EMX4T2R Rohm Semiconductor EMX4T2R 0.6400
RFQ
 ECAD 9729 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMX4T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 20V 50ma 500NA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 4ma, 20ma 56 @ 10ma, 10V 1.5GHz
UMF5NTR Rohm Semiconductor umf5ntr 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF5 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V, 12V 100ma, 500ma 500NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 300mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma 68 @ 5ma, 5v / 270 @ 10ma, 2v 250MHz, 260MHz 47kohms 47kohms
DTC143ZMFHAT2L Rohm Semiconductor DTC143ZMFHAT2L 0.2600
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC143 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RBR20NS30AFHTL Rohm Semiconductor RBR20NS30AFHTL 1.4400
RFQ
 ECAD 814 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBR20 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 20A 550 mV @ 10 a 200 µa @ 30 v 150 ° C (°)
US6J2TR Rohm Semiconductor US6J2TR 0.6700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6J2 MOSFET (금속 (() 1W Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1A 390mohm @ 1a, 4.5v 2V @ 1mA 2.1NC @ 4.5V 150pf @ 10V 논리 논리 게이트
RS1E200BNTB Rohm Semiconductor RS1E200BNTB 0.8300
RFQ
 ECAD 6105 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 1mA 59 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 15 v - 3W (TA), 25W (TC)
FMG11AT148 Rohm Semiconductor FMG11AT148 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMG11 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
IMH24T110 Rohm Semiconductor IMH24T110 0.1840
RFQ
 ECAD 6946 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMH24 300MW smt6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 20V 600ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 50ma, 2.5ma 820 @ 50MA, 5V 150MHz 2.2kohms -
RB521S-30SPTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30SPTE61 -
RFQ
 ECAD 2587 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB521 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB521S-30SPTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
PTZTE256.8B Rohm Semiconductor PTZTE256.8B 0.2014
RFQ
 ECAD 3686 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% - 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE256.8 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 3.5 v 7.3 v 6 옴
RTR030P02TL Rohm Semiconductor RTR030P02TL 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RTR030 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 75mohm @ 3a, 4.5v 2V @ 1mA 9.3 NC @ 4.5 v ± 12V 840 pf @ 10 v - 1W (TA)
FMG6AT148 Rohm Semiconductor FMG6AT148 0.1011
RFQ
 ECAD 1095 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMG6 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47kohms -
BSM300C12P3E201 Rohm Semiconductor BSM300C12P3E201 750.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM300 sicfet ((카바이드) 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BSM300C12P3E201 귀 99 8541.29.0095 4 n 채널 1200 v 300A (TC) - - 5.6v @ 80ma +22V, -4V 15000 pf @ 10 v - 1360W (TC)
RD3L080SNTL1 Rohm Semiconductor RD3L080SNTL1 1.1100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L080 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 8A (TA) 4V, 10V 80mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1mA 9.4 NC @ 10 v ± 20V 380 pf @ 10 v - 15W (TC)
CDZT2R8.2B Rohm Semiconductor cdzt2r8.2b 0.0797
RFQ
 ECAD 6239 0.00000000 Rohm 반도체 CDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-923 CDZT2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 na @ 5 v 8.2 v 30 옴
2SK2095N Rohm Semiconductor 2SK2095N -
RFQ
 ECAD 7365 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK2095 MOSFET (금속 (() TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 10A (TA) 4V, 10V 95mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 1600 pf @ 10 v - 30W (TC)
RSS085N05FU6TB Rohm Semiconductor RSS085N05FU6TB -
RFQ
 ECAD 3415 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS085 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 8.5A (TA) 4V, 10V 18mohm @ 8.5a, 10V - 21.4 NC @ 5 v 20V 1500 pf @ 10 v - 2W (TA)
KDZLVTR120 Rohm Semiconductor KDZLVTR120 0.4500
RFQ
 ECAD 276 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZLVTR120 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 91 v 120 v 620 옴
CDZFHT2RA9.1B Rohm Semiconductor cdzfht2ra9.1b 0.4100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 cdzfht2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 na @ 6 v 9.04 v 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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