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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | DTD123ECHZGT116 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 MA | 500NA | npn-사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 39 @ 50MA, 5V | 200MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RDD022N50TL | 0.5954 | ![]() | 8895 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RDD022 | MOSFET (금속 (() | CPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 2A (TC) | 10V | 5.4ohm @ 1a, 10V | 4.7V @ 1mA | 6.7 NC @ 10 v | ± 30V | 168 pf @ 25 v | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | rsx048lap2str | 0.7300 | ![]() | 1981 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | Schottky | SOD-128 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 870 mV @ 3 a | 200 na @ 200 v | 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rq6e045tntr | 0.6400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | RQ6E045 | MOSFET (금속 (() | TSMT6 (SC-95) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 43mohm @ 4.5a, 4.5v | 1.5V @ 1mA | 10.7 NC @ 4.5 v | ± 12V | 540 pf @ 10 v | - | 950MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144EMFHAT2L | 0.0668 | ![]() | 3718 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SOT-723 | DTC144 | 150 MW | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54SHMFHT116 | - | ![]() | 2263 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SSD3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 연결 연결 시리즈 | 30 v | 200MA (DC) | 800 mv @ 100 ma | 50 ns | 2 µa @ 25 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ15BGE10ATL | 2.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RBQ15 | Schottky | TO-252GE | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 15a | 710 MV @ 7.5 a | 140 µa @ 100 v | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB511VM-30FHTE-17 | 0.0521 | ![]() | 7893 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | RB511 | Schottky | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 370 mV @ 10 ma | 7 µa @ 10 v | 125 ° C (°) | 100ma | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
RLZTE-11113B | - | ![]() | 4543 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | llds | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 200 na @ 10 v | 13 v | 14 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | udzlvfhte-1782 | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.1% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzlvfhte-1782 | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 63 v | 82 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS220KGHRC | - | ![]() | 8371 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | SCS220 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1200 v | 1.6 V @ 20 a | 0 ns | 400 µa @ 1200 v | 175 ° C (°) | 20A | 1060pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS400TONT61 | - | ![]() | 1947 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-1SSSSS400TONT61TR | 쓸모없는 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1706TL | 0.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | 2SB1706 | 500MW | TSMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 370mv @ 75ma, 1.5a | 270 @ 200MA, 2V | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVTE-172.2B | 0.2700 | ![]() | 2196 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzvte | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2.2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
R6520KNZC17 | 5.8300 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | R6520 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-R6520KNZC17 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 20A (TC) | 10V | 205mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 630µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1550 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC115TKAT146 | 0.0488 | ![]() | 4055 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | DTC115T | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC115 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | npn-사전- | 300mv @ 100µa, 1ma | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 100 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZ8HRTE615.1B | - | ![]() | 5055 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | edz8hrt | 100MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-EDZ8HRTE615.1BTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZLVTR110 | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.45% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | KDZLVTR110 | 1 W. | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 84 v | 110 v | 530 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | edzztte616.8b | - | ![]() | 2229 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 에드 에드 | 100MW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-edzztte616.8btr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rbr2mm60ctftr | 0.4700 | ![]() | 598 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | RBR2MM60 | Schottky | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 550 mV @ 2 a | 120 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | scs310ajtll | 5.4400 | ![]() | 518 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SCS310 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | lptl | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.5 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 v | 175 ° C (°) | 10A | 500pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB050M-30TR | 0.1772 | ![]() | 5125 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SOD-123F | RB050 | Schottky | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 510 mV @ 3 a | 50 µa @ 30 v | 150 ° C (°) | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | edzfhte613.6b | - | ![]() | 7299 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | Edzfht | 100MW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-edzfhte613.6btr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | edzgte6110b | - | ![]() | 2248 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | Edzgt | 100MW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-EDZGTE6110BTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tdzvtr20 | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | tdzvtr20 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 14 v | 20 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST6427T116 | 0.1417 | ![]() | 1013 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST6427 | smd3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 40 v | 50NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.5V @ 500µA, 500mA | 10000 @ 10ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTE2536A | 0.5200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 6% | - | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | PTZTE2536 | 1 W. | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µa @ 27 v | 36 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZVT2R4.7B | 0.2800 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | EDZVT2 | 150 MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2 µa @ 1 v | 4.7 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB058LAM100TFTR | 0.5700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | RB058 | Schottky | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 3 µa @ 150 v | 150 ° C (°) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzste-1724b | 0.3500 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 19 v | 24 v | 120 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고