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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
EDZLDTE613.9B Rohm Semiconductor edzldte613.9b -
RFQ
 ECAD 8232 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzldt 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZLDTE613.9BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
PTZTE256.8A Rohm Semiconductor PTZTE256.8A 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% - 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE256.8 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 3.5 v 6.8 v 6 옴
DTA014EMT2L Rohm Semiconductor DTA014EMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA014 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 50 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
DTA043XEBTL Rohm Semiconductor DTA043XEBTL 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA043 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
RB540SM-40T2R Rohm Semiconductor RB540SM-40T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB540 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 710 mV @ 100 ma 15 µa @ 40 v 150 ° C 200ma -
UMZ4.7KFHTL Rohm Semiconductor umz4.7kfhtl 0.0659
RFQ
 ECAD 9758 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.15% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 UMZ4.7 200 MW UMD4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 2 µa @ 1 v 4.65 v
MTZJT-725.1B Rohm Semiconductor MTZJT-725.1B -
RFQ
 ECAD 1440 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1.5 v 5.1 v 70 옴
RF201L4STE25 Rohm Semiconductor RF201L4STE25 0.2224
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RF201 기준 PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1.5 a 30 ns 1 µa @ 400 v 150 ° C (°) 1.5A -
RB521SM-40FHT2R Rohm Semiconductor RB521SM-40FHT2R 0.4800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB521 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 540 mV @ 200 mA 90 µa @ 40 v 150 ° C (°) 200ma -
UDZVTE-1722B Rohm Semiconductor UDZVTE-1722B 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 17 v 22 v 100 옴
RD3U080AAFRATL Rohm Semiconductor rd3u080aafratl 2.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3U080 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 8A (TC) 10V 300mohm @ 4a, 10V 5V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 30V 1440 pf @ 25 v - 85W (TC)
RBQ30T65ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ30T65ANZC9 1.6900
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RBQ30 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 65 v 15a 690 mV @ 15 a 200 µa @ 65 v 150 ° C
KDZVTFTR3.9B Rohm Semiconductor kdzvtftr3.9b 0.4700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZVTFTR3.9 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 40 µa @ 1 v 4.15 v
KDZVTFTR33B Rohm Semiconductor KDZVTFTR33B 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZVTFTR33 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 25 v 35 v
2SC2389STPE Rohm Semiconductor 2SC2389STPE -
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SC2389 300MW spt - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-2SC2389Stpetr 5,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V
RSS130N03HZGTB Rohm Semiconductor RSS130N03HZGTB 2.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS130 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13A (TA) 4V, 10V 8.3mohm @ 13a, 10V 2.5V @ 1mA 35 NC @ 5 v ± 20V 2000 pf @ 10 v - 2W (TA)
RRL025P03FRATR Rohm Semiconductor RRL025P03FRATR 0.4900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RRL025 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4V, 10V 75mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 20V 480 pf @ 10 v - 1W (TA)
RB085BM-30FHTL Rohm Semiconductor RB085BM-30FHTL 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB085 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 10A 480 mV @ 4 a 300 µa @ 30 v 150 ° C (°)
2SAR586JGTLL Rohm Semiconductor 2SAR586JGTLL 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 40 W. lptl 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 320mv @ 100ma, 2a 120 @ 500ma, 3v 200MHz
2SD2653TL Rohm Semiconductor 2SD2653TL 0.2317
RFQ
 ECAD 2969 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SD2653 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 12 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 180mv @ 50ma, 1a 270 @ 200MA, 2V 360MHz
BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor BC846BHZGT116 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 65 v 120 MA 15NA (ICBO) 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V
EDZGTE619.1B Rohm Semiconductor edzgte619.1b -
RFQ
 ECAD 6336 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzgt 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZGTE619.1BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
R6025JNXC7G Rohm Semiconductor R6025JNXC7G 6.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6025 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TC) 15V 182mohm @ 12.5a, 15V 7V @ 4.5MA 57 NC @ 15 v ± 30V 1900 pf @ 100 v - 85W (TC)
RLZTE-1122D Rohm Semiconductor RLZTE-1122D -
RFQ
 ECAD 8640 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 RLZTE-1122 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 200 na @ 17 v 21.2 v 30 옴
RD3P175SNTL1 Rohm Semiconductor RD3P175SNTL1 1.7000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P175 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 17.5A (TA) 4V, 10V 105mohm @ 8.8a, 10V 2.5V @ 1mA 24 nc @ 10 v ± 20V 950 pf @ 25 v - 20W (TC)
CDZT2R4.7B Rohm Semiconductor cdzt2r4.7b 0.0928
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 Rohm 반도체 CDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-923 CDZT2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 2 µa @ 1 v 4.7 v 100 옴
EDZFHTE6112B Rohm Semiconductor edzfhte6112b -
RFQ
 ECAD 9830 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzfht 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZFHTE6112BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
RFN2LAM4STFTR Rohm Semiconductor rfn2lam4stftr 0.5500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rfn2lam4 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1.5 a 30 ns 1 µa @ 400 v 150 ° C (°) 1.5A -
RB508FM-40FHT106 Rohm Semiconductor RB508FM-40FHT106 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RB508 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 590 mV @ 40 ma 35 NA @ 30 v 150 ° C 80ma -
PTZTFTE255.1B Rohm Semiconductor ptztfte255.1b 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.56% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 1 v 5.4 v 8 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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