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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
EMZ6.8EFHT2R Rohm Semiconductor EMZ6.8EFHT2R 0.4300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 4.93% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-553 EMZ6.8 150 MW EMD5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 2 양극 양극 공통 500 NA @ 3.5 v 6.8 v
MTZJT-7230C Rohm Semiconductor MTZJT-7230C -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT7230C 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 23 v 30 v 55 옴
RBR3LAM60BTFTR Rohm Semiconductor rbr3lam60btftr 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-128 rbr3lam60 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 150 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A -
1SS380VMTE-17 Rohm Semiconductor 1SS380VMTE-17 0.3800
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F 1SS380 기준 UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 10 na @ 80 v 150 ° C (°) 100ma 5pf @ 500mv, 1MHz
MTZJT-722.4B Rohm Semiconductor MTZJT-722.4B -
RFQ
 ECAD 4400 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 활동적인 - 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-MTZJT-722.4BTB 귀 99 8541.10.0050 5,000
BZX84B16VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B16VLT116 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 1.87% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 11 v 16 v 40
RRH090P03TB1 Rohm Semiconductor RRH090P03TB1 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RRH090 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 15.4mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 30 nc @ 5 v ± 20V 3000 pf @ 10 v - 650MW (TA)
RF05VYM2SFHTR Rohm Semiconductor RF05VYM2SFHTR 0.4000
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RF05VYM2 기준 tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 mV @ 500 mA 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 500ma -
2SA1579U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2SA1579U3HZGT106R 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
2SD786STPS Rohm Semiconductor 2SD786STPS -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 활동적인 - 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SD786 spt - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-2SD786STPSTB 5,000 40 v 300 MA - - - 560 @ 10ma, 6V 100MHz
KDZVTR2.0B Rohm Semiconductor KDZVTR2.0B 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 KDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZVTR2.0 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 µa @ 500 mV 2.12 v
PDZVTR15B Rohm Semiconductor PDZVTR15B 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 PDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.77% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PDZVTR15 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 11 v 15.6 v 10 옴
RFU10TF6S Rohm Semiconductor RFU10TF6 0.8805
RFQ
 ECAD 8662 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 RFU10 기준 TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.8 V @ 10 a 25 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 10A -
UMD22NFHATR Rohm Semiconductor umd22nfhatr 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD22 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
FML10T148 Rohm Semiconductor FML10T148 0.2120
RFQ
 ECAD 8228 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FML10 200 MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN + 다이오드 (분리) 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V 400MHz
RB058LAM150TFTR Rohm Semiconductor RB058LAM150TFTR 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB058 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 3 µa @ 150 v 150 ° C (°) 3A -
DTA113ZCAT116 Rohm Semiconductor DTA113ZCAT116 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA113 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
EDZLDTE615.6B Rohm Semiconductor edzldte615.6b -
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzldt 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZLDTE615.6BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
2SAR553PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR553PHZGT100 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 35ma, 700ma 180 @ 50MA, 2V 320MHz
YFZVFHTR4.7B Rohm Semiconductor yfzvfhtr4.7b 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr4.7 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 4.68 v 25 옴
EM6M1T2R Rohm Semiconductor EM6M1T2R 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EM6M1 MOSFET (금속 (() 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 및 p 채널 30V, 20V 100ma, 200ma 8ohm @ 10ma, 4v - 0.9NC @ 4.5V 13pf @ 5V 논리 논리 게이트
UMA4NTR Rohm Semiconductor uma4ntr 0.0848
RFQ
 ECAD 1592 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA4 150MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1a, 5V 250MHz 10kohms -
RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor RB085BGE-60TL 1.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB085 Schottky TO-252GE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 580 mV @ 5 a 300 µa @ 60 v 150 ° C
R6024VNX3C16 Rohm Semiconductor R6024VNX3C16 5.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 R6024 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6024VNX3C16 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TC) 10V, 15V 153mohm @ 6a, 15V 6.5V @ 700µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1800 PF @ 100 v - 245W (TC)
R6007ENXC7G Rohm Semiconductor R6007ENXC7G 2.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6007 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6007ENXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 620mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 1MA 20 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 46W (TC)
CDZFHT2RA6.2B Rohm Semiconductor cdzfht2ra6.2b 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 cdzfht2 100MW VMN2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 3 v 6.2 v 60 옴
DTA144GKAT146 Rohm Semiconductor DTA144GKAT146 0.0561
RFQ
 ECAD 1686 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms
RSD175N10TL Rohm Semiconductor RSD175N10TL 0.3791
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RSD175 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 17.5A (TA) 4V, 10V 105mohm @ 8.8a, 10V 2.5V @ 1mA 24 nc @ 10 v ± 20V 950 pf @ 25 v - 20W (TC)
RBE2EA20ATR Rohm Semiconductor rbe2ea20atr 0.6100
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 RBE2 Schottky TSMD5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 20 v 2A 390 mV @ 1 a 700 µa @ 20 v 125 ° C
SH8K32GZETB Rohm Semiconductor SH8K32GZETB 1.5700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8K32 MOSFET (금속 (() 1.4W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 4.5A (TA) 65mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 1mA 10nc @ 5v 500pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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