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디스크리트 반도체(6960)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
MTZJT-779.1C Rohm Semiconductor MTZJT-779.1C -
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 ECAD 6845 0.00000000 로옴 MTZ J 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 스루홀 DO-204AG, DO-34, 축방향 500mW MSD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 5,000 500nA @ 6V 9.1V 20옴
RD3L050SNFRATL Rohm Semiconductor RD3L050SNFRATL 1.6800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3L050 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 5A(타) 4V, 10V 109m옴 @ 5A, 10V 3V @ 1mA 8nC @ 10V ±20V 10V에서 290pF - 15W(타)
DTC114YE3TL Rohm Semiconductor DTC114YE3TL 0.3600
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 DTA144E 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC114 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스 + 의무 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
RB225T100 Rohm Semiconductor RB225T100 1.2437
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 ECAD 9181 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 스루홀 TO-220-3 풀팩 RB225 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 110V 15A 860mV @ 15A 100V에서 400μA 150°C(최대)
RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor RB048RSM10STL1 1.2300
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-277, 3-PowerDFN 쇼트키 TO-277A 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 840mV @ 8A 100V에서 3.4μA 175°C 8A -
UFZVFHTE-1715B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1715B 0.3100
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.63% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F UFZVFHTE 500mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 200nA @ 11V 15V 16옴
RB205T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB205T-60NZC9 2.6200
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RB205 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RB205T-60NZC9 EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 60V 15A 580mV @ 7.5A 600μA @ 60V 150°C
R6020PNJFRATL Rohm Semiconductor R6020PNJFRATL 6.4800
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 ECAD 693 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6020 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 20A(TC) 10V 250m옴 @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 65nC @ 10V ±30V 2040pF @ 25V - 304W(Tc)
RBR3L40CDDTE25 Rohm Semiconductor RBR3L40CDDTE25 0.6300
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 ECAD 85 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA RBR3L40 쇼트키 PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 550mV @ 3A 40V에서 100μA 150°C 3A -
EDZFTE615.1B Rohm Semiconductor EDZFTE615.1B -
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 ECAD 1525 0.00000000 로옴 EDZ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - -55°C ~ 125°C 표면 실장 EDZFT 100mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-EDZFTE615.1BTR EAR99 8541.10.0050 3,000
RGWS00TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGWS00TS65DGC13 6.4000
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 ECAD 2348 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGWS00 기준 245W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGWS00TS65DGC13 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10옴, 15V 88ns 트렌치 필드스톱 650V 88A 150A 2V @ 15V, 50A 980μJ(켜짐), 910μJ(꺼짐) 108nC 46ns/145ns
UDZSTE-1733B Rohm Semiconductor UDZSTE-1733B 0.3500
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±3% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈스테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA @ 25V 33V 250옴
IMD9AT108 Rohm Semiconductor IMD9AT108 0.3900
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 ECAD 175 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMD9 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
RB520S-30GJTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30GJTE61 -
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 ECAD 2116 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 RB520 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-RB520S-30GJTE61TR EAR99 8541.10.0070 3,000
RBR2MM40BTFTR Rohm Semiconductor RBR2MM40BTFTR 0.4300
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F RBR2MM40 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 550mV @ 2A 40V에서 80μA 150°C(최대) 2A -
RB060M-30TR Rohm Semiconductor RB060M-30TR 0.1360
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 ECAD 6567 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOD-123F RB060 쇼트키 PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 490mV @ 2A 30V에서 50μA 150°C(최대) 2A -
RCX080N25 Rohm Semiconductor RCX080N25 1.3000
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 ECAD 442 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RCX080 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 250V 8A(TC) 10V 600m옴 @ 4A, 10V 5V @ 1mA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 840pF - 2.23W(Ta), 35W(Tc)
DTB114EKT146 Rohm Semiconductor DTB114EKT146 0.4500
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB114 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 10kΩ 10kΩ
EMH2FHAT2R Rohm Semiconductor EMH2FHAT2R 0.0958
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 ECAD 3681 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMH2FHAT2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
BM63573S-VC Rohm Semiconductor BM63573S-VC 21.4000
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 ECAD 52 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 25-PowerDIP 모듈(1.327", 33.70mm) IGBT BM63573 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BM63573S-VC EAR99 8542.39.0001 60 3상 인버터 10A 600V 1500Vrms
UMX5NTR Rohm Semiconductor UMX5NTR 0.4900
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMX5 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 11V 50mA 500nA(ICBO) 2 NPN(이중) 500mV @ 5mA, 10mA 56 @ 5mA, 10V 3.2GHz
SCS205KGHRC Rohm Semiconductor SCS205KGHRC -
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 ECAD 4632 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 SCS205 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-220AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1200V 1.6V @ 5A 0ns 1200V에서 100μA 175°C(최대) 5A 270pF @ 1V, 1MHz
SCT3040KRC14 Rohm Semiconductor SCT3040KRC14 54.0100
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 ECAD 917 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3040 SiCFET(탄화규소) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 55A(Tc) 18V 52m옴 @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107nC @ 18V +22V, -4V 800V에서 1337pF - 262W
RBR2L60ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR2L60ADDTE25 0.4400
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 ECAD 22 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA RBR2L60 쇼트키 PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 650mV @ 2A 60V에서 75μA 150°C 2A -
EMG5T2R Rohm Semiconductor EMG5T2R 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 EMG5T2 150mW EMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
BAW156HYT116 Rohm Semiconductor BAW156HYT116 0.3700
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW156 기준 SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍 구역 80V 215mA(DC) 1.25V @ 150mA 3μs 75V에서 5nA 150°C
RFS30TZ6SGC13 Rohm Semiconductor RFS30TZ6SGC13 6.1700
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 ECAD 600 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-2 RFS30 기준 TO-247GE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RFS30TZ6SGC13 EAR99 8541.10.0080 30 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 650V 2.3V @ 30A 35ns 650V에서 5μA 175°C 30A -
DTDG23YPT100 Rohm Semiconductor DTDG23YPT100 0.7500
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 ECAD 3897 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-243AA DTDG23 1.5W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 1A 500nA NPN - 사전 바이어스됨 400mV @ 5mA, 500mA 300 @ 500mA, 2V 80MHz 2.2kΩ 22kΩ
RSD150N06TL Rohm Semiconductor RSD150N06TL 0.5924
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 ECAD 5921 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RSD150 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 15A(타) 4V, 10V 40m옴 @ 15A, 10V 3V @ 1mA 18nC @ 10V ±20V 10V에서 930pF - 20W(Tc)
UFZVFHTE-174.7B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-174.7B 0.3100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2.78% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F UFZVFHTE 500mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1V에서 5μA 4.7V 25옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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