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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BSS64AT116 Rohm Semiconductor BSS64AT116 0.3500
RFQ
 ECAD 401 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS64 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 30 @ 25MA, 1V 140MHz
1SS133T-72 Rohm Semiconductor 1SS133T-72 -
RFQ
 ECAD 6865 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 1SS133 기준 MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1SS133T72 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 175 ° C (°) 130ma 2pf @ 0.5V, 1MHz
RSX201VA-30TR Rohm Semiconductor RSX201VA-30TR 0.1057
RFQ
 ECAD 2745 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-90, SOD-323F RSX201 Schottky Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 460 MV @ 1.5 a 300 µa @ 30 v 125 ° C (°) 1.5A -
EDZVT2R9.1B Rohm Semiconductor EDZVT2R9.1B 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 EDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 na @ 6 v 9.1 v 30 옴
RYC002N05T316 Rohm Semiconductor RYC002N05T316 0.3800
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RYC002 MOSFET (금속 (() SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 4.5V 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 800mv @ 1ma ± 8V 26 pf @ 10 v - 350MW (TC)
RCJ100N25TL Rohm Semiconductor RCJ100N25TL 0.8404
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ100 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 250 v 10A (TC) 10V 320mohm @ 5a, 10V 5V @ 1MA 26.5 nc @ 10 v ± 30V 1440 pf @ 25 v - 1.56W (TA), 85W (TC)
RBQ5RSM65BTL1 Rohm Semiconductor RBQ5RSM65BTL1 0.9000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 65 v 660 mV @ 5 a 90 µa @ 65 v 150 ° C 5a -
DTA123YE3TL Rohm Semiconductor DTA123YE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA114T 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
PDZVTR24A Rohm Semiconductor PDZVTR24A 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.79% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PDZVTR24 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 19 v 24.2 v 16 옴
RB550SS-30T2R Rohm Semiconductor RB550SS-30T2R -
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0603 (1608 메트릭) RB550SS-30 Schottky KMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 590 mV @ 500 mA 8 µa @ 15 v 150 ° C (°) 500ma -
R5011ANX Rohm Semiconductor r5011anx -
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R5011 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 11A (TA) 10V 500mohm @ 5.5a, 10V 4.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 50W (TC)
RB521ZS-307EPT2R Rohm Semiconductor RB521ZS-307EPT2R -
RFQ
 ECAD 7604 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0201 (0603 메트릭) RB521 Schottky GMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB521ZS-307EPT2RTR 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 370 mV @ 10 ma 7 µa @ 10 v 150 ° C 100ma -
RB520S-30GDTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30GDTE61 -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB520 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB520S-30GDTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
EMH52T2R Rohm Semiconductor EMH52T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMH52 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 47kohms 47kohms
RGT8NL65DGTL Rohm Semiconductor rgt8nl65dgtl 2.0700
RFQ
 ECAD 972 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT8NL65 기준 65 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 4A, 50ohm, 15V 40 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A - 13.5 NC 17ns/69ns
RB068MM100TR Rohm Semiconductor RB068MM100TR 0.4400
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB068 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 870 mv @ 2 a 400 na @ 100 v 150 ° C (°) 2A -
RR601BM4SFHTL Rohm Semiconductor RR601BM4SFHTL 1.2000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RR601 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 짐 400 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 6A -
EDZTE6113B Rohm Semiconductor edzte6113b -
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZTE6113 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10 v 13 v 37 옴
DTC013ZEBTL Rohm Semiconductor DTC013ZEBTL 0.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC013 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 30 @ 5MA, 10V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
DTA124EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA124EE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA124 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-DTA124EE3HZGTLCT 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
1SS355VMTE-17 Rohm Semiconductor 1SS355VMTE-17 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F 1SS355 기준 UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 v 150 ° C (°) 100ma 3pf @ 0.5V, 1MHz
QH8MA4TCR Rohm Semiconductor QH8MA4TCR 0.9000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8MA4 MOSFET (금속 (() 1.5W TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 9a, 8a 16mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 15.5NC @ 10V 640pf @ 15V -
RB160M-30TR Rohm Semiconductor RB160M-30TR 0.3900
RFQ
 ECAD 789 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-123F RB160 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 480 mV @ 1 a 50 µa @ 30 v 125 ° C (°) 1A -
YFZVFHTR20B Rohm Semiconductor yfzvfhtr20b 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.51% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr20 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 15 v 19.11 v 28 옴
SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor SP8M51HZGTB 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M51 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 100V 3A (TA), 2.5A (TA) 170mohm @ 3a, 10v, 290mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5v, 12.5nc @ 5v 610pf @ 25v, 1550pf @ 25v -
QS8J5TR Rohm Semiconductor qs8j5tr 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8J5 MOSFET (금속 (() 600MW TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 5a 39mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 19NC @ 10V 1100pf @ 10V 논리 논리 게이트
RB706WM-40TL Rohm Semiconductor RB706WM-40TL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 RB706 Schottky EMD3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 30ma 370 mV @ 1 ma 500 NA @ 30 v 125 ° C
KDZLVTFTR100 Rohm Semiconductor KDZLVTFTR100 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZLVTFTR100 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 76 v 100 v
DTA144WCAT116 Rohm Semiconductor DTA144WCAT116 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
TDZTR6.8 Rohm Semiconductor TDZTR6.8 0.1088
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TDZTR6.8 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 3.5 v 6.8 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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